电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2008年第11期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

高介高稳定性BaTiO3基铁电陶瓷研究进展1-3

摘要：针对BaTiO3基铁电陶瓷材料的特点，介绍了提高其介电常数和温度稳定性的途径，综述了高介高稳定性BaTiO3基铁电陶瓷材料的研究现状。指出随着电子整机向着微型化的方向发展，介电瓷粉材料也向着高介电常数、高稳定性的方向发展，并提出了解决此问题的思路。

电子封装热管理的热电冷却技术研究进展4-7

摘要：电子封装器件中芯片的散热问题一直是制约其发展的瓶颈。综述了芯片的产热特征、散热需求与散热方式。对热电冷却（TEC）技术在芯片散热系统上的应用进行分析，指出了其不足之处与特有的优势。对热电冷却技术在芯片热管理方面应用研究的现状与进展进行了总结评述。

纳米氧化物薄膜紫外光照下气敏性能研究进展8-11

摘要：介绍了金属氧化物薄膜电极的制备方法与过程，阐述了紫外光作用于金属氧化物半导体的光照机理。基于实际应用和市场需求，就有关光照后金属氧化物薄膜的气敏性能的研究现状进行了探讨，并展望了其今后的应用与研究方向。

电子元件与材料杂志研究与试制

CaTiO3的水热制备及其晶粒形貌研究12-14

摘要：以无水CaCl2、TiCl4和NaOH为原料，用一步水热法合成了CaTiO3晶体粉末。研究了反应温度、反应时间和NaOH初始浓度等水热条件对CaTiO3产物结构和形貌的影响。结果表明：100℃下即可水热合成纯相CaTiO3。最佳制备条件为200℃，6h，NaOH初始浓度2.0mol/L。在该条件下获得的CaTiO3粉体结晶性好，晶粒近似立方体形状，尺寸分布均匀，平均粒径约1μm。乙二醇或丙三醇等多元醇分散剂的加入可改变晶粒的形貌，得到＂十字架＂形的CaTiO3晶体。

BST-SiO2-B2O3系铁电微晶玻璃陶瓷的制备和研究15-17

摘要：采用sol-gel工艺制备了（Ba0.5Sr0.5）TiO3（BST）-SiO2-B2O3系铁电玻璃陶瓷。对其显微结构进行了分析，并通过阻抗分析仪测试其介电温谱（-50-＋100℃）。结果表明：SiO2-B2O3系BST铁电玻璃陶瓷的相结构为立方钙钛矿相，显微结构呈微晶结构，当BST相与玻璃相的摩尔比为4：1时，颗粒平均粒径为1.35μm。随着SiO2-B2O3玻璃相含量的增加，εr明显降低，同时居里峰宽化，tC向低温方向移动。

均匀沉淀法制备SBN50陶瓷及其介电性能研究18-20

摘要：以硝酸盐和NbF5为原料，尿素为沉淀剂，采用均匀沉淀法合成了Sr0.5Ba0.5Nb2O6（SBN50）前驱体。对前驱体及SBN50陶瓷的结构及介电性能进行研究。结果表明：前驱体经900℃煅烧可合成纯相SBN50粉体，颗粒平均粒径为100~200nm，较固相法低100~200℃。1400℃烧结制备的陶瓷相对密度达93%，无晶粒异常长大，在60℃附近有一明显弥散介电峰，tanδ峰值温度随频率增加移向高温。室温10kHz下，其εr为1500，tanδ为0.025。

Ca0.125（Li1/2Sm1/2））0.875TiO3微波介质陶瓷的低温烧结21-24

摘要：研究了复合烧结助剂Na2O-CaO-B2O3（NCB）氧化物和Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3（LBSCA）玻璃料的添加量对Ca0.125（Li1/2Sm1/2）0.875TiO3陶瓷相结构、烧结性能及介电性能的影响。当w（NCB）为10%，w（LBSCA）为1%~5%时，该陶瓷为斜方钙钛矿结构。随w（LBSCA）的增加，致密化温度和饱和体积密度降低，εr、Q·f值及τf呈下降趋势。当w（NCB）为10%，w（LBSCA）为2%时，陶瓷可在900℃烧结获得最佳性能：εr为63.00，Q·f为1260GHz，τf为-9.02×10^-6℃^-1。

CoFe2O4纳米颗粒的共沉淀法制备及其磁性能25-27

摘要：采用共沉淀法制备了CoFe2O4纳米颗粒，运用XRD、TEM和VSM测试手段，研究了煅烧温度对CoFe2O4的结构、形貌以及磁性能的影响。结果表明：CoFe2O4纳米颗粒的粒径大小均匀；煅烧前与经200℃和600℃煅烧的CoFe2O4纳米颗粒晶粒度分别约为15，20和30nm；CoFe2O4纳米颗粒的粒径、Ms、Mr和Hc随着煅烧温度的升高而增大。当煅烧温度为600℃时，Ms约为67A·m^2·kg^-1，Hc为4.67×10^7A·m^-1。

电子元件与材料杂志综合信息

台湾纳米材料融入涂料染料内技术开发成功27-27

摘要：台湾工研院化工所最近成功开发出将纳米材料融入涂料和染料内的技术，不仅能改善胶材质的强韧度，减少汽车防晒处理的烦锁程序，也能增加印刷品和染布颜色的鲜艳持久性，大幅度提高纺织品的价值和获利。

