电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2009年第04期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

KOH浓度对水热合成Bi1．5ZnNb1．5O7纳米粉体的影响4-6

摘要：以KOH为矿化荆，用水热法合成了Bi1．5ZnNb1.5O7纳米粉体。结合负离子配位多面体生长基元模型，研究了KOH浓度对粉体物相、粒径和形貌的影响。结果表明：采用水热法可合成单相立方焦绿石结构的Bi1.5ZnNb1.5O7纳米粉体，粉体呈颗粒状。稳定生长基元的形成是影响粉体粒径的主要因素，受KOH浓度影响较大，但粉体形貌并不受KOH浓度的影响。当c（KOH）为1．8mol／L，于220℃水热反应24h，合成粉体粒径最小为51nm，比表面积最大为28．8m^2／g。

不同工序添加MgO的Ba0．6Sr0．4TiO3陶瓷及其性能7-10

摘要：通过在不同工序添加MgO，研究添加方式对Ba0．6Sr0．4TiO3（BSTO）陶瓷微观结构与介电性能的影响。结果表明：在预合成BSTO后加入MgO，样品中有明显的Ba3（VO4）2针状晶粒生成，且随MgO添加量的增多而减少；在预合成BSTO前加入MgO的样品中，该新相极少。MgO添加量相同时，在预合成BSTO前加入，样品的介电常数较低；在预合成BSTO后加入，样品的高频损耗较小，可调性较高，当添加质量分数为15％-25％的MgO，样品在10^3V/mm电场强度下的可调性均高于20％。

Nb掺杂对Bi4Ti3O12陶瓷铁电性能的影响11-13

摘要：采用固相反应法制备了Bi4Ti3-xNkO12＋x/2=0～0．090，BTN）铁电陶瓷，研究了Nb掺杂量对BTN陶瓷铁电性能的影响。结果表明，适量的Nb掺杂可显著提高材料的剩余极化强度竹，一定程度上降低矫顽场强巨，并减小BTN陶瓷的平均晶粒尺寸（1-2μm）。当x=0．045时，陶瓷的综合性能较好，即有较高的2Pr（0．27×10^-4C／cm^2）和较小的2丘（7．43×10^4V／cm），其剩余极化强度与未掺Nb的Bi4Ti3O12陶瓷相比，提高了近3．8倍。

双轴同轴型微波介质滤波器的仿真与设计14-17

摘要：在介绍双轴同轴型谐振微波介质滤波器结构及工作原理基础上，利用理论公式计算与HFSS10．0三维有限元仿真的混合设计方法，设计了满足性能要求（插入损耗为一3dB以上；-3dB带宽为18MHz以上）的微波介质滤波器。滤波器试样实际测试结果表明，该设计方法正确可行，测试结果与仿真结果有很好的一致性，最终设计出的滤波器插入损耗为-2．83dB，-3dB带宽为35MHz。

电子元件与材料杂志综合信息

大容量锂离子电容器走向实用17-17

摘要：锂离子电容器在设计上采用了双电层电容器的原理，同时又在负极添加了锂离子，从而提高了电容器的能量密度。日本旭化成电子公司和FDK公司都曾研制过在电解液中采用锂氧化物的电容器，但都没有实现产品化。转机发生在2005年，富士重工业公司公开了锂离子电容器的制造技术：电容器负极采用多并苯类材料，并在其中掺杂大量的锂离子，电容器的正极材料则仍沿用以往的活性炭。

电子元件与材料杂志研究与试制

抽头式折叠线SIR带通滤波器设计18-20

摘要：提出一种以抽头线方式输入信号的折叠线阶梯阻抗谐振器（SIR），应用低温共烧陶瓷（LTCC）叠层技术实现，可获得大的电容值，缩短谐振腔的长度，实现小型化。分析了输入线抽头的位置对滤波器性能的影响，利用等效的集总电路原理图解释了该结构易在通带右侧出现传输零点的原因。应用二级耦合SIR设计了一个尺寸为2．5mm×2．0mm×0．9mm，中心频率为2．45GHz的带通滤波器，仿真结果显示带内插损小于1．1dB。

一种新型片式LC谐振器的理论分析21-23

摘要：分析了Bi系铜氧化物的晶体结构特点，提出可以利用此晶体作为LC谐振器。计算了它的振荡频率，发现直径为2mm圆片状晶体的谐振频率在6kHz左右。影响振荡频率的主要因素为6、结构常数C和晶体曲面面积S。

热敏电阻的排列对传感器灵敏度的影响24-26

摘要：采用有限元方法，借建立微机械气流式全方位水平姿态传感器敏感元件的三维模型，计算了热敏电阻在不同排列方式和不同倾斜状态下，敏感元件内温度场和流场的分布。结果表明：当两两相对的检测热敏电阻之间的距离d改变时，温度场和流场都发生变化；两两相对的检测热敏电阻处气流速度之差△v与倾角关系曲线也随d发生变化。其中，d为900μm是热敏电阻的最佳排列方式。

金属氧化物-SnO2材料气敏与催化性能间关系27-29

摘要：通过在SnO2中分别掺杂质量分数3％的MgO、ZnO和La2O3，考察其对SnO2气敏性能和催化性能的影响，讨论了元件的选择性、灵敏度与材料催化活性间的关系。300℃时，掺杂MgO和La2O3分别使乙醇的灵敏度由11．1增加至41．5和55．2，同时乙醇的转化率由84．5％提高至91．5％和100．0％，而对甲烷的灵敏度和催化活性均无影响。表明气体反应强烈影响其灵敏度，乙醇的灵敏度与其反应的耗氧率呈近似线性关系。

