电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2007年第10期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述
无铅水性高温电子浆料的研究进展1-3

摘要:综述了高温电子浆料用无铅低熔玻璃和水性载体的发展现状。磷酸盐、钒酸盐、铋酸盐玻璃体系是目前含铅低熔玻璃的取代物。水性载体的研究重点在于合成新型或改性的水溶性聚丙烯酸、醇酸树脂、聚氨酯、聚乙烯醇、环氧树脂等以及与它们配套的水性分散剂、流平剂、消泡剂等助剂;其中改性聚丙烯酸将有可能在高温电子浆料中率先应用。

BaTiO3基PTC瓷粉的制备现状与发展趋势4-7

摘要:介绍了颗粒表面改性法,柠檬酸盐溶液一液相包裹法和高分子网络凝胶一液相包裹法等采用表面改性技术的PTC瓷粉制备方法。重点介绍BaTiO3基PTC瓷粉非均匀形核表面包覆制备的原理、特点、研究现状和应用前景。认为BaTiO3基PTC瓷粉的制备,有向液相表面包覆发展的趋势,非均匀形核表面包覆,是一种较具潜力的高性能PTC瓷粉制备方法。

电子元件与材料杂志研究与试制
ZnO薄膜的结构与光学性能研究8-11

摘要:采用sol-gel法在石英衬底上制备了ZnO薄膜,通过改变溶胶浓度、涂敷层数及退火温度,研究了ZnO薄膜的形貌、结构性能及光学性能。结果表明,薄膜具有六方纤锌矿结构,表面均匀致密,晶粒大小在25~35nm之间,zn含量为0,8mol/L的溶胶经旋涂并在500℃下退火1h后可获得最高的可见光透射率,平均透射率约为94%。获得的ZnO薄膜的光学带隙在3.27~3.29eV之间。

复合掺杂对NiCuZn铁氧体磁性能的影响12-14

摘要:为了获得高初始磁导率(μi)、低损耗的NiCuZn铁氧体,研究了复合掺杂微量元素对其磁性能、电阻率和微观结构的影响。实验中加入了四组不同含量的微量元素,用了尼龙罐与钢罐两种球磨罐,结果表明:当掺入的Bi2O3,PbO,TiO2及Co3O4质量分数分别为0.11%,0.30%,0.01%及0.20%,在950℃烧结时,所获铁氧体的磁性能为:从为480,电阻率为4×10^9Ω2·m,从为44.5A/m。且钢罐球磨料的综合性能优于尼龙罐。

熔盐处理对MnO2电化学性能的影响15-17

摘要:采用固相法制备了MnO2,用KCl-LiCl熔盐体系对样品进行处理后,MnO2的结晶程度增加。XRD测试表明,产物为α—MnO2与γ-MnO2的混合晶相,循环伏安测试表明熔盐处理后材料具有典型的超级电容特性,其等效串联电阻(RESR)由0.26Ω减小到0.25Ω,电极电阻(RE)由0.57Ω减小到0.37,单电极放电比容量由100.94F·g^-1提高了28.34%达129.54F·g^-1。样品在恒电流充放电循环100次后,比容量衰减不大,充放电效率接近100%。

锰掺杂CBT压电陶瓷的交流阻抗谱研究18-20

摘要:通过固相反应法制备了锰掺杂的CaBi4Ti4O15陶瓷,掺杂量x(MnCO3)从0到3.0%。泽加锰以后,材料的直流电阻率先升高,再降低。通过交流阻抗谱分析,得到了各组分晶粒、晶界对电导的贡献。发现在少量掺杂时,锰原子同时进入晶粒及晶界,并改善高温下的导电性能。掺杂量为1.0%时,直流电阻率最大。但当x(MnCO3)大于3.0%时,锰原子开始富集于晶界,使材料性能恶化。

