电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2010年第09期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志专家论坛

印刷电子学的发展1-5

摘要：综述了印刷电子学的发展及趋势,着重介绍了喷墨打印技术的新进展及其在印制电路板（PCB）和嵌入式无源元件中的应用,指出了目前印刷电子产品生产过程中尚待解决的问题,预测印刷电子电路（PEC）将是印刷电子学的未来发展方向。

电子元件与材料杂志研究与试制

金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶的制备及性能研究6-8

摘要：采用电子束蒸发和磁控溅射法在Ni基超合金基片上制备NiCr-NiSi薄膜热电偶,薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al2O3热氧化层、氧化铝绝缘层、NiCr-NiSi薄膜热电偶层以及氧化铝保护层构成。对此薄膜热电偶样品的静态标定结果表明,所制备的金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶在25～600℃内具有良好的线性度,Seebeck（塞贝克）系数达到37.5μV/K,略低于K型标准热电偶的塞贝克系数40.0μV/K。

前驱体溶剂对铅基反铁电厚膜介电性能的影响9-12

摘要：采用sol-gel工艺制备了Pb0.97La0.02（Zr0.95Ti0.05）O3反铁电厚膜材料,研究了不同前驱体溶剂（乙酸和乙二醇乙醚）对反铁电厚膜介电性能的影响。结果表明：由乙二醇乙醚作为前驱体溶剂制备的反铁电厚膜材料,在室温下反铁电态稳定,其AFE-FE相的相变电场强度为184.05×103V/cm,FE-AFE相的相变电场强度为68.24×103V/cm,饱和极化强度为88.8×10-6C/cm2。

包裹A1_2O_3对BaTiO_3基陶瓷性能的影响16-18

摘要：采用固相法制备掺杂有稀土元素Nd和Y的BaTiO3基陶瓷粉体,在该粉体表面包裹A12O3。研究了包裹A12O3对BaTiO3基陶瓷的微观结构、微观形貌、介电性能、击穿电压和介电非线性的影响。结果表明：包裹A12O3后,BaTiO3基陶瓷的相对介电常数达到4000,绝缘电阻率达到1011？.cm,耐压提高到20×103V/mm,介电非线性得到改善,有望在储能领域中得到应用。

低温合成超细LiTaO_3粉体19-22

摘要：采用草酸盐热分解法,在500,600,700及800℃温度下合成了LiTaO3粉体。利用XRD、SEM、FTIR及UV-Vis对所制粉体的性能进行了研究。分析结果表明：各温度下所得产物均为单一相的LiTaO3粉体。说明采用草酸盐热分解法,在500℃的较低温度下及3h的较短时间内即能制得单一相的LiTaO3粉体,该粉体粒径小于100nm,能隙为3.7eV,FT-IR谱中623cm-1处存在着Ta—O键的特征吸收峰。

La掺杂In2O3纳米粉体的制备及气敏性能研究23-26

摘要：采用水热法制备了质量分数w[La（NO3）3]为3%～9%的La（NO3）3-In2O3纳米粉体。利用XRD,SEM,TEM等测试手段,对其物相、结构进行了表征。结果表明：掺质量分数为7%的La（NO3）3的In2O3纳米粉体,其颗粒长度和直径分别为2μm与200nm左右,呈棒状。利用该纳米粉体制成气敏元件,并采用静态配气法测试了元件的气敏性能。研究发现：元件在110℃的工作温度下,对体积分数为100×10-6的Cl2的灵敏度高达1665.7,且具有良好的选择性与响应-恢复特性。

集总元件宽带Wilkinson功分器的研究27-29

摘要：提出了一种集总元件宽带Wilkinson功分器的分析及设计方法。从功分器的奇偶模阻抗理论分析出发,将功分器设计转化为在偶模下求解阻抗比为2：1的宽带阻抗变换和在奇模下求解宽带阻抗匹配的问题,采用LC阻抗变换节取代传统电路的λ/4传输线,减小功分器体积,并推导出两级功分器的元件解算公式。经ADS仿真验证,由解算公式得到的两级功分器,在760～1240MHz的带宽内功率分配损耗小于0.1dB,隔离度大于20dB,输入输出端口反射系数均小于-20dB,可用带宽fH/fL为1.64,实现了Wilkinson功分器小尺寸、带宽大的优点。

