电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2008年第05期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

应用于射频范围的软磁薄膜研究进展1-5

摘要：探讨了获得具有优良高频电磁性能的软磁薄膜的合适工艺条件。指出薄膜的性能主要取决于薄膜的成分、微观组织、磁致伸缩系数、残余应力状态、有无软磁底层、外加磁场溅射沉积和后续磁场热处理等因素。以Fe20CO30为基的软磁薄膜和Fe（Co）-X-N纳米晶软磁薄膜主要应用于要求高饱和磁化强度的器件如磁头中，磁性纳米颗粒膜具有高的电阻率因而趋肤深度较大，有望应用于高频微磁器件如微电感、微变压器的磁芯中。

无铅钎料电迁移可靠性研究进展6-8

摘要：随着电子器件焊点尺寸及其间距的目趋减小，电流密度急剧增加，从而引发的电迁移可靠性问题更加显著。电迁移效应的发生，使得在阴极附近出现裂纹和孔洞，在阳极则产生小丘或堆积，从而导致电路短路或断路。介绍了近年来国内外关于无铅钎料合金包括SnAgCu、SnAg、SnZn和SnBi等电迁移研究，对实验的结果、特征及其方案进行了综述和评论。

电子元件与材料杂志研究与试制

衬底对V2O5薄膜微观结构的影响9-11

摘要：在常温下，用sol—gel法在普通玻璃和单晶Si衬底上制备了V2O5薄膜，并将样品在空气中于500℃进行热处理。通过XRD和SEM对比分析了不同衬底上样品的微观结构，用分光光度计测试了玻璃衬底上样品在350～850nm的光学特性。结果表明：在玻璃和Si衬底上分别得到了β-V2O5和β-V2O5薄膜，两种样品的纯度高、相结构单一和结晶度好。β-V2O5薄膜的光学带隙Eg为2．33eV。

电子元件与材料杂志综合信息

中国电子学会第15届电子元件学术年会征文通知11-11

电子元件与材料杂志研究与试制

碳纳米管薄膜的电泳沉积与场发射性能12-14

摘要：采用电泳法在Si基片上沉积碳纳米管（CNTs）薄膜。研究了电泳极间距、电泳时间及电泳电压等对沉积的薄膜形貌结构与场发射性能的影响。SEM、高倍光学显微镜和场发射性能测试结果表明，保持阴阳极间距为2cm，在100V的直流电压下电泳2min所获得的CNTs薄膜均匀、连续、致密且具有最好的场发射性能，其开启电场强度仅为1．19V／μm，当外加电场强度为2．83V／μm时，所获得的最大发射电流密度可达14．23×10^-3A／cm^2。

成型工艺对粘结NdFeB磁体力学性能的影响15-18

摘要：用模压成型方法制备了粘结NdFeB磁体，通过对磁体密度、抗弯强度和抗压强度的分析，研究了A、B和C三种成型工艺对磁体力争性能的影响。结果表明：工艺B制备的磁体密度最大，磁性能最好；工艺C制备的磁体力学性能最好且制备成本低，生产效率高，适合大批量工业化生产；工艺C制备的磁体，620MPa成型压力和160℃固化温度使磁体获得最优的力学性能，其抗弯强度、抗压强度分别达到了76．63，154．63MPa。

电子元件与材料杂志综合信息

注册一个名字 交换整个世界 易货创造财富18-18

摘要：经济全球化的今天，销售竞争激烈，全球企业普遍存在产能过剩、资金短缺且周转频率低等问题，而这些则导致企业销售和采购的成本越来越高，利润越来越少，压力越来越大。其中一个重要原因就是现有的商业行为几乎全部依赖货币支付，此举将货币推向了极致，将其神话。在我国，这更成为制约企业发展的一大瓶颈。而易货可以很好地使企业通过自身优势来缓解危机，度过难关。

福建国光电子科技股份有限公司成功参加美国CARTS 2008技术研讨会暨产品展示会21-21

摘要：公司于2008年3月17日至20日，参加了在美国（Newport Beach，CA）由美国电子元器件协会（ECA）主办的技术研讨会（CARTS）暨产品展示会。

电子元件与材料杂志研究与试制

Ba（Ti0．91Zr0．09）1-3x/2Mo2O3铁电陶瓷的相变弥散22-24

摘要：采用固相反应法制备了MoO3施主掺杂的Ba（Ti0.91Zr0.09）O3陶瓷，借助Agilent4284A、ZT—Ⅰ电滞回线和d33测量仪，研究了MoO3含量对Ba（Ti0.91Zr0.09）O3陶瓷介电性能的影响。结果表明：掺杂MoO3能降低Ba（Ti0.91Zr0.09）O3陶瓷的烧结温度。当x（MoO3）为0．05时，ρv达到最佳值5．682g·cm^-3；tanδ最小为0．0157；εr为2510，相变温度向高温方向移动。在所研究的组分范围内，样品表现出扩散相变铁电体的特征，但未观察到典型的介电弛豫行为。