聚合条件对PEDT导电性及相对分子质量的影响21-24

摘要:采用化学原位氧化聚合法制备了导电聚合物3,4-聚乙烯二氧噻吩(PEDT)薄膜。系统研究了不同工艺条件对聚合物电导率的影响。发现单体与氧化剂体积比为1:4、溶剂含量90%(体积分数)、加入聚合改良剂0.5%(体积分数)、反应温度-5℃时可以获得较高电导率(〉20S/cm)薄膜。首次结合元素分析法,研究了工艺条件对聚合物相对分子质量的影响,结果表明,聚合温度25℃,少(单体:氧化剂:聚合改良剂)=1:4:2的条件下,所合成的PEDT可获得最大平均相对分子质量(1068)和聚合度(7.6),并对相应的机理进行了探讨。

铁电态-顺电态双层薄膜的高介电调谐25-28

摘要:基于Landau—Devonshire自由能理论建立了热力学模型,对生长在(001)SrTiO3衬底上的PbZr04Ti0603(PZT)/SrTiO3(STO)双层异质外延结构铁电薄膜以及不受约束的双层薄膜的介电响应与调谐率进行了研究。结果表明,在两层薄膜为无约束的自由薄膜情况下,STO厚度占双层薄膜总厚度的百分比为30%时,相对介电响应达到最大值约3.3×10^5,当两薄膜为异质外延结构时,其百分比为51%时,相对介电响应达到最大值约4×10^5。同时,调谐率还随外加电场的增大而增大,在临界百分比时,调谐率可达到约99%。

钽酸锂薄膜溶胶凝胶制备工艺研究29-32

摘要:用溶胶-凝胶法在不同衬底上制备了新的钽酸锂薄膜;研究了环氧树脂掺杂、甩胶转速、衬底效应、热处理温度和气氛等薄膜制备工艺条件对薄膜晶向、表面形貌和介电特性的影响。结果表明:当溶胶浓度为0.1mol/L,转速为3000r/min,能制备出均匀、平整、无裂纹的薄膜;控制掺杂环氧树脂在5%左右(质量分数),能提高薄膜与衬底的黏附性;薄膜在氧气气氛下结晶退火,比在氮气气氛下具有更小的介质损耗;n型Si、P型Si和SiO2衬底上钽酸锂薄膜在[012]晶向上具有择优取向性,而Pt衬底上薄膜在[110]、[116]上具有择优取向性。

我国电子元件产业的发展现状(摘要)32-32

摘要:2006年我国电子元件规模以上生产企业近3700家,销售收入超过6000多亿元。我国电子元件的产量已占全球的近39%以上。产量居世界第一的产品有:电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板。其中,微特电机产量已占全球的60%。但上述产品销售额并非世界第一。这说明我国在电子元件的高端产品方面还存在比较大的差距。

质子酸掺杂聚苯胺的制备及其常温气敏性能33-35

摘要:以苯胺为单体,过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法,在酸性介质中合成了聚苯胺。并用FT-IR光谱和UV-Vis光谱对聚苯胺掺杂前后的结构变化进行了分析,研究了不同质子酸掺杂对聚苯胺气敏性能的影响。结果表明,经质子酸掺杂后的聚苯胺,在室温下对NH3具有较好的灵敏度,其中结果最好的1mol/LH2SO4掺杂的聚苯胺对500×10^-6NH3的灵敏度达到了10.86。

电子元件与材料杂志综合信息
宏星片式电阻器系列电子浆料项目通过验收35-35

摘要:2007年6月20日,由华经微电子股份有限公司承担的片式电阻器系列电子浆料出151产品研究开发项目评审验收会隆重召开。陕西省商务厅科技处、西安电子科技大学、二十所的有关领导、专家参加了验收会,股份公司总经理李著等负责人出席了会议,项目验收会由省商务厅主持。

