电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2008年第02期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述
Fe2O3气敏材料研究进展1-4

摘要:综述了近年来Fe2O3气敏材料常用的合成方法,如sol—gel法,沉淀法,水热法和微乳液法。总结了焙烧温度与掺杂效应对气敏性能的影响,探讨了气敏机理模型,并对今后的研究方向提出了一些看法。

电子元件与材料杂志编编通信
下期要目4-4

电子元件与材料杂志综述
钛酸锌微波介电陶瓷的改性研究现状5-7

摘要:对钛酸锌介电陶瓷的改性研究进行了综述,分析了形成固溶体、生成新的化合物和添加助熔荆对钛酸锌陶瓷的烧结性、相结构和微波介电性能的影响。结果表明,形成无限固溶体的陶瓷主晶相为六方相,微波介电性能优良,但烧结温度偏高;添加助熔剂虽改善了烧结性,但主晶相与加入量及烧结温度有关,微波介电性能随主晶相变化。据此提出了复合改性的设想。

电子元件与材料杂志综合信息
2008年电子信息百强企业申报工作开始7-7

摘要:信息产业部日前下发通知,为推进电子强国建设,落实“大公司战略”的实施,提升企业综合竞争力,实现企业又好又快发展,经部研究,一年一度面向全行业的电子信息百强企业排序工作将继续进行。

电子元件与材料杂志综述
薄膜声表面波器件的制备研究进展8-9

摘要:介绍了薄膜声表面波器件的发展历史和特点,以及压电薄膜声表面波器件近年来国际上的研究进展,包括理论研究与实验进展的一些概况,并展望了其今后的发展趋势。

电子元件与材料杂志研究与试制
聚合物前驱体法制备CTNA陶瓷及其性能10-12

摘要:采用DSC—TGA、XRD和SEM对聚合物前驱体法制备的0.7CaTiO3-0.3NdAlO3(CTNA)陶瓷粉末进行了分析。结果表明:经550℃顸烧后的粉末为无定形态;但是当预烧温度提高到600℃时,形成了钙钛矿结构的CTNA单相。这表明CTNA晶相是未经中间相而直接从无定形态的前驱体中结晶形成。与传统固相反应法相比,合成温度从1300℃大幅下降到600℃。经900℃预烧,1375℃烧结的样品,其εr为43.3,Q·f,为34862GHz,τf为1.4×10^-6℃^-1。

电子元件与材料杂志综合信息
美开发出全新金属晶体生长技术12-12

摘要:美国科学家去年3月26日在美国化学学会全国会议上表示,他们利用棉花中的纤维素制作出一种模板,并在其上获得了过去从未见过的金属晶体。这类金属晶体有望成为生物传感器、生物成像设备、药物定向输送纳米装置和催化器的组成部件。

电子元件与材料杂志研究与试制
气敏元件室温光激发气敏性能研究13-15

摘要:研究了WO3掺杂的ZnO基气敏元件在紫外(UV)光激发下,对乙醇气体的室温气敏性能。结果表明:在UV光照射下,各元件在室温下对体积分数为100×10^-6的乙醇气体显示了很好的光敏、气敏性能,响应、恢复时间均在8s以内,其中以掺杂X(WO3)为1%的元件W(1)为最佳,从而实现了室温下的气敏测试.

CuO掺杂纳米SnO2的气敏性能研究16-18

摘要:采用柠檬酸溶解-热解法制备纳米SnO2,并对其进行由不同Cu源制备的CuO粉体机械混合掺杂,进而对掺杂氧化物进行XRD表征,采用静态配气法测试其气敏性能。结果表明:少量的CuO机械混合可掺入纳米SnO2粉体的晶格中,以CuS04为原料制备的CuO掺杂,可有效提高SnO02粉体对H2S气体的气敏性能,且以5%CuO掺杂量(质量分数)在120℃时,对0.0005%H2S的气敏性能最好,灵敏度可以达到4545。

金属外壳封接用双层玻坯的研制19-22

摘要:以BH—G/K玻璃为基体,以添加Al2O3粉的DM-308玻璃为表层区研制出与金属外壳封接的双层玻坯。分析了Al2O3粒度及添加量对熟坯致密化和线收缩率的影响。结果表明,表层区使用添加质量分数为20%和30%0.5pm粒径舢203粉的DM-308玻璃可以实现熟坯的匹配收缩,用于UP2113-14外壳熔封。电镀后外壳气密性、绝缘电阻均有数量级提高,玻璃沿引线上爬高度只为BH—G/K玻璃的1/3,显著降低外壳盐雾试验后引线根部易锈蚀和引线受力后绝缘子开裂的风险。

