电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2009年第12期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

N掺杂纳米TiO2的制备及光催化性能研究1-4

摘要：以盐酸羟胺为N源，按r（盐酸羟胺：钛酸四丁酯）分别为1：2，1：1，3：2，2：1和3：1掺杂，采用sol—gel法一步制备N掺杂纳米TiO2。研究了焙烧温度和N掺杂量对样品晶相结构及其在紫外光和紫外-可见光下对罗丹明B光催化活性的影响。结果表明，增大N掺杂量可抑制样品由锐钛矿相向金红石相转变。r（盐酸羟胺：钛酸四丁酯）为2：1时，样品经500℃焙烧后对罗丹明B的紫外光催化降解率1h内达54．81％，样品经600℃焙烧后对罗丹明B的紫外-可见光催化降解率2h内可达99．13％。

Ca0．3（Li0．5Sm0．5）0．7TiO3微波介质陶瓷低温烧结研究5-8

摘要：采用固相反应法，以Ca0.3（Li0．5Sm0．5）0.7TiO3（CLST-0．7）陶瓷为基料，掺杂质量分数为10％的CaO—B2O3-SiO2（CBS）氧化物和2％～6％的Li2O—B2O3-SiO2-CaO—Al2O3（LBSCA）NN料为复合烧结助利，研究了LBSCA掺杂量对CLST-0．7陶瓷的低温烧结行为及微波介电性能的影响。结果表明，复合烧结助剂掺杂促使CLST-0．7陶瓷烧结温度降低了200～300℃，并保持良好的微波介电性能。掺杂质量分数10％CBS和4％LBSCA的CLST-0．7陶瓷经950℃烧结5h后，其εr=71．84，Q·f=1967GHz，τf=41．7×10^-6／℃。

纯钛酸镁的制备及改性研究9-11

摘要：按照非化学计量比配料，采用固相反应法制备了纯MgTiO3粉体，并在MgTiO3粉体中掺入CaTiO3以调节MgTiO3陶瓷的介电常数温度系数τε，掺入Nd2O3或CeO2改善其Q·f值、绝缘特性及微观形貌。结果表明：MgO与TiO2按照摩尔比1．03：1：00配料并提高预烧温度至1100℃，可以消除杂相得到高纯度MgTiO3粉体。最终获得了εr=17．8，Q·f=65000（7GHz），τε=±10^-5／℃，ρ=9．5×10^12 Ω·cm的MgTiO3微波介质陶瓷。

低介低损耗CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃性能研究12-15

摘要：采用高温熔融-水淬法制备了CaO—B2O3-SiO2系微晶玻璃。通过烧结点实验仪、梯温炉、DTA、XRD对其烧结性能、析晶性能、致密性及介电性能进行了研究。结果表明：可应用于LTCC基板材料的微晶玻璃组成为：x（SiO2）为18．0％、x（CaO）为36．8％、x（B2O3）为45．2％；该微晶玻璃在723℃附近开始软化，771℃析出硼钙石晶体；经850℃烧结1h后得到的微晶玻璃样品具有良好的介电性能（1MHz）：εr为4．67，tanδ为0．71×10^-3。

SnO2-LiZnVO4系湿敏元件电容特性分析16-18

摘要：采用共沉淀法制备SnO2-LiZnVO4系湿敏材料，研究了LiZnVO4的掺杂量对材料湿敏电容的影响。结果表明：LiZnVO4的掺杂量，环境的相对湿度（RH）、测试信号频率对湿敏电容有较大影响。当x（LiZnVO4）为10％时，可使材料具有合适的低湿电容和灵敏度。在100Hz下，当环境的RH从33％上升到93％时，SnO2-LiZnVO4系湿敏材料制备的湿敏元件的电容增量可达起始值的2300％，显示出较高的电容湿度敏感性。湿敏元件的电容响应时间约为54s，恢复时间约为60s。湿滞约为RH6％。

