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电子元件与材料 2009年第07期杂志 文档列表

冲击压力和温度老化对PZT95／5铁电陶瓷放电的影响1-4

摘要：利用轻气炮作为冲击波加载手段，分别在高冲击压力1．81，3．20和4．18GPa下，研究了低温老化、高温老化和未老化的自制Pzr95／5铁电陶瓷的短路放电i-t曲线。结果显示：由于气孔洞塌缩的影响，1．81GPa时i-t曲线存在上升沿和下降沿；3．20GPa时i-t曲线与理论设想的方波基本吻合；4．18Gpa时，由于超过了PZT95／5铁电陶瓷的Hugoniot弹性极限，i-t曲线与理论设想的方波有较大差别；温度老化对其性能有一定的影响，特别是高温老化。

添加MgLiSi玻璃对BNT陶瓷介电性能的影响5-7

摘要：采用传统固相反应法，制备了钨青铜结构BaO·Nd2O3·4TiO2（BNT）陶瓷，并添加质量分数为1％～6％的MgO·Li2O·SiO2（MgLiSi）玻璃。对其显微结构和介电性能进行了研究。结果表明：在BNT陶瓷中添加适量的MgLiSi玻璃，可以使BNT陶瓷的烧结温度从1250℃以上降低到1150℃，并提高其介电性能。当添加质量分数为4％的MgLiSi玻璃时，BNT陶瓷可获得最佳的介电性能：εr=95，tanδ=5×10^-4，击穿场强为16．7×10^3V／mm。

Bi基BNT-BKT-BiFeO3陶瓷的准同型相界和电性能8-10

摘要：采用固相反应法，制备了Bi基（1-x-y）（Bi0.5Na0.5） TiO3-x（Bi0.5K0.5）TiO3-yBiFeO3（x = 0.12-0.24, y = 0-0.07）,钙钛矿型三元系无铅压电陶瓷，研究了该陶瓷组分与其晶相结构、电性能的关系。结果表明：除x=0．24，y=0．03的组分析出第二相外，其他组分均能形成纯钙钛矿固溶体，陶瓷三方、四方相共存的准同型相界（MPB）组分范围为z=0．18-0．21，y=0-0．05。在MPB附近陶瓷具有较好的压电性能，其d33和kp在X=0．18，Y=0．03达到最大值：如3=171pC／N，b=0．366。

钠过量对铌酸钾钠基陶瓷结构及性能的影响11-13

摘要：用常规氧化物固溶法制备了 （Na0.520＋xK0.480）0.915Li0.085NbO3 （x=0—0．025）无铅压电陶瓷，研究了过量Na的掺杂量对其烧结温度、微观结构及压电性能的影响。结果表明，过量Na掺杂在烧结过程中促进液相的产生，导致样品烧结温度显著降低。室温下样品均为四方结构。随X的增加，样品的斜方一四方相变温度to-T趋向低温。当X从0．010增大到0．025时，Qm从131提高到238，tanδ和d33分别从0．034和125pC／N下降至0．012和105pcm，表明过量Na实际上起到了‘便性掺杂”的作用。

Sm0．9Sr0．1FeO3的制备及其气敏性能14-16

摘要：用sr对SmFeO3进行A位掺杂，用柠檬酸盐sol-gel法制得Sm0．9Sr0．1FeO3粉体。对其进行XRD表征，并制成气敏元件。采用静态配气法测试其气敏性能。结果表明：该粉体为斜方晶系钙钛矿结构，平均晶粒尺寸约为25nm。在空气中的电导较SmFeO3高50倍左右，最佳工作温度下降160℃。在220℃的最佳工作温度下，气敏元件对体积分数为5×10^-4乙醇的灵敏度高达56，且其选择性好，响应-恢复时间分别为40s和50s，有望开发成为对乙醇检测的气敏材料。

