电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2010年第01期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

Cr2O3掺杂TiO2纳米粉体的制备及气敏性能研究1-3

摘要：以钛酸四丁酯、硝酸铬为原料,采用sol-gel法制备了w（Cr2O3）为0~30%的Cr2O3-TiO2纳米粉体。利用XRD、TEM等测试手段分析了粉体的微观结构,采用静态配气法测试了由所制粉体制成的气敏元件对乙醇、CO、NO2等气体的气敏性能。结果表明：用该法得到的粉体材料颗粒粒径小,且均匀;工作电压为4.0 V时,由w（Cr2O3）为20%的粉体在800℃烧结制得的气敏元件对体积分数为30×10–6的乙醇的灵敏度最高可达282,且具有较好的响应–恢复特性,响应时间和恢复时间分别是10 s和24 s。

锰（Ⅱ）化合物对二氧化锰结构及电化学性能的影响8-10

摘要：采用氧化还原水热法合成二氧化锰。研究了在氧化剂及反应温度等条件相同的情况下,不同反应时间和还原剂对二氧化锰晶型及电化学性能的影响。通过对产物进行XRD分析发现,还原剂为MnSO4时,仅生成单相α-MnO2;而在Mn（NO3）2和MnCl2溶液中,随着反应时间由2～24 h增加到48 h,产物由含有γ-MnO2的α-MnO2转变为单相β-MnO2。对反应时间为12 h生成的二氧化锰进行了循环充放电测试。结果显示,在Mn（NO3）2和MnCl2溶液中生成的含有γ-MnO2的α-MnO2,其初次放电容量分别为203和186.3 mA.h/g,均比在MnSO4溶液中生成的单相α-MnO2的容量140 mA.h/g高;7次循环充放电后,在Mn（NO3）2,MnCl2和MnSO4溶液中生成的MnO2的容量分别保持在初次放电容量的51%,54%和49%。

硫掺杂对ZnO热电性能的影响11-14

摘要：采用固相反应法制备了ZnO1-xSx块体材料（0≤x≤0.05）;通过对样品X射线衍射谱（XRD）、电导率和Seebeck系数的测量,研究了S掺杂对ZnO晶体结构及热电性能的影响。结果表明：所有试样均为六方纤锌矿结构。在573 K时,ZnO1-xSx（0〈x≤0.05）材料的电导率（1 723 S.m–1）比ZnO材料的电导率（3.02 S.m–1）大得多,同时二者的Seebeck系数相差较小。在1 073 K下,试样ZnO0.97S0.03具有最高的功率因子2.5×10–4 Wm–1K–2,是同温度下未掺杂ZnO功率因子的10倍。

电子元件与材料杂志综合信息

美利用纳米技术生产生物燃料14-14

摘要：据报道，美国路易斯安那理工大学日前发表新闻公报说，该大学研究人员在生产生物燃料工艺过程中采用纳米技术，从而大大节省了生产成本。

中国首创太阳炉精炼多晶硅技术14-14

摘要：利用新型太阳炉生产太阳能级高纯硅,这项由中国科学院理论物理研究所特聘研究员陈应天教授开发的技术引起了业内人士的广泛关注。中国科学院院士何祚庥表示,这项世界首创的技术将使高效廉价冶炼高纯硅成为现实,可望大幅降低光伏发电成本。

电子元件与材料杂志研究与试制

SrBiFeO基NTC陶瓷的制备及其电性能研究15-17

摘要：以Bi2O3、Fe2O3和SrCO3为主要原料,采用传统固相法制备出具有NTC特性的SrBiFeO（SBF）陶瓷。研究了该陶瓷的物相结构、断面形貌及电性能。结果表明：试样由BiFeO3、SrFeO3-x和三方晶系的Sr2.25Bi6.75O12.38相组成,试样的室温电阻率ρ25随Fe2O3掺杂量的增加呈现先减小后增大的趋势,而B25/85值却呈现单调递增趋势,陶瓷试样SBF30即：n（Bi2O3）：n（SrCO3）：n（Fe2O3）=50：70：15时具有较好的NTC特性,ρ25为1.192×103Ω.cm,B25/85值为3 604 K。

掺钇（Ba,Sr,Ca）TiO3纳米粉体及细晶陶瓷的制备与性能18-21

摘要：采用sol-gel法制备了Y3＋掺杂Ba0.90Sr0.08Ca0.02TiO3（BSCT）纳米粉体及细晶陶瓷。通过TG-DTG、XRD、SEM和TEM对样品结构及形貌进行了表征,并测试了陶瓷的介电性能。研究表明,Y3＋掺杂BSCT纳米粉体主要为立方相BaTiO3,烧结后陶瓷晶粒尺寸在0.68~2.24μm可控,Y3＋掺杂可以抑制陶瓷晶粒的生长,使陶瓷的tC向低温方向移动。随Y3＋掺杂量的增大,陶瓷的介电温谱εr-t趋于平缓,当x（Y3＋）为7.0%时,陶瓷的室温εr大幅度提高到9 176。

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高导性碳纳米管可转换为半导体21-21

摘要：据报道,近日,美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式,可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管,这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

