电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2008年第12期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

我国电子级BaCO3的生产现状1-4

摘要：介绍了我国电子级BaCO3的生产方法，包括碳化法、复分解法、转化法、Ba（OH）2法及BaCl2法。重点介绍了反应机理，工艺流程，研究进展，优缺点，主要厂家及其年产量。还述及其技术标准，主要应用领域以及国内市场容量。

混合集成电路金铝键合退化与控制研究动态5-7

摘要：混合集成电路的两种金铝键合系统，有着不完全相同的两种退化模式。综述了相关的退化机理和控制方法的研究状况。金丝与芯片铝膜的Au／Al键合系统，是键合IMC、Kirkendall空洞导致其界面开裂失效；铝丝与厚膜金导体的Al／Au键合系统，除了界面开裂外，还存在键合根部因铝原子向IMC过度迁移而形成铝丝内部空洞导致铝丝断裂。采用铜丝代替金丝，可有效控制Au／Al键合系统的退化；采用过渡垫片或在金浆料中加入少量Pd，同时减少金导体膜厚度，可有效控制铝丝Al／Au键合系统的退化。

滤波连接器用陶瓷板式阵列电容器8-11

摘要：介绍了采用湿法印刷技术制作的新型抑制EMI滤波元件，即陶瓷板式阵列电容器的结构设计、制造工艺、研究现状及发展方向。该类元件主要用于滤波连接器，其特点是体积小、孔组排列密度高以及机械强度高，可实现电连接器向滤波连接器的直接转换。

电子元件与材料杂志综合信息

金融危机对电子分销业的冲击11-11

摘要：金融危机是否会使经济的“冬天”真的来临？在电子分销业界无疑是一个热点话题。记者通过对活跃在中国市场的部分电子分销商的采访，了解到他们目前大多在业务上较为稳定，从全年来看仍保持着增长的态势，在最近的第三季度也没有出现明显的下滑。但他们认为，金融危机带来的经济变化对行业的影响是必然的，明年上半年将是一个关键时期。

电子元件与材料杂志研究与试制

Ba（ZrxTi1-x）O3陶瓷的介电弛豫特性12-14

摘要：采用固相反应法制备了Ba（ZrxTi1-x）O3（x=0～0．5）陶瓷，并以Fulcher的居里．外斯定律修正方程为依据，求出各样品的弛豫常数γ，以讨论组分对其介电弛豫特性的影响。结果表明：与纯相BaTiO3陶瓷相比，Ba（ZrxTi1-x）O3陶瓷的εr峰值εm由8000（x=0）上升至15000（x=0．25）以上。该陶瓷在x=0．25附近存在着立方一四方相共存的准同型相界，由于准同型相界的高晶格活性，在弛豫特性上有了较大的提高。

PNN-PZT陶瓷流延浆料流变性能研究15-18

摘要：以体积比为7：3的丁酮和无水乙醇为混合溶剂，聚乙烯醇缩丁醛（PVB）为粘结剂，邻苯二甲酸二丁酯为增塑剂，玉米油为分散剂配制了PNN-PZT陶瓷流延浆料。研究了浆料球磨时间、固相体积分数以及各有机添加剂用量对其流变性能的影响。结果表明：当w（分散剂）为0．75％，w（粘结剂）为4．17％，球磨时间为8h，固相体积分数为75％，ζ（增塑剂：粘结剂）为0．6时，浆料流变性能良好，浆料黏度在2500mPa·s左右。

Li-Mo共掺杂Ba（Ti0．91Zr0.09）O3陶瓷的介电弛豫19-21

摘要：采用固相反应法制备了Ba1-xLix（Ti0.91Zr0.09）1-yMoyO3陶瓷，并研究了Li—Mo共掺杂对其相结构和介电性能的影响。结果表明：当x〉0，y=0时，陶瓷为单一的四方钙钛矿结构；当x=0，y〉0或x=y〉0时，陶瓷出现第二相BaMoO4。在-30～＋130℃，Li—Mo共掺杂时，陶瓷具有铁电-顺电弥散相变特征，随着频率的增加，介电常数峰值对应的温度tm移向高温，陶瓷由正常铁电体变成弛豫铁电体。

电子元件与材料杂志综合信息

《电子元件与材料》再次被评为中文核心期刊21-21

电子元件与材料杂志研究与试制

铅系PTCR生产过程中产生斑点的原因浅析22-24

摘要：采用SEM及EDS，观察和分析了PTC热敏陶瓷（PTCR）生产过程中，瓷体表面斑点的微观形貌及微区化学成分。结果表明：异常区域中，w（Pb）较正常区域高0．1％以上，该区域晶粒尺寸为10—20μm，明显大于正常区域晶粒（5-10μm），且其斑点处的室温电阻值大于正常区域。对其形成原因进行分析，并提出了相应的解决措施。

