电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2008年第04期杂志 文档列表

集成电力电子模块封装的关键技术1-5

摘要：封装技术直接影响到集成电力电子模块（Integrated Power Electronics Module,IPEM）的电气性能、EMI特性和热性能等,被公认为未来电力电子技术发展的核心推动力。介绍了IPEM封装的结构与互连和基板技术等关键技术及研究现状,分析了已存在的薄膜覆盖封装技术等三维IPEM封装技术,讨论了IPEM封装的发展趋势,最后指出我国IPEM封装技术研究的限制因素与对策。

中国封装材料投资持续增长9-9

摘要：SEMI和国际Techsearch公司共同合作，对全球半导体封装材料市场进行调研，2007年全球半导体封装材料市场达到152．17亿美元。从过去五年封装材料市场数据看，中国仍是全球封装材料生产重镇，而且是投资持续增长的地区之一。

低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测10-13

摘要：氟化非晶碳（a-C∶F）薄膜具有介电常数低、热稳定性好等优点,普遍认为是下一代集成电路互联层绝缘介质的最佳候选材料之一。结合研究实践,综述了国内外低介电常数氟化非晶碳薄膜主要的制备技术、工艺参数及性能检测技术,指出了介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该薄膜实用化的主要原因。

村田：坚持以独创取胜13-13

摘要：在电子元器件领域，村田的产品广为人知，从片状电容、滤波器、振荡子、传感器到现在的蓝牙模块，都在世界市场有很大的影响力。但很多人不知道，50多年前，村田制作所却仅仅是日本京都的一家普通陶瓷作坊。经过长期不懈的创新，村田把普通陶瓷发展成为电子陶瓷，现在已经成为全球领先的电子元器件制造商。

环境温度对气流式角速度传感器灵敏度的影响14-16

摘要：采用有限元方法,计算了不同温度下敏感元件内的温度场和流场。结果表明：在输入恒定角速度时,敏感元件内的温度场和流场随环境温度发生变化,温度增加,在两个检测热电阻丝处的气流速度之差减小,检测电桥输出电压减小,传感器灵敏度降低;温度下降,在两个检测热电阻丝处的气流速度之差增加,检测电桥输出电压增加,传感器灵敏度增加。当输入角速度为20°/s时,传感器的灵敏度随温度平均变化率为0.0336mV/（°）·s^–1·℃^–1。

环形SrTiO_3双功能元件的焊锡和通流能力研究17-19

摘要：采用固相合成法,研究了SiO2含量和收缩温度对环形SrTiO3压敏元件微观组织、气孔率的影响。结果表明：元件在1050℃时开始收缩;通过SEM分析,发现随着SiO2含量的增加,元件的气孔率有减少趋势;当x（SiO2）为0.05%～0.10%时,可以获得良好的微观组织。通过改进工艺参数制备压敏元件。焊锡并通100mA电流后,压敏电压的变化率ΔV·V10mA ^-1为0.95%～3.60%,电容变化率ΔC·C^–1为9.6%～16.4%。

提高ZnO压敏电阻器电性能的研究20-22

摘要：采用sol-gel法制备了复合纳米添加剂。将其与ZnO,Sb2O3混合,球磨后按传统工艺制备了ZnO压敏电阻器。通过粒度测试,分析了复合纳米添加剂的粒径大小;借SEM分析了电阻器的微观形貌,并测试了电阻器的电性能。结果表明：添加剂的粒径集中在100nm以下,用该添加剂制成的电阻器微观结构更均匀,其8/20μs通流能力达2500A,2ms方波能量耐受能力达46J。

纳米复合材料NiCuZn铁氧体/SiO2的结构和磁性能23-24

摘要：以正硅酸乙酯和硝酸盐为原料,采用sol-gel法制备了Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4/SiO2纳米复合材料。利用TGA/DTA,XRD,TEM和VSM,研究了热处理过程中,干凝胶的变化及样品的结构、晶粒尺寸和磁性。结果表明：由于样品中SiO2在高温下晶化,随着热处理温度的升高,样品的比饱和磁化强度和矫顽力先增大后减小。经900℃热处理后,样品中Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4粒径约为30nm,比饱和磁化强度Ms为50Am2·kg^–1,矫顽力Hc为4.22kA·m^–1。

电化学WO3基丁烷气敏元件的研制25-27

摘要：在WO3粉体材料中,加入一定量的添加剂（Pt,Pd,PtO2,PdCl2,SnO2,SiO2和Al2O3）,于600℃烧结1h,制成旁热式厚膜丁烷气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热功率与元件灵敏度（β）的关系以及添加剂对元件的响应与恢复时间的影响。结果表明：掺入质量分数为0.5%的PdCl2,在加热功率为600mW时,丁烷气敏元件的灵敏度提高约12倍,元件的响应和恢复时间分别缩短约70%和85%。

