电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2010年第05期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

稀土氧化物掺杂对BST陶瓷热释电性能的影响1-4

摘要：采用轧膜成型工艺制备了掺杂有稀土氧化物的钛酸锶钡（BST）陶瓷，研究了不同稀土（Sc，YLa，ce，Pr,Nd和Sm）氧化物掺杂对其微观形貌、介电性能和热释电性能的影响。结果表明，Sc掺杂大幅降低了BST陶瓷的％严重劣化了BST陶瓷的热释电性能，并引起了长条状晶粒在BST陶瓷中的出现；Y掺杂则显著提高了BST陶瓷的热释电性能，并最终获得了ε1为7111、tanδ为0．65×10^-2、热释电系数p为5．5×10^-7C·cm^-2·℃^-1、探测率优值Fd为8．49×10^-5Pa^-1/2。的热释电BST陶瓷材料，有望在红外探测领域得到应用。

电子元件与材料杂志综合信息

2010年政府十大关键经济数据和工作八大重点4-4

摘要：国务院总理3月5日在十一届全国人大三次会议上所作的政府工作报告中，提出了2010年中国经济的10个关键数据和今年工作八大重点是：

国家质检总局拟出台家电召回制度4-4

摘要：国家质检总局法规司司长刘兆彬日前表示，家用电器的召回制度有望在2010年年底出台。据介绍，目前家用电器召回制度草案已经拟定。其中规定，在中国境内生产、销售的消费类电子电气产品，因设计、生产、指示等方面的原因而在某一批次、型号或类别的电子电气产品中普遍存在的，具有同一性的危及人体健康和人身、财产安全的不合理的危险，经确认电子电气产品存在缺陷的，生产者应当立即停止生产、销售，主动召回缺陷产品，并向所在地的省级产品质量监督部门报告。

电子元件与材料杂志研究与试制

In2O3掺杂Bi0．5（Na0．82K0．18）0．5TiO3无铅压电陶瓷的研究5-7

摘要：以准同型相界组成Bi0.5（Na0.82K0．18）05TiO3（BNT）为基础配方，In2O3为改性剂，研究了In2O3掺杂量对Bi05（Na0.82K0．18）0．5TiO3无铅陶瓷晶体结构和电性能的影响。XRD分析表明，所有样品的相结构均为纯钙钛矿固溶体。陶瓷的晶粒尺寸随掺杂量的增加而增加。介电常数一温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰矗和tm，在tm的介电常数εm随掺杂量的增加而下降，tf和tm都随掺杂量的增加向高温移动。当In2O3摩尔分数为0．1％时，压电性能达最大值：d33=141pC／N，kp=0．32。

成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响8-10

摘要：分别采用轧膜与流延两种成型工艺制备了SrTiO3高介单层微波陶瓷电容器材料，对比研究了两种成型工艺对其结构与性能的影响。研究表明：对于轧膜工艺而言，电容器陶瓷材料的εr和密度随着轧膜次数增加呈单峰效应，瓷料脱辊后轧膜70次左右可获得表面平整、结构致密、介电性能良好的电容器陶瓷材料。和流延工艺相比，轧膜工艺制备的电容器陶瓷材料εr较大，电容量温度变化率较小。

电子元件与材料杂志综合信息

南通江海自行研制开发高可靠铝电解电容器10-10

摘要：2010年1月23日，江苏省南通市科技局组织有关专家对南通江海电容器股份有限公司自行研制开发的CD13H型超高压（600V）高可靠铝电解电容器进行了科技成果鉴定。

电子元件与材料杂志研究与试制

BaO-3TiO2微波介质陶瓷的H3BO3掺杂改性研究11-13

摘要：为实现低温烧结，采用固相反应法制备了H3BO3掺杂改性的BaO-3TiO2微波介质陶瓷，研究了H3803掺杂量对其烧结温度和介电性能的影响，并与H3803掺杂改性的BaTi4O9陶瓷进行了对比研究。结果表明，H3BO3掺杂能使BaO-3TiO2陶瓷的烧结温度降低到950℃，原因是烧结过程中形成了熔点约为899℃的液相BaB2O4。当掺杂质量分数为3％的H3BO3时，制备的BaO-3TiO2微波介质陶瓷具有良好的介电性能：εr=34．1，Q·f=9000GHz（4．0GHz），略优于H3BO3掺杂改性的BaTi4O9陶瓷。