Al掺杂SnO2材料的NTC热敏特性的研究25-26

摘要：利用共沉淀方法制备了Al掺杂SnO2材料。并通过XRD与R-t特性测试仪，研究其相结构与R-t特性。结果表明：600℃煅烧获得了高纯、四方相的Al掺杂SnO2，其晶粒度为9.8nm；且具有良好的NTC效应，材料常数为4484K。利用半导体热力学理论讨论了Al掺杂SnO2材料的NTC特性机理。

棒状氧化锌的“绿色”水热合成及其气敏性能27-29

摘要：以ZnCl2为原料，P123为形貌控制剂，采用水热合成技术制备了棒状氧化锌。通过XRD、SEM和TEM对其物相和形貌进行了分析，并测试了气敏性质。结果表明：重复利用滤液，得到的氧化锌形貌一致，直径约300nm，长度约10μm，且在170℃左右对体积分数为0．001％的乙醇、氨气、丙酮和氢气等还原型气体均有很好的响应，灵敏度也相当。

电解电容器铝箔横向隧道孔的生长控制30-32

摘要：在酸性介质中已经产生隧道孔的铝箔表面，继续在中性电解液中采取直流阳极溶解时，隧道孔密度及长度与二次侵蚀时电解质类别相关。在此基础上，通过二次侵蚀前铝箔表面的酸浸泡成膜处理，以及二次侵蚀过程中在中性氯化钠介质中添加复合有机物，达到控制此过程中隧道孔生长方向的目的，使其在原隧道孔的孔壁沿着与铝箔表面平行的方向产生新的隧道孔，这为提高铝箔表面积提出了新的途径，为进一步提高铝电解电容器比容提供了可能性。

电子元件与材料杂志综合信息

超级电容器产业化脚步加快市场前景广阔32-32

摘要：在超级电容器的产业化方面，美国、日本、俄罗斯、瑞士、韩国、法国的一些公司凭借多年的研究开发和技术积累，目前处于领先地位。如美国的Maxwell，日本的Nec、松下、Tokin和俄罗斯的Econd公司等，这些公司目前占据着全球大部分市场。

电子元件与材料杂志研究与试制

聚吡咯热稳定性的改善及其在电容器中的应用33-35

摘要：采用化学聚合法合成了聚吡咯（PPy），并以此制作了固体铝电解电容器，研究了对硝基苯酚（p-NPh）的添加量对PPy的电导率及热稳定性的影响，以及与少量聚乙烯醇（PVA）复合后产物的性能变化。结果表明，在x（p-NPh）为0．15mol／L的条件下，聚合产物的电导率约为11．55S／cm，热稳定性最好。含质量分数5％PVA的复合物为絮状颗粒，以其制作的电容器的耐热性有较大改善，初始Res为28．1mΩ，经过150℃／1h处理之后为51．4mΩ。

铝基板表面氧化铝层分子自组装活化法镀铜36-39

摘要：采用分子自组装活化法在铝基板表面氧化铝上实施化学镀铜，镀层有很好的剥离强度，通过SEM、EDS和离子色谱对其进行了表征。研究了硅烷化时间与基体表面硅烷修饰量的关系，浸钯时间对基体表面钯含量的影响，硅烷化时间对镀层剥离强度的影响。通过正交试验得到最佳工艺条件：硅烷化处理用3-氨基丙基三乙氧基硅烷，质量分数为0．4％，硅烷化时间12h、温度50℃、浸钯溶液活化时间30min、30℃；得到的镀铜层剥离强度为1．00。

电子元件与材料杂志综合信息

《铝电解电容器专辑》（六）诚邀合作39-39

电子元件与材料杂志研究与试制

正交试验研究制备工艺对片状银粉性能的影响40-42

摘要：采用正交试验法，分析了前驱体球状银粉的制备及球磨工艺对最终片状银粉性能的影响。经优选得出的工艺参数组合是：硝酸银初始质量浓度为60g／L，水合联氨初始质量浓度为80g／L，ζ（十二烷基硫酸钠：硝酸银）为0．2％等。该工艺参数组合制备的片状银粉性能很好，比表面积达0．697m^2／g，方阻为3．2mΩ／α。

退火温度对铁基纳米晶带材高频磁导率的影响43-46

摘要：采用单线圈法，利用Agilent E4991A射频阻抗，材料分析仪，研究了退火温度对铁基纳米晶带材的高频磁导率的影响。结果表明：经550℃退火处理的30μm厚样品磁导率实部，随频率增加而减小，在1MHz下为1210，在20MHz下为234，磁导率虚部有类似的变化趋势；比较了30μm厚样品经不同温度退火处理后磁导率的测量结果，得出550℃是一个比较理想的退火温度。