CMOS工艺制备聚酰亚胺电容型湿度传感器及其性能19-22

摘要：以正胶光刻和干湿刻蚀方法，结合CMOS工艺制备了聚酰亚胺电容型湿度传感器。研究了硅基、钼-铝栅条状电极湿度传感器的结构及亚胺化温度对其性能的影响。结果表明：相对湿度（RH）为20％。80％发生准静态变化时，该传感器的湿度一电容曲线具有较好的线性度；外界相对湿度在12％和92％间发生阶跃变化时，响应时间约为40s。

电子元件与材料杂志综合信息

首届军工电子新材料与元器件论坛22-22

摘要：大会宗旨：民技军用、民资军用、军民结合、产学研一体化 会议议题： 1．军工电子元器件在武器装备上的应用现状和发展趋势； 2．军用电子元器件的关键材料与技术（单晶、陶瓷、聚合物、复合材料、防静电材料、纳米、非晶、微晶、金属等）；

电子元件与材料杂志研究与试制

电控双调谐四阶电流模式CCCⅡ带通滤波器23-26

摘要：以传统的双调谐带通滤波器为原型，先利用CCCⅡ设计出V-I变换器、模拟电阻、接地和浮地模拟电感，再用这些基本电路模块分别代替滤波器原型中的端接电阻、接地和浮地电感等，从而设计出了电控双调谐四阶电流模式带通滤波器。讨论了弱耦合、强耦合和临界耦合三种现象。在临界耦合条件下，滤波器的中心频率为10．916080MHz，3dB带宽为2．828MHz。电路的参数可电控调谐，所有电容接地，没有无源电阻，因而适宜集成。计算机仿真与理论分析一致。

sol-gel法制备ATO薄膜的结构与光学性能研究27-29

摘要：采用sol-gel法在玻璃衬底上制备ATO（SnO2：Sb）薄膜，并用XRD、SEM、紫外-可见光谱和光致发光对薄膜进行了表征，研究了ATO薄膜的结构和光学性能。结果表明：ATO薄膜微晶晶相与SnO2一致，仍然是四方金红石结构；ATO薄膜在可见光区的透过率超过80％，当r（Sb：Sn）为0．15时，ATO薄膜的透过率最高达87％；ATO薄膜在344-380nm处有一个很强的紫外-紫光发射带，随着Sb掺杂量的增加，发射峰逐渐变强，在r（Sb：Sn）为0．25时，发射峰相对强度达302．4。

锂离子电池正极材料LiNi1／3Co1／3Mn1／3O2的合成及性能研究30-32

摘要：采用辐照凝胶法制备了锂离子电池正极用LiNi1／3Co1／3Mn1／3O2粉体材料。采用XRD、SEM和电化学充放电测试对制备材料的结构和性能进行了表征。结果表明：900℃制得的样品具有较好的层状结构，结晶性适中，电化学性能优异：其首次放电容量高达184mA·h／g（2．80～4．50V，C／10），30次循环后的容量保持率为87．4％，表现出较好的充放电容量和循环性能，较之850，950℃煅烧样品具有最小的交流阻抗和直流阻抗。

一种S波段LTCC带通滤波器的改进设计33-35

摘要：设计了一种小型化的低温共烧陶瓷（LTCC）滤波器，该滤波器电路由电容耦合的二阶谐振腔组成。设计了该滤波器的三维多层结构，利用组件间的耦合效应，产生一个传输零点，提高了滤波器性能。仿真结果表明，该滤波器中心频率为3．41GHz，相对带宽为5．9％（200MHz），体积为3．8mm×2．8mm×0．8mm，在S波段的通讯，雷达等射频系统有广泛的应用。

ZnO薄膜紫外光敏特性及晶界势垒的研究36-38

摘要：以二水合醋酸锌为原料，采用sol-gel法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。用AFM观察表面形貌，通过测量真空条件下不同温度热处理后薄膜的I-V特性，拟合计算晶界势垒高度。研究了热处理温度对ZnO薄膜性能的影响。结果表明：经650℃热处理制备的ZnO薄膜样品具有较佳性能，结构均匀致密，粒径分布为20-32nm。在10V偏压和1．24×10^-3W／cm^2光强下，紫外光灵敏度为43．95；无光照条件下晶界势垒高度为0．079eV。紫外光照使晶界势垒高度下降为0．011eV，薄膜的紫外光灵敏度与势垒高度的相对变化密切相关。