Nd2O3和Sm2O3掺杂钛酸锌介电陶瓷的结构与性能14-17

摘要：为了改善ZnTiO3介电陶瓷的性能，研究了Nd2O3和Sm2O3掺杂对ZnTiO3陶瓷结构与介电性能的影响，借助TEM型同轴谐振器测量陶瓷的微波介电性能。研究表明，掺杂Sm2O3形成新相Sm2Ti207，少量Sm2O3掺杂能有效抑制ZnTiO3分解；掺杂Nd2O3形成新相Nd2Ti207和Nd4Ti9024；Nd2O3和sm2O3掺杂均能提高谐振器的无载Q值，且Nd2O3的掺杂效果优于Sm2O3：Nd2O3掺杂能使陶瓷的才从正值向负值变化，通过调整Nd2O3掺杂量（质量分数5％～10％），可获得τf才近零、无载Q值大于260的陶瓷组成，可用于制备分米波段的滤波器。

钨青铜SrxBa1-xNb2O6陶瓷的制备及介电性能研究18-21

摘要：以SrCO3、BaCO3和Nb2O5为原料，采用传统固相法制备了SrrBa1-xNb2O6（SBN，x=0．49-4）．56）无铅压电陶瓷．研究了SBN陶瓷组分及烧结温度对其相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表明，所有陶瓷组分在1380℃下烧结均可获得钨青铜结构单相。随着x值的增大，陶瓷致密化速度减慢，晶粒生长趋向均匀，介电性能提高，居里温度向低温方向移动。借助居里外斯公式证明了所有陶瓷组分均为典型的弛豫型铁电体。

Nb2O5对氧化铝陶瓷显微结构及性能的影响22-24

摘要：研究了SiO2-MgO—CaO—BaO—TiO2-WO3烧结助剂作用下Nb2O5对氧化铝陶瓷性能和显微结构的影响（烧结温度1350℃），并用扫描电子显微镜观察了不同Nb2O5含量的氧化铝陶瓷的显微结构。结果发现：未加入Nb20s时氧化铝的抗弯强度为365MPa，加入质量分数为0．4％或0．6％的Nb2O5后氧化铝陶瓷中晶粒出现异向生长，抗弯强度明显提高，超过400MPa。

低压TiO2系压敏陶瓷的伏安特性实验分析25-27

摘要：采用耗尽层近似理论，分析了低压TiO2系压敏陶瓷在直流偏压下的伏安特性，并对ZnO、TiO2和SrTiO3系三种压敏陶瓷的伏安特性进行了测试、分析和比较。结果表明，在晶界势垒不太高（一般为零点几电子伏）及品界电场强度不太大（约10^6V／m量级）的情况下，TiO2系压敏陶瓷晶界的电子传输机制不同于ZnO系压敏陶瓷，而与SrTiO3系压敏陶瓷的导电机制相似，属于肖特基热电子发射机制。

La2O3掺杂WO3纳米粉体的制备及气敏性能28-31

摘要：以胶溶法制备的WO3和sol-gel法制备的La2O3为原料，采用固相研磨法制备了掺杂剂质量分数w（La2O3）为0．5％～7．0％的La2O3-WO3纳米粉体，利用XRD、TEM等测试手段分析了粉体的微观结构，采用静态配气法测试了由所制粉体制成的气敏元件对丙酮的气敏性能。结果表明，制得的La2O3-WO3纳米粉体结晶良好，平均粒径为60nm；当工作电压为4．5V，w（La2O3）为5．0％时，粉体在600℃下烧结制得的气敏元件对体积分数为50×10^-6的丙酮的灵敏度可达37．6，响应时间和恢复时间分别是1S和11S。