掺氟氧化锡（SnO2：F）纳米粉末的制备30-32

摘要：以SnCl4.5H2O、氨水和HF酸为主要原料,用化学方法制取了掺氟氧化锡（FTO）纳米粉末。用XRD、SEM分别研究了FTO粉末的相结构和形貌,用比表面仪测定了粉末比表面积,同时测试了FTO粉末的电阻率。结果表明：FTO粉末是四方晶系金红石结构;在500℃下焙烧制取的粉末电阻率最低,为50μm,比表面积为61.00m2/g。采用无水酒精球磨分散等步骤,可有效防止粉末团聚。

非离子表面活性剂对助焊剂润湿性能的影响33-36

摘要：在软钎焊免清洗助焊剂中分别添加了3种不同含量的非离子表面活性剂：TritonX—100、Tween—20和PEG2000,得到了3组助焊剂。使用这3组助焊剂和Sn0.7Cu无铅钎料在纯铜板上进行了铺展测试。结果表明,添加TritonX—100和添加Tween—20的质量分数均为0.6%时,钎料的润湿角最小值分别为30.07°和29.70°,铺展面积最大值分别为56.67mm2和58.53mm2;添加PEG2000质量分数为0.3%时,钎料的润湿角最小值为26.70°,铺展面积最大值为66.88mm2,比未添加时增加26.9%。适量加入非离子表面活性剂能够改善助焊剂的润湿性,并提高无铅钎料的铺展能力。

高相对密度低电阻率ZTO陶瓷靶材的烧结与性能37-40

摘要：采用传统的固相烧结方法制备了ZnO：Ti（ZTO）陶瓷靶材,研究了TiO2掺杂量及烧结温度对靶材的微观结构、相对密度和电性能的影响。结果表明：添加适量的TiO2能促进ZTO陶瓷晶粒长大及组织均匀化,掺杂过量TiO2使ZTO陶瓷中析出ZnTi2O4;随TiO2掺杂量的增大,陶瓷靶材的电阻率ρ先快速下降后缓慢升高,当掺杂的x（TiO2）为0.5%,烧结温度为1350℃时,其ρ为1.480？.cm,相对密度为97.7%;当烧结温度为1400℃时,陶瓷靶材的ρ最低（0.305？.cm）,其相对密度为97.9%。

高膨胀系数玻璃-陶瓷复合材料的性能研究41-43

摘要：选用具有良好介电性能和膨胀性能的硼硅酸盐（SiO2-BaO-B2O3-Al2O3）和石英,采用固相法合成了一系列具有高热膨胀系数的玻璃-陶瓷复合材料,并对这些复合材料进行了XRD、SEM分析,及其热、力、电性能的测试。结果表明：所制复合材料的热膨胀系数和弯曲强度随着石英含量的增加而增大,其相对介电常数则随之减小。石英质量分数为40%的复合材料在980℃烧结时,析出了大量的方石英相,复合材料的热膨胀系数增大。最终制备的复合材料具有高的热膨胀系数[（10.3～25.5）×10-6/℃]、较高的弯曲强度（146MPa）、较低的相对介电常数（5.6～6.4）及介电损耗（0.10%～0.30%）。