电子元件与材料杂志研究与试制

Ca-B-Si掺杂对Ba（Mg1/3Nb2/3）O3陶瓷介电性能的影响22-24

摘要：采用传统电子陶瓷工艺合成了Ca-B-Si（CBS）玻璃掺杂的Ba（Mgl/3Nb2/3）O3微波介质陶瓷,研究了CBS掺杂量对陶瓷微波介电性能的影响。结果表明：CBS掺杂可促进陶瓷烧结并提高B位1：2有序度,进而降低微波介质损耗。当w（CBS）=3%时,陶瓷烧结温度由纯相时的1 500℃以上降至1 250℃,表观密度提高到6.32 g/cm3以上,陶瓷的微波介电性能达到最佳值：εr=26,Q.f=67 800 GHz（8 GHz）,τf=25×10–6/℃。该陶瓷有望成为用于高频段微波器件的材料。

同质缓冲层厚度对掺铝氧化锌薄膜性能的影响25-27

摘要：室温下,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备具有同质缓冲层的ZnO∶Al（AZO）薄膜。用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针探测仪等对薄膜的结构和光电性能进行了研究。结果表明：当薄膜总厚度为400 nm时,制备具有66 nm同质缓冲层的AZO薄膜的方块电阻为26Ω.□–1,与单层AZO（400 nm）薄膜的方块电阻（63Ω.□–1）相比,下降了59%,其在可见光范围内的平均透过率为91%。

非晶ErAlO高k栅介质薄膜的制备及性能研究28-31

摘要：采用射频磁控溅射法在p型Si（100）衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3（ErAlO）栅介质复合氧化物薄膜。研究了ErAlO薄膜的结构及电学特性。XRD测量显示,ErAlO薄膜具有良好的热稳定性,样品经过900℃氧气氛退火30 min后仍保持非晶态结构。AFM照片显示,其表面粗糙度小于0.2 nm,平整度良好。ErAlO栅MOS结构在氧分压为1%时,薄膜的有效相对介电常数为9.5,外加偏压（Vg）为–1 V时样品的漏电流密度为7.5×10–3 A/cm2。非晶ErAlO薄膜是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质候选材料。

磁场退火对FePt/Ag薄膜磁性能的影响32-34

摘要：采用磁控溅射法室温沉积获得FePt/Ag薄膜,然后在500℃下,于真空磁退火炉中对薄膜进行退火处理。利用XRD和振动样品磁强计（VSM）,研究了磁场退火对薄膜结构和磁性能的影响。结果表明,500℃零磁场退火获得了矫顽力为0.763 4 MA.m–1、平均晶粒尺寸21 nm的L10-FePt薄膜。磁场提供了FePt成核生长的驱动力,0.8 MA.m–1磁场退火后FePt的平均晶粒尺寸为26 nm,矫顽力增大至0.804 3 MA.m–1。非磁性Ag的掺杂可有效抑制磁性FePt晶粒的团聚生长。

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比亚迪投资扩建锂离子电池隔膜项目34-34

摘要：据报道，10月22日，中国电池和汽车生产商比亚迪股份落实与在深交所挂牌的佛山塑胶集团股份有限公司合资扩建锂离子电池隔膜项目，涉资的总投资额约1．05亿元。

金川集团携手湖南科力远向新能源领域迈进34-34

摘要：据报道,镍氢二次电池作为可循环利用的新兴能源材料发展迅猛,市场前景广阔。10月16日上午,金川集团有限公司与湖南科力远新能源股份有限公司在兰州签署合作框架协议,就镍氢二次电池、动力电池等产品开发进行全面合作,将产业链伸向新能源领域。

电子元件与材料杂志研究与试制

在共面波导上加载集总电容电感制备单负材料35-38

摘要：为了探索实现单负材料的方法,研究了在共面波导上加载集总电容和电感元件制备单负材料。首先通过理论分析和微波实验,证实了在共面波导上周期性地加载集总电容和电感元件能够实现两种单负材料（电单负材料和磁单负材料）。然后,针对该制备方法,进一步研究了加载电容电感周期性的破坏及加载电感对称性的破坏对单负带隙的影响。结果表明：周期性的破坏对单负带隙基本没有影响;对称性被破坏后,如果电感分布在共面波导中心导带的两侧,仍然能够获得单负材料。

电子元件与材料杂志综合信息

长春应化所制备出高效免退火聚合物太阳能电池器件38-38

摘要：据报道,近日,中国科学院长春应用化学研究所研究员杨小牛等科研人员发明的＂一种聚合物太阳能电池的制备方法＂专利获得了国家知识产权局授权。

电子元件与材料杂志研究与试制

耐高温BNT-BT陶瓷电容器的制备及性能研究39-41

摘要：采用氧化铋、碳酸钠、二氧化钛和钛酸钡为原料,制备了0.05Na0.5Bi0.5TiO3-0.95BaTiO3（BNT-BT）二元体系陶瓷。研究了BiNbO4和Nb2O5掺杂量对BNT-BT陶瓷的介电性能和容温变化率的影响。结果发现,对BNT-BT陶瓷掺杂摩尔分数为3.0%的BiNbO4和4.0%的Nb2O5时,获得了在–55~＋200℃容温变化率都在±15%以内,且常温1 kHz下εr为1 297,tanδ为1.25×10–2的高稳定性、高性能MLCC。

AlCl3溶液浸泡对非铬酸系铝箔化成速度及比电容的影响42-44

摘要：在室温下,先用NaOH溶液对非铬酸系高纯阳极铝箔进行预处理,再用0.1 mol/L的AlCl3溶液浸泡20 min,然后对铝箔进行腐蚀,清洗及化成。研究了AlCl3溶液浸泡对铝箔化成速度及化成箔比电容的影响。结果显示：在530 V电压化成时,与普通铝箔相比,经AlCl3溶液浸泡过的铝箔的化成时间缩短约了3 min,化成箔的比电容提高了大约4.6%,达到0.612×10–6 F.cm–2。