聚噻吩／WO3复合纳米材料的制备及气敏性能32-34

摘要：采用水合肼法制备WO3粉体，再以无水FeCl3作氧化剂，通过原位化学氧化聚合制备了不同聚噻吩（PTh）掺杂量的PTh／WO3复合纳米材料。并研究了用其制备的气敏元件的气敏性能。结果表明：气敏元件对H2S和NOx有较高的灵敏度和较好的选择性。用质量分数w（PTh）为5％的PTh／WO3复合纳米材料制备的气敏元件，在加热电压为2．25V时，对体积分数φ（NOx）为5×10^-6的灵敏度可达77．14；用w（PTh）为20％NPTh／WO3复合纳米材料所制之气敏元件，在加热电压为2．43V时，对妒（H2S）为20×10^-6的灵敏度达63．27。

葡萄糖辅助水热法制备球形CaTiO335-37

摘要：以CaCl2、TiCl4和NaOH为原料，在葡萄糖存在下用水热法制备了球形CaTiO3粉体。研究了合成条件对CaTiO3粉体结构和形貌的影响。XRD、SEM分析表明：添加葡萄糖后纯CaTiO3形成的温度由100℃提高到160℃以上，最佳制备条件是反应温度200℃，反应时间2h，c（葡萄糖）为1．25mmol／L，c（NaOH）为0．5mol／L。在此条件下可获得结晶性很好、粒径分布为200-300nm的球形CaTiO3粉体。该粉体高温煅烧后，产物的形貌和粒度变化不大，并保持了良好的分散性。

片式电容器分布参数测算方法的研究38-40

摘要：采用矢量网络分析仪测量片式电容器的S参数、射频电路设计模拟仿真软件和Y参数二端口网络模型提取等效串联电路的C、L、R参数，研究了片式电容器在射频电路中的分布参数，并由此计算出不同频率下片式电容器的Q值。结果表明：该方法能够准确地得出片式电容器在射频电路中的分布参数，并能反映出片式电容器的频率特性。

超级电容器新型复合电极材料MnO2／活性MCMB的研究41-44

摘要：以Mn（NO3）2、活性中间相碳微球（活性MCMB）为原料，采用KBrO3氧化法，成功制备了MnO2／活性MCMB新型复合电极材料；以该材料制成电极，并以质量分数为30％的KOH溶液为电解液，组装成扣式电容器。通过XRD和SEM分析了MCMB，活性MCMB及MnO2／活性MCMB的晶相结构和表面形态；采用循环伏安、交流阻抗和恒流充放电法研究了电容器的电容性能。结果表明：以MnO2／活性MCMB复合电极制成的电容器电容性能优良。在0．5A／g电流密度下，其充放电曲线表现出典型的电容行为，初始比容量高达403．5F／g，相应能量密度为12．5Wh／kg；其循环伏安曲线关于零电流线对称，呈现为较规则的矩形；其等效串联电阻约为0．7Ω。

氮化硅薄膜MIM电容器的制备与性能研究45-47

摘要：在被釉氧化铝陶瓷基片上，采用真空电阻蒸发法和等离子体增强化学气相沉积法制备了Au／NiCr电极薄膜及氮化硅（siM）介质薄膜，并对薄膜进行光刻图形化，制成了Au／NiCr／SiNx／Au／NiCr结构的MIM电容器。研究了所制电容器的介电性能、介温性能和I-V矿特性等电学性能。结果表明：所得MIM电容器具有很低的介电损耗（1MHz时tan6为0．00192）及很高的电压稳定性；在-55～＋150℃的范围内其1MHz时的电容温度系数为258×10^-6／℃：另外，其^矿特性曲线显示出较好的对称性，漏电流密度较低，可承受较高的电压。

三种典型Sn-Ag-Cu无铅钎料的组织和性能研究48-50

摘要：对比研究了三种典型标称成分的Sn-Ag-Cu钎料（即日本JEIDA推荐的sn-3．0Ag-0．5Cu、欧盟IDEALS推荐的Sn．3．8Ag-0．7Cu和美国NEMI推荐的Sn-3．9Ag-0．6Cu）的显微组织特征、熔化特性、润湿性以及钎焊接头微焊点的力学性能等。结果表明，三种钎料的组织和性能非常接近。然而从性价比等方面综合考虑，Sn-3．0Ag-0．5Cu为三种钎料中最具优势的替代传统Sn-Pb钎料（共晶和近共晶钎料）的无铅合金。