B位非化学计量比对0.6BCN-0.4BZN陶瓷性能的影响44-47

摘要：采用传统固相反应法,制备了Ba（Co0.6Zn0.4）1/3Nb2/3O3（0.6BCN-0.4BZN）微波介质陶瓷。系统研究了Ba（Co0.6Zn0.4）（1/3＋x）Nb2/3O3陶瓷中B位（Zn,Co）离子的非化学计量比（x=-0.015,-0.009,-0.003,0,0.003,0.009,0.015）对该微波介质陶瓷性能的影响。结果表明：少量的B位离子缺量,可以促进烧结的致密化。x为-0.009时所制陶瓷密度最大,达到理论密度的99%以上。在1400℃下烧结20h,可以获得εr=35.35,Q.f=40787GHz（f=5.180GHz）,τf=-3×10-6/℃的0.6BCN-0.4BZN陶瓷。

沉积在硅纳米孔柱阵列上的金网络48-50

摘要：采用浸渍技术在硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）衬底上沉积了金（Au）,得到了Au的网络结构Au/Si-NPA。测试分析表明,将Au/Si-NPA进行600℃氧退火60min,退火前后的Au晶粒度分别为26.0nm和75.5nm。无论是在氧气还是在氮气气氛下对Au/Si-NPA进行600℃退火,Au都不会渗透到Si-NPA衬底内,而且也不会与硅反应形成化合物。说明Au可作为良好的互连材料应用到超大规模集成电路中。

氧瓶-离子选择电极电位法测定助焊剂中的卤素51-53

摘要：为测定助焊剂中的卤素,先将助焊剂样品在氧瓶中燃烧分解,并用含氢氧化钾的碱液吸收,然后以银离子选择性电极为指示电极,双液饱和甘汞电极为参比电极,AgNO3标准溶液为滴定剂,采用电位滴定法测定碱液中单独或并存的氯、溴的含量。结果表明：该法简单、快速、灵敏,可测定出样品中含量低达0.02%（质量分数）的氯、溴,且可连续测定,特别适用于测定助焊剂中氯、溴的含量。卤素的回收率为97.9%～100.9%。

郑州建设液晶玻璃基板产业园53-53

摘要：旭飞光电液晶玻璃基板项目一期投产和二期开工仪式2010年8月16日在河南郑州举行。郑州旭飞光电科技有限公司是由河南省国有资产经营有限公司、郑州投资控股有限公司、东旭光电投资有限公司共同出资成立，主要从事液晶玻璃基板研发与制造的国有控股公司。

玻璃粉料粒度对B-Al-Si/Al2O3性能的影响54-57

摘要：通过改变球磨时间,得到不同粒度的B2O3-Al2O3-SiO2（简称B-Al-Si或BAS）玻璃粉料。在玻璃粉料中混入质量分数为40%的Al2O3陶瓷粉末,用流延法制备了低温共烧BAS/Al2O3玻璃/陶瓷复相材料。研究了烧结温度和玻璃的粒度对复相材料的烧结性能、介电性能和热稳定性的影响。结果表明：在800～900℃,材料致密化后析出钙长石晶体;球磨1h的玻璃粉料与w（Al2O3）40%混合烧结的复相材料的性能最优,850℃保温30min后,于10MHz测试,其εr=7.77,tanδ=1×10-4;扫描电镜显示其微观结构致密,有少量闭气孔。

电子制造业加快向低成本地区转移57-57

摘要：目前中国的电子产品生产中心仍在深圳、广东等地,但将来逐渐会向内地转移。主要原因是,内地的消费水平不断增加,与大型EMS企业薪酬处在饱和状态的沿海地区相比,预计内地前景更好。

一种薄膜PCB平面变压器的研究58-61

摘要：采用现代化印刷版技术,首先设计制作出一种基于柔性PCB板、线圈宽度为0.2mm、线间距为0.3mm、匝数比为6：18的空心变压器,然后采用直流磁控溅射在其上下表面镀上软磁薄膜,而最终制成了一种薄膜PCB平面变压器。研究了薄膜材料、膜厚等因素对该种变压器性能的影响。结果表明,制得的薄膜PCB平面变压器可以有效工作于4～14MHz的频率范围。采用上述方法制备变压器,可以把变压器从三维变成两维,从而为器件的表面贴装打下基础,并同时满足＂更小,更轻,更薄＂的要求。