溶剂热法制备立方钛酸钡纳米晶25-27

摘要：将钛酸丁酯和适量乙醇混匀后，与氯化钡水溶液在溶剂热条件下反应制备立方钛酸钡纳米晶。结果表明：以KOH为矿化剂，r（Ba：Ti）为1．1，φ（乙醇）为25．0％和150℃反应12h，可得平均粒径为60nm左右、分散性较好的钛酸钡纳米晶。当乙醇用量增大时，产物的粒径减小，分散性降低；随着r（Ba：Ti）的增大，产物粒径减小。当r（Ba：Ti）为1．6时，产物的平均粒径可减小至35nm左右；矿化剂的种类、反应温度和反应时间对产物的形貌及晶体结构没有影响。

BGSPTx系高温压电陶瓷的结构及性能28-31

摘要：把BiGaO3作为第三组元引入BiScO3-PbTiO3（BS—PT）体系，用氧化物合成法制备、了0．155BiGaO3－（0．845-x）BiScO3-xPbTiO3（BGSPTx，x为0．54-0．58）压电陶瓷。XRD分析表明，BGSPL具有钙钛矿结构，但同时存在微量的富铋相。三方-四方准同型相界（MPB）位于x为0．56附近。在MPB附近，BGSPTx陶瓷的d33，kp和Pr都达到最大值，分别为180pC／N，30％和18．5×10^-6C／cm^2。εr-t特性曲线测试表明，陶瓷在MPB附近居里温度抽高达494℃。

电子元件与材料杂志综合信息

陶瓷分离膜新技术打破国外封锁31-31

摘要：作为首批江苏省科技成果转化项目的“陶瓷分离膜及其成套装备”，近日，通过了省科技厅组织的专家验收。此项目的实施，一举打破了国外产品在中国的垄断，有效推动了我国陶瓷膜工业的发展。

电子元件与材料杂志研究与试制

（Zn1／3Nb2／3）^4＋取代的BNT系无铅压电陶瓷性能32-34

摘要：采用两步合成工艺，制备了新型Bi1/2Na1/2Ti1-x（Zn1/3Nb2/3）xO3（简称BNTZN-100x）系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子（Zn1/3Nb2/3）^4＋取代量对BNT陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明：当0．005≤x≤0．020时，该体系陶瓷具有三方、四方共存的准同型相界（MPB）结构。在MPB附近，具有较佳的压电性能：xX为0．020时，d33为97pC／N，kt为0．47。εr-t曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征。具有高kt值，低kp值；kt／kp较大，具有较大的各向异性，是一种适合高频下使用的优良超声换能材料。

凝胶自燃烧法合成Bi0．5Na0．5TiO3纳米粉体35-38

摘要：以Bi（NO3）3·5H2O、NaNO3和Ti（OC4H9）4为原料，采用凝胶自燃烧法合成了Bi0.5Na0.5TiO3纳米粉体，研究了粉体的晶相结构。结果表明：所合成的粉体粒子大小均匀，晶相单一，不需高温处理便能直接形成钙钛矿结构超细粉末。粉末经压片，1125℃烧结2h即可获得致密的烧结体，其d为98．1％。用SEM观察，烧结样品的平均粒径为2μm。

电子元件与材料杂志综合信息

美利用DNA链获得金纳米粒子晶体38-38

摘要：美国科学家1月31日表示，他们借助DNA链成功地获得了由金纳米粒子构成的3维晶体结构，在新出版的《自然》杂志封面文章中，科学家称，利用该技术能构建各种具有特殊性质的晶体物质，并可广泛用于医学、光学、电子或催化领域。

世界最黑材料可吸收99．9％光线38-38

摘要：据国外媒体报道，美国研究人员当地时问2008年1月15日表示，他们制造出了地球上最黑的材料，这种材料对光的吸收达到99．9％。 这种材料是由极细的碳纳米管制成，一端直立，几乎比美国国家标准与技术研究院用作当前黑色基准的碳物质黑了近30倍。该材料接近于科学家梦寐以求的理想黑色，这种理想黑色能吸收各种颜色的光，而且还不反射光。

电子元件与材料杂志研究与试制

sol-gel燃烧法合成MgFe2O4纳米颗粒及其气敏性39-41

摘要：以Mg（NO3）2、Fe（NO3）3和柠檬酸为原料，采用sol—gel燃烧法，合成了MgFe2O4纳米颗粒。利用XRD、TEM和红外光谱对产物进行了结构、形貌的测量和表征。结果表明：MgFe2O4的前驱体燃烧后经过500℃下1h的热处理，得到平均粒径小于20nm的纳米颗粒。以MgFe2O4为原料，制备了气敏元件，发现元件在工作电压为4．5V时对50×10^6的Cl2的灵敏度达到177，响应时间达4s，而且对其它气体的抗干扰性很好，有望开发成为对Cl2检测的传感器材料。

K^＋对ZnO压敏陶瓷电性能的影响42-44

摘要：采用传统的陶瓷工艺，制备了ZnO压敏陶瓷。研究了K^＋掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。结果表明当x（K^＋）小于40×10^-6时，对其电性能几乎没有影响；但若x（K^＋）超过60×10^-6后，由于K^＋在晶界和三角区的大量偏析破坏了晶界层的稳定，导致其浪涌电流耐受能力严重劣化。