电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2010年第08期杂志 文档列表

AlN-SiC微波衰减陶瓷在X波段的选频衰减性能-

摘要：以氮化铝、碳化硅为原料,氧化钇为烧结助剂,在1900℃、氮气气氛中,采用热压烧结工艺制备了AlN-SiC复相微波衰减材料。借助网络分析仪,研究了该材料在8~12GHz的微波衰减性能。结果表明,当SiC质量分数从0增加到9%时,该材料的谐振损耗峰所对应的频率从10.86GHz降低到10.11GHz,所对应的峰值从3.2dB降低到0.7dB,而该材料的有效衰减带增大;在900~1000℃、氢气(纯度≥99.99%)气氛中保温30~50min后,该材料的谐振频率维持在10.65~10.62GHz,谐振峰峰值略微减小;这表明在氢气气氛中的热处理对该材料的微波衰减性能影响较小。

复合活化剂组分质量比对活性炭微球电容性能的影响-

摘要：为了制备高体积比电容活性炭微球(AMCMB),以KOH/NaOH为复合活化剂,在850℃下对中间相沥青微球(MPMB)进行活化处理。考察了KOH/NaOH复合活化剂不同组份质量比对AMCMB收率、振实密度及比电容的影响。结果表明:随着NaOH含量的增加,AMCMB的比电容呈现先增加后减小的趋势,并在质量比ζ(KOH:NaOH)=5:1时达到最大值81F/cm3,其孔径以微孔为主,中孔含量较高,平均孔径约为2.21nm,比表面积达2788m2/g,适合用作超级电容器电极材料。

超级电容器用竹炭的制备及其电容性能-

摘要：以竹材为原料,在高温Ar保护下制备了高比表面积超级电容器用竹炭材料。用XRD和SEM对所制竹炭进行了物相分析和形貌观察;用循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗谱研究了炭化温度对所制超级电容器性能的影响。结果表明:所得竹炭为无定形结构,随着炭化温度的升高,竹炭中石墨微晶向有序态结构发展。炭化温度为500℃时,制备的竹炭电性能最佳。在125mA/g电流密度下的首次放电比电容为226F/g;即使在500mA/g的大电流密度下,其放电比电容仍高达184F/g,第1000次循环时其放电比电容为138F/g,每次循环电容衰减仅为0.046F/g。

不同碳源包覆LiFePO_4正极材料的合成及电化学性能-

摘要：采用单一碳源和复合碳源,以固相反应法合成了碳包覆型LiFePO4正极材料。借助ECT、XRD、SEM和循环伏安仪对LiFePO4正极材料进行了表征,研究了不同包覆碳源对所制LiFePO4正极材料电化学性能的影响。结果表明,与使用其他碳源相比,在使用六次甲基四胺与蔗糖作为复合碳源时,LiFePO4正极材料的包覆碳量降低了40%左右;首次可逆放电容量提高了20%左右,达到141mAh/g;循环20次后的容量保持率提高了2%左右。由该种LiFePO4正极材料制作的锂离子电池具有较好的自我修复能力。

掺铝ZnO透明导电薄膜的制备及光电性能研究-

摘要：采用RF磁控溅射法制备了掺铝ZnO(AZO)透明导电薄膜,用X射线衍射仪、分光光度计和四探针仪等,研究了沉积温度对薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明,AZO薄膜为六方纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)择优取向。沉积温度对薄膜的择优取向程度、晶粒尺寸、透射率和导电性能等具有明显的影响。当沉积温度为400℃时,AZO薄膜最大晶粒尺寸为37.21nm、可见光范围平均透射率为85.5%、优良指数为1.30×10-2?-1。

磁控溅射法制备Ag/FePt/C/FePt薄膜的结构和磁性能-

摘要：采用磁控溅射法,在自然氧化的Si(001)基片上沉积了Ag/FePt/C/FePt纳米薄膜,并分别在400,450,500,600℃下对薄膜样品进行了1h的退火热处理。利用X射线衍射仪和振动样品磁强计,对薄膜样品的结构和磁性进行了分析。结果表明,当热处理温度为450℃时,Ag/FePt/C/FePt薄膜中已形成了具有有序面心四方结构的L10-FePt。随着热处理温度的升高,薄膜样品的有序化程度提高,矫顽力Hc增强,晶粒尺寸变大。当热处理温度为600℃时,薄膜样品的平行膜面Hc为905.8kA·m-1,晶粒尺寸为23nm。