电子元件与材料杂志研究与试制

纳米添加剂对永磁铁氧体微结构与性能的影响28-31

摘要：通过高能球磨将添加剂纳米化，研究了其对永磁铁氧体（样品）磁性能和微观结构的影响。结果表明：添加剂的平均粒度从216.448μm减小到65nm时，有效降低了磁体的熔点，提高其致密化。1190℃烧结时磁体的Br和Hcj分别从404mT、366kA·m^-1提高到418mT和402kA·m^-1。SEM观察样品晶粒平均粒径在1-2μm，晶粒分布更加均匀。取向度从75.2%提高到84.0%。

三种凝胶剂对MnZn铁氧体性能的影响32-35

摘要：以铁、锰和锌的硝酸盐为原料，分别以柠檬酸铵、酒石酸或EDTA为凝胶剂，采用有机物络合sol-gel法制备了MnZn铁氧体。借助XRD、SEM和振动样品磁强计（VSM）等表征手段，研究和比较了三种凝胶剂对所得MnZn铁氧体产品的晶型、晶貌及磁性能的影响。结果表明：以柠檬酸铵为凝胶剂时，所得MnZn铁氧体的磁性能最佳：其Ms达到1.1237×10^5A/m，而Hc仅为1.6716×10^3A/m。

电子元件与材料杂志综合信息

中国科大研制成功磁通闭合Ni-Co合金纳米环35-35

摘要：近日，中国科大合肥微尺度物质科学国家实验室俞书宏教授领导的课题组成功制备了手镯状Ni—Co合金磁通闭合纳米环，提出了一条可靠的高产合成磁通闭合纳米环的新途径。此前，该课题组在制备项链状同轴微纳米电缆的系统研究中也取得了突破，成功制得结构优美的项链状铜／交联聚乙烯醇核壳微纳电缆，研究成果发表在4月3日出版的《美国化学会》上。该项研究工作得到国家自然科学基金委、中国科学院．德国马普学会伙伴小组计划等项目的资助。

电子元件与材料杂志研究与试制

电子铝箔电解腐蚀隧道孔极限长度的控制机理36-39

摘要：通过测试电子铝箔在HCl-AlCl3中阳极极化曲线和电解腐蚀隧道孔的极限长度，发现了隧道孔的极限长度llim与铝箔的点蚀电位与自腐蚀电位的差值ΔE存在相关性，导出了隧道孔生长的动力学公式以及△E与llim的线性关系式，表明通过测试ΔE可以判断llim的变化趋势，为研究新型发孔液提供了一种简便的途径。

电子元件与材料杂志综合信息

我国科学家研制出性能优异的纳米空心球39-39

摘要：据悉，中科院上海硅酸盐所研究员高濂带领的课题组用一种简单通用的方法，通过控制实验条件，在温和的反应条件下获得了氧化锌纳米棒束、空心球结构，这些材料具有比较均匀的尺寸和良好的发光性能。在纳米功能材料研制方面取得重大突破。研究人员对氧化锌纳米棒束、空心球结构的形成机理进行了探讨，提出了一种反应机理“碱腐蚀机制”，认为反应后期中过量的碱的腐蚀作用是形成空心球结构的重要原因。他们还发现，这种方法也适用于铜、钴、镍等其他几种过渡族金属氧化物空心球结构的制备。

电子元件与材料杂志研究与试制

电脑主板用长寿命铝电解电容器的研制40-42

摘要：根据电脑主板使用条件，分析了其配件长寿命铝电解电容器的设计原理。通过低比电阻高温稳定性好的工作电解液等关键技术的突破，制得的电容器具有低漏电流、低阻抗、耐高频高纹波和耐高温的特点，在带负载的耐久性试验中通过了105℃，5000h考核，达到电脑主板线路长寿命的工作要求。

射频磁控溅射法制备掺锆氧化锌透明导电薄膜43-45

摘要：利用射频磁控溅射法在室温下制备出了掺锆氧化锌（ZnO∶Zr）透明导电薄膜。研究了溅射压强对ZnO∶Zr薄膜表面形貌、结构、光学和电学性能的影响。结果表明：ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜，且具有c轴择优取向，溅射压强对薄膜电阻率有显著影响，压强为1.5Pa时，电阻率具有最小值1.77×10^-3Ω·cm。所制备的ZnO∶Zr薄膜具有良好的附着性能，在可见光区平均透过率超过93%。

无机sol-gel法制备二氧化钒薄膜的研究46-49

摘要：采用无机sol-gel法，以分析纯V2O5为原料，在Si衬底、玻璃衬底上空气中加热制备了V2O5薄膜，在不同温度下真空退火，得到了具有择优取向的VO2薄膜。研究了其制备工艺和显微结构。结果表明：在玻璃衬底和硅衬底上薄膜的最佳真空退火工艺均为480℃/2h。所制备的VO2薄膜具有沿〈110〉晶向生长的择优取向。薄膜表面形貌良好，颗粒尺寸分布均匀。

电子元件与材料杂志综合信息

宝钢完成钢铁表面纳米薄膜国标起草工作49-49

摘要：目前，由宝钢股份研究院负责起草的国家标准《辉光放电光谱法定量分析钢铁表面纳米尺度薄膜》，通过了全国微束分析标准化技术委员会的评审。评审专家还建议，鉴于该标准在国际上亦属首次提出，可在适当时候转化为国际标准。