电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2009年第09期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制
sol—gel法制备纳米TiO2-SiO2宽带高增透膜1-4

摘要:通过模拟计算设计出一种透射比为99%、包含一层TiO2薄膜和一层SiO2薄膜的宽带高增透膜。两层薄膜均由溶胶.凝胶法制得并采用提拉法成形于玻璃基片上。对增透膜样品的透射比、表面形貌、膜厚等进行了表征,考察了提拉速度,退火温度、催化条件等对其透射比、表面均匀性的影响。结果表明:增透膜的使用提高了玻璃基片的透射比:当提拉速度为9cm/min,增透膜厚约为255nm时,基片在400-800nm波段的透射比提高了7%。控制退火温度,可以使增透膜在某些波段的透射比增强。增透膜样品的表面均匀性良好,室温下膜层的均方根表面粗糙度(RMS)为1.682,平均粗糙度(RA)为1.208,在550℃的温度以下,随着退火温度升高,表面粗糙度降低。

掺Sm^3+的WO3纳米粉体的制备及其NO2气敏性能5-7

摘要:通过固相研磨法制得了一系列掺有Sm^3+的WO3纳米粉体,利用XRD、TEM等测试手段,对其物相、结构进行了表征。结果表明:掺Sm^3+的WO3纳米粉体结晶良好,平均粒径为50nm。利用该纳米粉体制成气敏元件,并采用静态配气法测试了元件的气敏性能。研究发现:当掺杂x(SmSm^3+)=0.5%时,元件在160℃下对体积分数为30×10^-6的NO2气体的灵敏度高达169,响应时间为8s,是一种较为理想的低温NO2气敏元件。

致密扩散障型氧传感器扩散机理的研究8-11

摘要:为研究致密扩散障型氧传感器的扩散机理,采用ScSZ基电解质和La0.8Sr0.2MnO3(LSM)混合导体材料,利用Pt浆粘结法,制备了致密扩散障型极限电流氧传感器,并分别测试了其在φ(O2)为0.81%-22.43%及温度873-1023K时的电流-电压曲线。通过实验分析,极限电流IL与φ(O2)的关系更符合Knudsen扩散模型,建立在固体离子扩散方式下的理论,可对IL与温度T之间呈现出来的规律进行合理的解释。

电子元件与材料杂志综合信息
2009年度国家科技进步奖初评结束元件两个项目榜上有名11-11

摘要:根据国家科学技术奖励工作办公室六月二日的公告(第51号),2009年度国家科学技术奖励初评工作已经结束,元件行业有两个项目获得2009年度国家科技进步奖,他们是浙江正原电气股份有限公司参与的《低温共烧片式多层微波陶瓷微型频率器件产业化关键技术》(序号37);中国电子科技集团公司第二十六研究所、中电科技德清华莹电子有限公司参与的《移动通讯用滤波器关键技术及产业化》(序号83)。该结果已在科技部网站公布。

电子元件与材料杂志研究与试制
纳米MnO2的水热合成及其在LiPF6中的电容行为12-14

摘要:以硫酸锰和次氯酸钾为主要原料,在酸性条件下水热合成了MnO2纳米丝球。通过XRD和SEM分析了MnO2的晶体结构和表面形态。应用循环伏安、恒电流充放电、交流阻抗等方法研究了该MnO2电极在1mol/L LiPF6(DMC+EC)有机电解液中,0~2.5V的电位的电容行为。结果表明:样品为α-MnO2,丝球平均直径约20μm,单丝直径约80nm,长度在3~5μm。该MnO2电极具有良好的电容性能,180mA/g电流密度下初始比容量达129.3F/g,相应能量密度为45.7Wh/kg。

TiCxN1-x涂层铝箔电极材料耐蚀性能研究15-16

摘要:通过测试极化曲线和浸泡腐蚀实验,对比分析了最佳沉积工艺下制备的TiCxN1-x涂层铝箔与腐蚀化成法制备的铝箔的耐蚀性能。结果表明,在酸性腐蚀溶液中,TiCxN1-x涂层铝箔的自腐蚀电位Ecorr比腐蚀化成铝箔高50mV,而电流密度低0.914×10^-3A/cm^2,说明TiCxN1-x涂层铝箔的耐腐蚀性能明显优于腐蚀铝箔,同样,在浸泡9h后腐蚀铝箔样片已出现腐蚀贯穿,而TiCxN1-x涂层铝箔没有明显变化。