球磨法制备银钎剂及其性能研究-

摘要：以国产银钎剂QJ102的原料配方为基础,用硼酸代替硼酐,运用正交试验法对银钎剂[w(KF)为33%+w(KBF4)为18%+w(H3BO3)为49%]的球磨工艺进行研究,获得了最优的球磨工艺参数:球磨时间t=1.5h,球磨速度v=400r/min,球料比λ=2:1。在不改变钎剂主要成分的基础上加入质量分数为0.5%～2.0%的硅油、0.5%～2.0%的A醚进行改性处理。结果表明,改性后的银钎剂为膏状,黏度大,长期放置不会结块变硬,焊后残留物少,性能指标达到国外样品水平。

掺Fe~(3+)的A-TiO_2的水热法制备及其可见光光催化性能-

摘要：以硫酸钛为原料,用水热法制备了掺Fe3+的TiO2粉末,并对其晶相结构进行了分析,考察了自制掺Fe3+的TiO2对甲基蓝溶液的光催化性能。结果表明:所制备的TiO2为锐钛矿型TiO2(A-TiO2)。可见光照下,用自制掺Fe3+的A-TiO2降解甲基蓝溶液的最佳条件是:于ρ(甲基蓝)为8mg/L的溶液中加入0.0203g掺Fe3+为5%(摩尔分数)的A-TiO2粉末,并加入φ(H2O2)为4%,室温反应4h,最高降解率达到约88%。

粘结材料对TCBGA封装组件弯曲可靠性的影响-

摘要：采用三点弯曲试验,测试了十组使用不同粘结材料及不同粘接方式的薄基板球栅阵列封装(TCBGA)组件和一组未使用粘结材料的组件的弯曲可靠性。结果表明,这些粘结材料均不同程度地提高了组件的弯曲可靠性。不同粘接方式对弯曲可靠性影响不同,其中边沿绑定粘接方式效果最佳,相对于无粘结材料,对组件所能承受的最大主应变、位移和荷载分别增加了41.73%,40.86%和37.50%。

锡基无铅钎料的性能研究与新进展-

摘要：介绍了现阶段锡基无铅钎料的使用和生产情况,归纳了钎料合金的特点,综述了不同系列无铅钎料的熔化特性、焊后的剪切强度及可焊性等,总结了目前无铅钎料研究所取得的新成果、新进展以及存在的问题。从锡晶须,虚焊等方面指出了无铅钎料可靠性的不足,并提出部分解决方案,指出了无铅钎料的发展趋势和应用前景。

储能晶界层电容材料的研究进展-

摘要：介绍了晶界层材料的储能优势,分析了晶界层材料的储能原理。综述了BaTiO3和CaCu3Ti4O12等晶界层电容器材料的研究现状,并对晶界层储能电容所需的高介电常数和高击穿电压,以及实现这一性能须采取的改性包覆等措施进行了总结与展望。

(Mg_(0.7)Zn_(0.3))TiO_3-(Ca_(0.61)La_(0.26))TiO_3系微波介质陶瓷性能研究-

摘要：采用传统固相反应法制备了(1-x)(Mg0.7Zn0.3)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3(MZCLT)微波介质陶瓷。分析了(Ca0.61La0.26)TiO3掺杂量对MZCLT陶瓷相结构、烧结性能和介电性能的影响。所制MZCLT陶瓷的主晶相为(Mg0.7Zn0.3)TiO3和(Ca0.61La0.26)TiO3,还存在微量的(Mg0.7Zn0.3)Ti2O5。当x=0.13,1275℃烧结4h时,0.87(Mg0.7Zn0.3)TiO3-0.13(Ca0.61La0.26)TiO3陶瓷介电性能较佳:εr=26.7,Q·f=86011GHz(8GHz),τf为-6×10-6/℃,优于(Mg0.7Zn0.3)TiO3陶瓷介电性能(εr=19.2,Q·f=253000GHz,τf为-39×10-6/℃)。