宽频高阻抗贫铁MnZn铁氧体的掺杂改性研究28-31

摘要：采用传统陶瓷工艺制备了MnZn和NiZn铁氧体材料。研究了贫铁MnZn铁氧体、富铁MnZn铁氧体及NiZn铁氧体的电阻率和阻抗的频率特性。结果表明：CaCO3-SiO2联合掺杂能大幅度提高贫铁MnZn铁氧体材料的电阻率,在最大添加量w（SiO2）为0.005%,w（CaCO3）为0.04%时,有最大电阻率10246Ω·m;贫铁MnZn铁氧体材料综合了富铁MnZn铁氧体材料的低频高阻抗和NiZn铁氧体材料的高频高阻抗特性;Fe2O3、TiO2含量的增加都会提高材料的低频阻抗,降低材料的高频阻抗。

2008年1～2月我国电器及电子产品出口466亿美元31-31

摘要：据海关总署3月10日公布的统计数据显示,1～2月,我国进出口总值3659.3亿美元,比去年同期增长23%。其中,出口1969.9亿美元,增长16.8%,较2007年同期减缓24.7个百分点;进口1689.4亿美元,增长30.9%,加快10.3个百分点。累计贸易顺差280.5亿美元,下降29.2%。

YSB-Ag复合电极在氧传感器中的应用研究32-34

摘要：通过在氧化物电极材料中引入适量导电性能优良的金属Ag,降低了氧化物电极的电阻,改善其氧敏响应特性;研究了YSB-Ag复合电极在氧化锆氧传感器中的应用。结果表明：这种复合电极具有较低的电阻值和很好的低温氧敏响应特性,在不使用加热装置条件下,氧传感器的起始工作温度可以降低至450℃左右,池内阻在100Ω以下。

空调出口连续7年增长 大品牌成主力34-34

摘要：2007年我国空调器出口又有较大幅度增长,共有917家企业经营出口空调器（不含经营零件的企业,下同）商品,出口企业比上年同期减少了35家,全年出口3995.71万台,金额为635133.56万美元,分别比上年同期增长18.5%和33.1%,空调器出口金额占全国家用电器商品出口总额的19.94%。

化学方法制备氧化钴粉的形貌控制与机理35-37

摘要：以Co（NO3）2和NaHCO3为原料制备Co2O3过程中,采用有机试剂乙醇、丙酮、聚乙二醇（PEG—400）,以及NaCl、Na2SO4和CH3COONa分别作为添加剂。结果显示,在相同的溶液pH值、zeta电势以及黏度条件下,沉淀物CoCO3在300℃焙烧后得到不同微观形貌的颗粒。通过DLVO理论分析表明,有机试剂的介电常数以及空间位阻效应是影响晶核形成的主要因素。钠盐添加剂实验发现,阴离子会在空间方向上选择性地吸附在CoCO3晶核表面,并最终影响Co2O3的形貌。

利用新技术解决小型化问题37-37

摘要：片式元件特别是片感内资企业,从整个生产技术来说,与日系企业相比,还是相差很多的。这些差别主要体现在生产原材料、生产设备和技术上。所以企业在注重器件小型化的同时一定要注意新技术的开发与应用。日系村田公司在薄膜工艺技术的基础上,独创了一种新的技术,开发出一个新的系列产品LQP系列薄膜电感器。

Sn-0.3Ag-0.7Cu-xBi低银无铅钎料的润湿性38-41

摘要：以Bi为添加剂对低银型Sn-0.3Ag-0.7Cu无铅钎料进行改性,应用SAT—5100型润湿平衡仪对Sn-0.3Ag-0.7Cu-xBi（x=0,1,3和4.5）钎料的润湿性能作了对比分析。结果表明：适量Bi元素的加入可以改善Sn-0.3Ag-0.7Cu钎料合金的润湿性能,且在240℃下Sn-0.3Ag-0.7Cu-3.0Bi无铅钎料具有最佳的润湿性能,在250℃其润湿力达到最大值3.2×10^–3N/cm。

国家发改委发展计划草案明确 推进自主创新发展高技术产业41-41

摘要：受国务院委托,国家发改委5日向十一届全国人大一次会议提交了《关于2007年国民经济和社会发展计划执行情况与2008年国民经济和社会发展计划草案的报告》。

LED光取出技术研究进展42-44

摘要：大功率白光LED目前存在着光取出效率不高的问题。介绍了提高白光LED光取出效率的主要方法与途径,包括光子晶体,表面粗化,倒装芯片,二次光学设计以及荧光粉远离。这些技术不同程度提高了LED的光取出效率,是解决其发光效率不高的有效途径。