CaO-B2O3-SiO2系LTCC流延生料带研制17-19

摘要:研究了CaO-B2O3-SiO2系LTCC流延生料带的固含量对干燥收缩系数α以及生料带微观结构的影响。结果表明,生料带的艏着固含量的增加而增大,w(固含量)为40%,45%,50%和55%浆料的口分别为0.35,0.43,0.53和0.57。w(N含量)为50%的生料带上下表面颗粒分布最为均匀致密,烧成生料带的介电性能优良:ετ≈6.5,tanδ〈0.002(10GHz),适用于无源集成电路基片。

ESD应力下n阱扩散电阻的潜在损伤20-23

摘要:电阻在静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护电路中,起隔离和分压的作用。利用传输线脉冲(Transmission Line Pulsing,TLP)测试系统,在宽度为100ns的脉冲作用下,研究了n阱扩散电阻在ESD应力下的工作特性。结果表明,n阱扩散电阻在发生初次瞬态击穿(瞬态击穿电压79.0V,瞬态击穿电流1.97A)后,由于阳极n^+-n结构被破坏,内部结构已经出现潜在损伤,不再具备隔离和分压的作用。

SnAgCu无铅焊膏用活性物质研究24-29

摘要:以SnAgCu无铅焊膏铺展性能为主要指标,通过回流焊接实验,对用于助焊剂的17种有机酸活性物质进行了筛选。选取两种性能较好的有机酸配成复合活性物质,并对该活性物质的组成进行优化。用湿热试验测试焊后残留物的腐蚀性。结果表明:以羧基官能团比例为3:7的丁二酸和一元酸A混合物作为活性物质,并添加质量约0.66%的乙醇胺调整酸度,得到了pH值约为3的助焊剂;此助焊剂性能优良,可使焊点铺展率达到84%。使用含有此助焊剂的焊膏,采用回流焊接工艺在PCB板上贴装片式元件,所得焊点光亮饱满,且焊后残留物无腐蚀性,可以实现免清洗。

容量偏差对超级电容储能的影响及解决方案30-33

摘要:分析了容量偏差率对串联超级电容模块储能的影响,比较了采取均压措施前后超级电容模块的储能,鉴于现有均压方法存在的问题,设计了一套简单实用的超级电容电压均衡电路,并进行了仿真分析。结果显示:采用电压均衡措施后使储能提高了37%。所设计电路能够在2S内实现对电压的均衡,均衡精度约为4%,能有效解决超级电容充电时的均压问题。

电子元件与材料杂志综合信息
电子元件产品已基本实现17%的出口退税33-33

摘要:2009年6月3日,财政部、国家税务总局发出《关于进一步提高部分商品出口退税率的通知》(财税〈2009〉88号),其中涉及电子元件的税则号共74项,涵盖了电阻、电容器等12个专业,大部分商品出口退税率直接由14%提高到17%。按照中电元协信息中心电子元件进出口统计的范围,经过国家多次提高出口退税率后,电子元件的全部出口商品已基本实现17%的出口退税率。

电子元件与材料杂志研究与试制
掺铟钪酸铋-钛酸铅压电陶瓷的制备及电学性能34-37

摘要:采用固相反应法,制备了0.10BiInO3-(0.90-x)BiScO3-xPbTiO3(BISPTx,0.55≤x≤0.70)压电陶瓷,并对陶瓷样品的相结构,表面形貌和电性能进行了研究。结果表明,BiInO3和BiScO3-PbTiO3能够形成很好的固溶体,在1070℃烧结2h即可形成稳定钙钛矿结构的BISPTx陶瓷。当x=0.60时,BISPTx陶瓷具有优良的电学性能:d33=330pC/N,kp=0.423,tc=420℃。BiInO3的掺入可有效提高BISPTx陶瓷的tc,并提高其电阻率,降低漏导电流,使其在较高温度(300℃)下仍保持较低的tanδ(〈0.05)。