NTC热敏陶瓷Ni0.66Mn2.34-xCoxO4 的电性能研究17-19

摘要：采用XRD、SEM和电性能测试等手段，研究了Ni0.66Mn2.34-xCoxO4 （0〈x〈2）系列NTC热敏陶瓷的相结构和电性能参数与Co掺入量的关系。结果表明：当0〈x〈1．00时，形成尖晶石固溶体，P25和B值均随着Co掺入量的增加而降低；1．00〈x〈2．00时，尖晶石相和Co1-xNixO岩盐相共存，P25出现波动，B值则先急剧增加随后基本保持不变。尤其在1．60〈x〈2．00时，此陶瓷具有较低p25（600Ω·cm）和较高B值（4220K）。

成核／晶化隔离法制备ZnO气敏材料20-23

摘要：分别用成核，晶化隔离法和化学共沉淀法制备了ZnO纳米颗粒。用XRD、DSC—TGA表征其微结构和成相温度，静态配气法研究两种方法所制备ZnO纳米颗粒的气敏性能差异。结果表明：成核／晶化隔离法所制备的ZnO纳米颗粒相对于化学共沉淀法制备的ZnO纳米颗粒对酒精和汽油具有更好的气敏性能。290℃工作温度下，成核／晶化隔离法制备的ZnO纳米颗粒对体积分数均为50×10^-6的酒精和汽油灵敏度分别高达34和68，远高于化学共沉淀法制备的ZnO纳米颗粒的17和28。

德科学家研制出世界最快硅芯片23-23

摘要：德研制世界最快芯片，速度英特尔4倍德国卡尔斯鲁尔大学日前宣布，该校的一个国际研究小组成功研制出目前世界上最快的超速硅芯片，这种芯片可以同时处理260万个电话数据，其运算速度是目前记录保持者Intel（英特尔）芯片的4倍。

基于SETMOS的CNN结构分析及实现24-26

摘要：分析了单电子晶体管（SET）和金属氧化物半导体（MOS）的混合器件——SETMOS所具有的特性，利用补偿原理设计了细胞神经网络（CNN）结构的细胞体电路、分段线性模块、A模板和B模板电路，得到了由SETMOS构成的CNN具体电路。仿真结果表明，所设计的硬件电路结构简单，静态功耗低，约200nW，有利于进一步提高集成电路的集成度，为相关工程领域的实际应用提供了新方法。

片状FeCoZr合金吸收剂吸波性能的正交实验27-29

摘要：采用气雾化和机械球磨结合的方法制备片状FeCoZr合金磁粉吸收剂，利用正交实验综合研究了球磨时间、吸收剂粒径和含量对吸波材料在2．18GHz内吸波性能的影响。结果表明：在设计范围内，各因素对吸波材料反射损耗的影响顺序从大到小为：球磨时间、粒径和质量分数；获得的最佳工艺条件：球磨时间为15h、吸收剂粒径小于48μm及其质量分数为75％，从而实现了对吸波材料性能的优化设计．

铁基非晶软磁合金的制备及磁性能研究30-32

摘要：研究了铁基非晶（Fe1-xCox）78.4Nb2.6Si9.0B9.0CU1.0 （x=0, 0.15, 0.35, 0.55 或 0.75） 软磁合金的制备工艺及磁性能。结果表明：采用熔体快淬法制备的非晶薄带宽约3mm，厚20-0μm；最佳工艺参数为铜轮转速35m／s，熔体射流压力0．14MPa；借XRD分析了合金的相结构，发现合金薄带为非晶态；通过振动样品磁强计（VSM）测量了磁性能，其Bs大于1．00T，Hc为2．31-5．17kA0m。用畴壁钉扎效应分析了凰偏高的原因。

sol-gel法制备掺Al的ZnO薄膜及其表面形貌表征33-35

摘要：用原子力显微镜，观察了sol-gel法制备之掺Al的ZnO薄膜的表面形貌，计算了薄膜的表面高度-高度相关函数H（r）-r,并用分形表面高度-高度相关函数的唯象表达式，对薄膜表面高度-高度相关函数进行拟合。结果表明：掺Al的ZnO薄膜表面具有典型的分形特征，Al掺杂量的增加和退火温度升高，使掺Al的ZnO薄膜的表面粗糙度W从1．39增大到5．47，分形维数Df由2．12减小到2．08，水平相关长度ξ从31．25增到76．17。