电子元件与材料杂志研究与试制
BT-BKT无铅压电陶瓷的性能研究36-39

摘要:通过在BaTiO3(BT)中加入不同含量的Bi0.5K0.5TiO3(BKT),研究了(1-x)BT-xBKT系无铅压电陶瓷的性能特征。经1200℃空气气氛2~4h烧结的陶瓷形成了钙钛矿结构固溶体单一相。陶瓷的介电、压电、铁电性质受BKT含量的影响显著。随着BKT的加入,陶瓷表现出一定的弛豫型铁电体特征。当X为0.20时,陶瓷具有较小的tanδ,并且介电性能稳定。tc及Ec随BKT添加量的增加而增大。当X为0.20时,陶瓷的tc达182℃,d33达到63pC/N;X为0、10时,一达最大值9.4×10^-6C/cm^2。

电子元件与材料杂志综合信息
降低待机能耗势在必行39-39

摘要:遥控关闭的电视、插着电源的电脑主机、“睡眠”模式的空调等,这些不运转的电器待机状态仍然是不小的“电老虎”。据专家计算,我国城市家庭的平均待机能耗已经占到了家庭总能耗的10%左右。“所有电器产品的待机能耗应降至1瓦”,这是国际能源署向全球电器产品生产商和销售商发起的节能倡议。前不久在北京召开的第二届“1瓦论坛”上,中标认证中心表示,“1瓦计划”将由中标认证中心牵头在中国全面推行。仅以电脑为例,如果全部产品采用l瓦待机能耗指标,到2012年,计算机和显示器总共可以节电约12亿度,折合人民币超过7亿元。中标认证中心三年前的一项调查显示,国内大城市普通家庭中,所有电器待机能耗平均超过30瓦。现在随着家用电器的普及,这个数字还有大幅提高。专家认为,需要采用待机模式的产品越来越多。而频繁地开/关机确实会影响家电产器的寿命。因此,通过降低待机能耗来实现节能,势在必行。

电子元件与材料杂志研究与试制
水基流延制备片式PTCR陶瓷的研究40-43

摘要:采用sol—gel法制备纳米BaTiO3基PTCR粉体,并以其为原料,采用水基流延成型工艺制备片式PTCR。研究了在sol—gel法制备BaTiO3粉体中,施受主元素含量、陶瓷的烧成温度与PTC效应、晶粒尺寸的关系以及水基流延工艺中各种添加剂对浆料和膜片性能的影响。结果表明:以纳米BaTiO3粉体为原料、水基流延的片式PTCR坯片,在1240℃下就能半导化,所得陶瓷样品的升阻比高于10^4,温度系数大于13%℃^-1,平均晶粒尺寸小于2μm。

添加剂对聚吡咯固体铝电解电容器性能的影响44-46

摘要:采用化学聚合和电化学聚合两步法合成聚吡咯(PPy),并用其制备固体片式铝电解电容器。研究了在电化学聚合液中,添加不同种类掺杂剂对所制备的电容器性能的影响。结果表明,分别加入0~0.02mol/L的阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(DBSNa)、质量分数为1.0%~4.0%的非离子表面活性剂聚乙烯醇(PVA)或1.0%~4.0%的聚马来酸(HPMA),都可提高产品的静态容量和降低Res;加入DBSNa和PVA同时能提高产品的耐压值。

电子元件与材料杂志综合信息
体温将为笔记本电脑“充电”46-46

摘要:德国弗劳恩霍夫研究会下属的3家研究所,合作开发出利用人体热量给笔记本电脑和手机供电的热敏发电机。这种热敏发电机的核心是一种半导体元件,能够通过周围环境的冷/热温差获得电能,通常这种温差有10摄氏度就可以产生电流,

电子元件与材料杂志研究与试制
纳米二氧化锰的超电容特性研究47-50

摘要:利用化学混合法制备了非晶二氧化锰/导电碳黑复合材料,比表面积达168.40m^2/g,一次粒子粒径达100nm以下,显示出良好的电容特性,单电极比容可达410F/g。以活性炭作负极组装成电容器,工作电位窗达1.6V,比容量可达35F/g以上,且电容器经500次充放电循环后容量衰减不到5%。