石墨烯的制备及研究现状-

摘要：阐述了石墨烯的制备方法如机械剥离法、氧化石墨还原法、加热SiC法和化学气相沉积法等,分析了各种制备方法的优缺点。论述了石墨烯在纳米电子器件、取代硅芯片、制造最快的碳晶体管、减少噪声和潜在的储氢材料领域等方面的应用,同时简要分析了石墨烯的结构对其性质的影响,展望了其未来的发展前景。

CuO掺杂量对LSMO/NiCuZn复合材料微波特性的影响-

摘要：采用固相反应法制备了La0.67Sr0.33MnO3/(Zn0.6Fe0.4)[Ni0.4-xCuxFe1.6]O4(LSMO/NiCuZn)铁氧体复合材料。研究了CuO掺杂量对复合材料在1MHz～1.8GHz频段下的复磁导率频谱特性和复介电常数频谱特性的影响。结果表明:CuO掺杂量的增加(x=0.05～0.20),提高了复合材料磁谱与介电谱的虚部,增加了材料的磁损耗与介电损耗,提高了材料的吸波性能。当CuO的掺杂量x为0.20时,复合材料磁导率和介电常数的虚部分别达到27和107。

工艺条件对高纯氧化铍陶瓷金属化性能的影响-

摘要：以W为原料,MnO、Al2O3和SiO2为活化剂,采用烧结金属粉末法,于1450～1500℃的还原性气氛(氨分解气)中烧结,在99BeO(纯度大于99%的BeO)陶瓷基板表面形成了W金属层,研究了活化剂含量、金属化膜厚度以及99BeO陶瓷晶粒大小对其金属化性能的影响。结果表明:当添加的活化剂质量分数为20%,金属化膜厚度约为35μm,BeO陶瓷晶粒大小约为39μm时,99BeO陶瓷金属化层的抗拉强度达到最大值65MPa。

SiO_2掺杂低温烧结PMMNS压电陶瓷的结构和性能-

摘要：采用固相二步合成法制备SiO2掺杂Pb(Mg1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01Zr0.45Ti0.45O3(PMMNS)压电陶瓷,探讨了不同SiO2掺杂量对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明:在烧结温度为980℃时,可以得到纯钙钛矿结构PMMNS陶瓷。SiO2的加入,明显降低了PMMNS陶瓷的烧结温度。当SiO2的掺杂量为质量分数0.10%时,所得性能最佳:kp=0.51,d33=323pC/N,Qm=1475,tanδ=0.0038和εr=1762。

CaAlSi系LTCC生带的流延制备及其烧结基板-

摘要：以自制的CAS(CaO-Al2O3-SiO2)系玻璃作为功能相,通过分析不同的有机组分对流延浆料流变性能及分散稳定性的影响,优选:甲基乙基酮-乙醇为二元共沸溶剂;磷酸三丁酯为分散剂。浆料的黏度随粘结剂加入量增大而增大。随着增塑剂含量的增加,浆料黏度先减小后增大,当ζ(增塑剂:粘结剂)=0.6时,浆料黏度最低。流延浆料的最佳配方为:玻璃粉100.0g,粘结剂18.0g,磷酸三丁酯3.0g,增塑剂10.8g,溶剂为150.0～170.0g。流延生带样品于950℃烧结后获得相对密度达到96%,相对介电常数为6.97,介电损耗低于0.3%(1MHz)的玻璃陶瓷基板材料。

有机载体挥发特性对PTC陶瓷铝电极性能的影响-

摘要：为了制备出满足铝电极性能要求的电极浆料,采用两种具有不同挥发特性的有机载体烧渗PTC铝电极,通过XRD和SEM研究了烧渗后铝电极的物相和微观形貌对电极性能的影响。结果表明:采用阶梯式挥发的有机载体制备的铝电极浆料,烧渗后的电极结构致密,假电阻小,|RAl-RIn-Ga|/RIn-Ga约为0.3%;抗老化性能优良,沸水中老化24h后,电阻变化率不超过2.3%,经400V交流电压冲击500h后,电阻变化率不超过1.0%。