脉冲激光沉积制备NiO（111）外延薄膜及其结构研究36-38

摘要：采用脉冲激光沉积法（PLD）在具有六方纤锌矿结构的蓝宝石衬底上制备了NiO外延薄膜，研究了沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。在650℃、20Pa氧分压的条件下制得了高结晶质量的单晶NiO薄膜。高能电子衍射分析发现，该NiO薄膜沿Al2O3[11-20]方向入射的衍射图像为清晰的斑点，说明NiO薄膜的生长模式为岛状模式，薄膜与衬底的外延匹配关系为：（111）[11-2]NiO／／（0001）[11-20]Al2O3。

电解电容器高压阳极用高纯铝箔织构研究39-41

摘要：采用蚀坑法、EBSD微观取向分析法，研究了电解电容器高压阳极用高纯铝箔制备过程中的织构演变。结果表明：热轧高纯铝板织构主要类型是高斯织构、立方织构和铜织构。随着冷轧变形率的增加，冷轧织构中的立方织构含量增加，冷轧变形率为96．3％时，立方织构体积分数为14％。再结晶织构中的立方织构含量随再结晶退火温度的增加而增加，再结晶退火温度为530℃时，立方织构体积分数为86％。

2009年中国国内对MLCC的需求量将达5640亿只41-41

摘要：我国内地已是全球MLCC的主要生产与消费地之一，国内市场需求靠大量进口来满足。与此同时，国内产品也有大量出口。国内MLCC市场规模在不断高速扩大，1999年国内MLCC市场需求约280亿只，到2003年已增长到约3000亿只，约占全球需求量一半，增长超过了10倍。到2005年，中国国内对MLCC的需求量已经接近4700亿只，2006年约为6100亿只，

2009年全球NTC热敏电阻市场规模将达14．13亿美元41-41

摘要：根据智多星顾问的数据，2007年全球电阻器市场规模约达到60亿美元，估计NTC热敏电阻占据22．63％的市场份额，市场规模达到了13．58亿美元，2008年全球NTC热敏电阻市场规模达到了13．85亿美元，增长速度为2％左右，主要是因为受全球金融危机的影响，市场增长速度趋缓，估计2009年全球NTC热敏电阻市场规模将达到14．13亿美元。估计2010-2012年全球NTC热敏电阻市场规模将以5％左右的速度增长。

化成箔时间电压参数的测试精度与效率研究42-45

摘要：介绍一种化成箔上升时间（tr）、到达电压（Vt）自动测试方案，包括电压取样电路的改进、压控恒流源设计及基于Kingview实现自动测试等技术。与目前行业标准相比，该方案巧测试精度由0．5％提高到0．5‰，测试效率提高6倍；可同时测试3片样品，自动获取tr、Vp并实时显示升压曲线。经六年的实际应用证明，该方案在技术指标和自动化程度方面达到了国外同类产品先进水平，可确保质量控制更准确、更及时，大大降低了报废率与次品率，同时为企业节省大量人力成本。

新型铝电解电容器阳极箔耐水合试剂研究46-49

摘要：基于密度泛函的第一性原理计算，采用新型膦酸盐乙二胺四甲叉膦酸钠作为耐水合试剂对化成后的铝电极箔进行耐水合处理。研究了γ-Al2O3（110）面上水分子的吸附机理以及铝电极箔的耐水合性能。计算结果显示水分子在产Al2O3（110）面上的Al原子上方可发生吸附，且四面体位置上的Al原子吸附活性优于八面体位置上的Al原子。红外光谱及原子力显微镜检测表明铝电极箔耐水合性能优良。新方法处理后，升压时间从15．1s缩短到7-8s。