Ba-Bi复合掺杂对Y2O3·2TiO2微波介质陶瓷性能的影响38-41

摘要:采用Ba-Bi复合掺杂对Y2O3·2TiO2微波介质陶瓷进行改性,以降低其烧结温度并改善其介电性能。在固定Bi2Ti2O7掺杂量为质量分数8%的基础上,研究了BaCO3掺杂量对陶瓷微结构、烧结性能和介电性能的影响。结果表明:当w(BaCO3)为1%时,在较低的烧结温度(约1280℃)下保温2h制备了一种新型中介电常数Y2O3·2TiO2微波介质陶瓷。该陶瓷具有较好的介电性能:在1MHz下,ετ≈72.5,tanδ≈2.5×10^-3;在微波频率(5.03GHz)下,ετ=72.1,O·f值为2241.0GHz。

β-PbO八面体微晶结构的电化学还原法制备42-45

摘要:以硝酸铅溶液与盐酸为原料,利用电化学还原法合成了β-PbO八面体微晶。研究了电流密度和氯离子对产物形貌的影响,并对β-PbO八面体生长机理进行了探讨。结果表明:配备0.005mol/L的硝酸铅溶液,加盐酸调节其pH值为2-3,电流密度为(15~20)×10^-3A/cm^2,反应4min,通过电化学还原制备的产物为β-PbO八面体微晶,八面体边长为2-3μm,形状规则、表面光滑。氯离子的引入有利于PbO八面体的生成。

电子元件与材料杂志综合信息
新《专利法》提高实用新型审批门槛45-45

摘要:目前《专利法实施条例》(修订草案)以及《审查指南》已上报国务院审议,新《专利法》实施在即。从一位参与《专利法实施条例》、《审查指南》研讨会的业内人士处了解到,此次《专利法》及相关配套法规的修改,提高了实用新型的审批门槛,以鼓励企业从实用新型向发明专利方面更快地过渡。

电子元件与材料杂志研究与试制
SrFexSn1-xO3-δ陶瓷材料的微观结构和NTC特性46-49

摘要:采用传统固相反应法,制备了一种新型NTC热敏陶瓷SrFexSn1-xO3-δ(0.2≤x≤0.5)。研究了该陶瓷体系样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所有样品均为纯钙钛矿相,并且呈现典型的NTC特性;随着Fe含量的升高,SrFexSn1-xO3-δ陶瓷样品的室温电阻率急剧降低,其B25/85和激活能则呈现温和降低的趋势。当0.2≤x≤0.5时,陶瓷样品的室温电阻率,B25/85以及激活能分别处于(518.00—3.56)×10^3Ω·cm、4912~3793K和0.424~0.327eV。

电子元件与材料杂志综合信息
《企业质量信用等级划分通则》国家标准颁布49-49

摘要:从2009年11月1日起,如果一家企业在一定时期内信用风险很小,它将在质量信用等级上被授予A等;如果一家企业在一定时期内信用风险较小,它将在质量信用等级上被授予B等;如果一家企业在一定时期内信用风险较大,它将在质量信用等级上被授予C等;如果一家企业在一定时期内信用风险很大,它将在质量信用等级上被授予D等。这是国家质检总局和国家标准委最近联合的推荐性国家标准《企业质量信用等级划分通则》(GB/T23791----2009)中对企业质量信用等级作出的规定。

电子元件与材料杂志研究与试制
ZnSnO3气敏材料的溶解-热解法制备及其性能50-53

摘要:以Sn粉、Zn粉为原料,采用溶解-热解法,在草酸体系中,制备了Sn-Zn复合氧化物。通过TGA-DTA、XRD和SEM等手段,对产物的物相、形貌进行表征,并研究其气敏性能。结果表明:经700℃煅烧制得的钙钛矿结构ZnSnO3材料所制气敏元件,在工作温度为175℃时,对体积分数为50×10^-6H2S及乙醇气体有较高的灵敏度,分别为53.00,47.00;工作温度为225℃时,对体积分数为50×10^-6乙醇有较好的选择性。