快速退火对Pt／BST／Pt电容器结构和性能的影响39-42

摘要：采用脉冲激光沉积（PLD）法在Pt／Ti／SiO2／Si（001）基片上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜，对PVBST／Pt电容器在空气中进行400℃快速退火（RTA）处理，研究了快速退火对Pt／BST／Pt电容器的结构和性能的影响。结果表明：快速退火虽然对BST薄膜的结晶质量影响较小，但却极大改善了Pt／BST／Pt电容器的电学性能。当测试频率为100kHz、直流偏压为0V时，介电损耗从快速退火前的0．07减小到0．03，介电常数和调谐率略有增加。快速退火后负向漏电流过大现象得到了明显抑制，正负向漏电流趋于对称，在300×10^3V／cm电场强度下，漏电流密度为4．83×10^-5A／cm^2。

低压电子铝箔耐蚀性的研究与应用43-45

摘要：采用对比实验，研究了腐蚀工艺对低压电子铝箔耐蚀性的影响。当腐蚀溶液中w（HCl）为15％-25％、w（H2SO4）为10％-20％，温度为85℃，电流密度为0．40A／cm^2，腐蚀时间为3min时，铝箔腐蚀效果最佳，其耐蚀性数值（腐蚀前后质量差值与原光箔质量之比）为0．70％～0．83％。该工艺可迅速准确地判断低压电子铝箔的耐蚀性，平均每个样品所花时间仅为26min。

用AAO为模板组装磁性金属Ni纳米线阵列46-48

摘要：以多孔阳极氧化铝（AAO）为模板，采用直流电沉积的方法，制备了磁性金属Ni纳米线阵列。选用SEM、TEM、XRD等测试手段，对其微观形貌和结构进行了表征。结果表明：制得的Ni纳米线阵列排列规整、长度一致、直径与模板孔径基本一致，约为250nm，而且是结构紧密的多晶体。研究了电沉积时间对Ni纳米线长度的影响，发现电沉积时间应不超过15h。

NiO空心微球的规模化制备与表征49-51

摘要：以氨水与硝酸镍为原料，在乙醇-水介质中，采用均匀沉淀法，85℃恒温条件下，无需模板的存在和水热处理，制备出前驱体α-Ni（OH）2沉淀。该沉淀经400℃煅烧后得到NiO纳米片自组装空心微球。采用XRD和SEM对微球物相与形貌进行了表征。结果表明：该微球具有六方相结构，纳米片竖直排列在球状壳层的表面，其中纳米片大小约为2μm×2μm，厚度小于100nm。研究了乙醇对于纳米片自组装空心微球形貌形成的作用，对空心微球的自组装机理做了初步探讨。

Y^3＋掺杂ZnO压敏陶瓷的微结构和电性能研究52-55

摘要：采用两步烧结法制备了Y^3＋掺杂的（以Y（NO3）3·6H2O形式加入）ZnO压敏陶瓷，通过XRD、SEM和EDX系统研究了Y^3＋掺杂量对ZnO压敏陶瓷微结构和电性能的影响。结果表明：随着Y^3＋掺杂量的增加，电位梯度VT和非线性系数α提高，晶粒尺寸减小，施主浓度Nd和晶界态密度Ns降低，势垒宽度ω增大。当掺杂的x[Y（NO3）3·6H2O]为1．2％、烧结温度为1100℃时，ZnO压敏陶瓷电性能最好，其h为675V／mm，妫63．9，漏电流IL为2．40μA。

电子元件与材料杂志综合信息

我国成功研制千万亿次超级计算机55-55

摘要：国防科技大学成功研制出峰值性能为每秒1206万亿次的“天河一号”超级计算机。中国成为继美国之后世界上第二个能够研制千万亿次超级计算机的国家。