BST-C复相材料的微波衰减性能23-25

摘要:以BaCO3、Sm2O3、TiO2(BST)和石墨C为原料,1300℃、N2气氛下热压烧结1h制备了BST-C复相衰减材料.运用XRD、SEM和矢量网络分析仪对BST-C复相衰减材料的相组成、显微结构和衰减性能进行表征。结果表明,添加石墨不影响Ba4.5Sm9.0Ti18O54主晶相的生成,石墨的添加有利于改善BST基体的微波衰减性能,呈现选频衰减,当w(石墨)为15%时,在13,97GHz频率点有最大衰减量6.325dB.

多层Z型六方铁氧体磁导率频率特性研究26-29

摘要:采用普通陶瓷工艺,制备了Co2Z(Ba3Co2Fe24O41)六方铁氧体及Ba^2+被Sr^2+部分取代的Z型六方铁氧体[Ba3(1-x)Sr3xCo2Fe24O41],并将烧结好的铁氧体粉料压制成多层结构样品。其中间层为纯Co2Z粉料,上下两层为掺Sr^2+粉料。研究了样品在300MHz~4GHz下的磁导率频率特性。结果表明:多层结构设计能优化甚高频(UHF)下Co2Z材料的磁性性能,使共振频率和复数磁导率动态可调。当掺Sr^2+层参数x为0.4时,多层样品获得了最佳的甚高频性能。此时,共振频率达到2.25GHz,且2GHz下μ′和μ″分别为9.03和10.49。

电子元件与材料杂志综合信息
信息产业部五项“十一五”专项规划29-29

摘要:信息产业部日前正式五项“十一五”专项规划。这些规划是:《集成电路产业“十一五”专项规划》、《软件产业“十一五”专项规划》、《电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划》、《电子专用设备和仪器“十一五”专项规划》、《信息技术改造提升传统产业“十一五”专项规划》。

电子元件与材料杂志研究与试制
制备工艺对Co2Z六方晶系铁氧体电磁特性的影响30-32

摘要:采用普通陶瓷工艺,制备了3BaO·2CoO·10.8Fe2O3六方晶系铁氧体.对各种工艺参数进行了正交设计,分析了其对C02z六方晶系铁氧体电磁特性的影响。结果表明:在一磨时间2.0h,预烧温度1280℃,二磨时间4.0h,烧结温度1240℃的工艺条件下,材料在2.0GHz下的磁导率的实部为7.4,虚部为7.2,截止频率达到2.0GHz,样品密度达到了4.8g·cm^-3。

电子元件与材料杂志综合信息
高性能LCD开发竞争加速32-32

摘要:LCD面板的功能越来越强大,不仅集成了TV产品制作过程中所体现的画面处理技术,而且还具有支持两个画面同时播放等特殊功能。这种进步不仅给LCD企业创造了新的附加价值,同时也简化了成品企业的制造工序,从而降低了成本。

电子元件与材料杂志研究与试制
CuO—BaO掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3介电性能的影响33-35

摘要:采用固相反应法制备了添加1%(质量分数)CuO-BaO混合物的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3铁电陶瓷,研究了r(Cu:Ba)对Ba(Ti0.91Zr0.09)03铁电陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:随着r(Cu:Ba)的增加,Cu开始进入晶格,Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的密度先增加后减小,r(Cu:Ba)为1.5时,ρ达最大值5.85g/cm^3,斜方-四方相变峰出现介电弛豫现象,居里温度向低温方向移动,电滞回线呈现典型弛豫型铁电体的特征。

铁磁性微晶玻璃热种子材料的研制36-38

摘要:采用基础玻璃熔融析晶法制备铁磁性微晶玻璃热种子材料,其中基础玻璃的组成以Fe2O3-CaO—SiO2为主体并添加少量B2O3和P2O5。借DTA,XRD分析确定了合理的热处理制度,制备了以Fe3O4为主晶相的微晶玻璃,并对其磁性能及生物活性进行了试验。结果表明:所得的微晶玻璃材料单位质量的磁化强度达到22.6A·m^-1·g^-1,且能生成羟基磷灰石,故材料具有生物活性。

电子元件与材料杂志综合信息
OLED电视应用揭开序幕38-38

摘要:2007年11月,全球首台OLED电视上市了,比业界早先预期的时间提前了两年,这意味着之前已应用于MP4、手机等小型屏幕的OLED,揭开了对抗LCD和PDP电视的序幕。