BSTO／RO铁电移相材料的介电性能及应用探讨30-33

摘要：采用固相反应法制备了不同组分钛酸锶钡／轻金属或稀土氧化物（BSTO／RO）铁电移相材料。研究了该系材料的介电性能。结果表明：对于Ba0．6Sr0．4TiO3／质量分数为60％RO材料，1MHz下，εr为119，tanδ为0．001；3．37GHz下，εr为110，tanδ为0．004。3×10^3V/mm偏置场强下，介电调谐率η为12．8％。材料的介电性能基本上达到了相控阵移相器的使用要求。

PLD生长Fe3O4薄膜的微结构及磁性能研究34-36

摘要：以烧结α—Fe2O3为靶材，采用脉冲激光沉积（PLD）方法，在Si（100）基片上制备了Fe3O4薄膜。XRD分析表明，所得薄膜为立方尖晶石结构的Fe3O4，而且具有（311）和（440）择优取向；显微激光喇曼（Raman）光谱分析进一步证实薄膜中只出现单相Fe3O4；AFM分析表明，所得Fe3O4薄膜表面平整；采用VSM分析表明，Fe3O4薄膜的饱和磁化强度慨约为170kA·m^-1，而其矫顽力约为412kA·m^-1。

电子元件与材料杂志综合信息

Vishay Siliconix推出具有低导通电阻的新型P通道MOSFET36-36

摘要：Vishay宣布其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装，具备业内最低的导通电阻。

电子元件与材料杂志研究与试制

绝缘导热浆料制备和性能37-39

摘要：以低熔玻璃粉、金刚石粉及有机载体制备成浆料，丝网印刷在硬铝LY12基材上，烧结后制成导热绝缘层。分析了浆料中的金刚石粉含量对绝缘导热涂层导热参数和与基片附着力的影响，测试分析了浆料的流变性和触变性。结果表明，绝缘导热浆料的最佳配方为：w（有机载体）为18％；w（金刚石粉）为30％；w（低熔玻璃粉）为52％。静止时浆料中形成弱的絮凝，是剪切变稀体，有一定触变性，具有较好的丝网印刷适性。所制备绝缘涂层的热导率最高可达2．47W／（m·K）。

微量Ce对SnAgCu焊料与铜基界面IMC的影响40-42

摘要：配制了w（Ce）为0．1％和不加Ce的两种Sn-3．5Ag-0．7Cu焊料。在443K恒温时效，研究Ce对焊料与铜基板界面金属间化合物（IMC）的形成与生长行为的影响。结果发现，焊点最初形成的界面IMC为Cu6Sn5，时效5d后，两种焊料界面均发现有Cu3Sn形成。随着时效时间的增加，界面化合物的厚度也不断增加。焊料中添加W为0．1％的Ce后，能抑制等温时效过程中界面IMC的形成与生长，生长速率降低近1／2。并且，界面IMC的形成与生长均由扩散机制控制。

CDF型法拉级铝电解电容器的研制43-46

摘要：采用多片式和插入式引出工艺，29．4MPa高压强冷压焊关键技术，专用高性能工作电解液，正负压交替的含浸工艺和APP新材料等，研制了CDF系列法拉级铝电解电容器。其漏电流、tanδ、尺寸等指标均已达到了日本松下和Nichicon公司同类产品的水平。

电容式机电转换装置的研究47-50

摘要：采用弹力计算和产生弹力的判定方法，研究了圆平行板、球形和圆柱形电容器产生的弹力，结果表明：球形电容器产生的弹力最大，平行板电容器产生的弹力最小。在此基础上，提出了电容器圆锥台极板结构及机电转换装置的优化设计方案。该装置在电容器的两极板间填充高介电常数液体，并采用冲压及化学腐蚀极板的方法来增大电容值，该装置节能、成本低，可在实用化工作电压和小功率的场合替代电磁式机电转换装置。

电子元件与材料杂志综合信息

国巨推出全新FM芯片天线，锁定手机内建FM广播新商机50-50

摘要：被动组件领导厂商国巨公司日前推出小型化2405FM芯片天线，不但改善传统低频天线频宽较窄的缺点，将取代传统FM广播天线外接式设计，小型化低频技术再突破，净空区仅需传统天线的50％，创造出手机可直接内建FM天线的全新商机。

电子元件与材料杂志研究与试制

氧分压对PLD法生长Si（111）基ZnO薄膜性能的影响51-54

摘要：在不同氧分压下用脉冲激光沉积（PLD）法在n型硅（111）衬底上生长ZnO薄膜。通过对其进行XRD、傅里叶红外吸收（FTIR）和光致发光谱（PL）的测量，研究了氧分压对PLD法制备的ZnO薄膜的结晶质量和发光性质的影响。XRD显示，氧分压为6．50Pa时可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。PL谱显示，当氧分压由0．13Pa上升至6．50Pa时，位于380nm附近的主发光峰的强度最大。当氧分压进一步上升至13．00Pa时，主发光峰减弱，与氧空位有关的发光峰消失，显示出ZnO薄膜的PL谱和氧分压的大小密切相关。