电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2007年第07期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

一种新颖的电流模式双二阶OTA-C滤波器设计1-3

摘要：　提出了一种新颖OTA—C实现的电流模式双二阶通用滤波器。该滤波器具有三个输入端和一个输出端，通过选择不同的输入信号即能实现低通、高通、带通、带阻和全通五种滤波器功能。电路结构简单、中心频率和品质因数可调，灵敏度低，均为0．5。理论分析和SPICE仿真表明所提电路方案正确可行。

电子元件与材料杂志综合信息

等离子反击液晶事件回放3-3

摘要：等离子液晶首次公开叫板;等离子电视白皮书出炉;等离子专业委员会成立;（42×2.54）cm高清等离子电视上市;长虹切入等离子屏领域

电子元件与材料杂志研究与试制

低温制备柔性染料敏化太阳电池TiO2薄膜电极4-6

摘要：采用丝网印刷技术在柔性基底ITO／PET上制备TiO2多孔薄膜，经过低温烧结得到TiO2多孔薄膜电极。以D102染料为敏化剂，KI／I2为电解质，Pt电极为对电极，制成电池后测试了电池的光电性能。结果表明：以乙醇作为分散剂添加到P25粉体中，采用丝网印刷技术制膜，100℃低温烧结可以在柔性基底ITO／PET上制备出表面粗糙度良好、具有一定光电性能的TiO2多孔薄膜电极，用其制作的太阳电池转换效率达1．33％。

Sr取代量对PMNS—PZT压电陶瓷的影响7-10

摘要：采用铌铁矿先驱体法制备了Pb1-xSrx（Zr0．505Ti0．495）n95（Mn1／2Nb1／3Sb1／3）0.05O3（PMNS—PZT）四元系陶瓷，考察了Sr取代量对其结构和性能的影响。结果表明：所得PMNS—PZT陶瓷材料为完全的钙钛矿结构，且随着Sr取代量的增加，经历了从四方-三方相共存再到完全三方相的相变过程，其准同型相界区间位于X为0．01～0．03。Sr取代量的变化对样品的显微组织结构影响不大。当Sr^2＋的取代量x为3％时，kp为0．528，Ｑm为1587，d33为263 pC／N，ε33^T／ε0为1411，tan6为0．35％，能满足大功率超声电机的要求。

电子元件与材料杂志简报

SnO2对锂铌钛系微波介电陶瓷性能的影响10-10

摘要：用SnO2作为掺杂剂对LiNb0.6Ti0．5-xSnO3陶瓷进行改性，研究了SnO2添加量对LiNb0．6Ti0.5O3锂铌钛体系陶瓷的烧结性能，显微结构和微波介电性能的影响。结果表明：随着SnO2添加量的增加，陶瓷体密度和介电常数基本保持不变；而Q·f值随SnO2的加入有所提高，而后随SnO2含量继续增加而快速下降；在1100℃的烧结温度下，当x为0．01时，获得微波介电性能优良的微波陶瓷，其εr为67．8，τf为＋4×10^-6／℃，Q·f为6780GHz。

电子元件与材料杂志研究与试制

微波辐照石油焦制备双电层电容器用活性炭11-13

摘要：　以石油焦为原料，KOH为活化剂，采用微波辐照加热法，制备了石油焦基双电层电容器用活性炭。研究了石油焦与KOH活化剂的比例、微波功率以及微波辐照时间对活性炭孔径分布和比电容量的影响。结果表明：在KOH活化剂与石油焦的质量比为3．5：1，微波功率800w和辐照时间7min时，制备的活性炭比表面积为2031．96m^2/g，比电容量达286．79F／g，以该活性炭作电极的双电层电容器有良好的循环稳定性和充放电性能。

直流电沉积制备一维ZnSe半导体纳米材料14-16

摘要：用二次阳极氧化法制备了多孔阳极氧化铝（AAO）模板。以AAO为模板，在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积了ZnSe半导体纳米线。SPM、TEM测试表明，模板表面形成模孔大小一致、排列规则的阵列。ZnSe纳米线的直径约为60nm，长度约为0．5μm并与模板的孔径和深度一致。在制备过程中，无需去除AAO的基底，喷金或预镀金属等处理，直接在AAO纳米孔内电沉积，制备纳米线。该方法简单、有效并且容易获得有序的半导体纳米线阵列。

影响高压阳极铝箔隧道孔极限长度的因素17-20

摘要：研究了高压阳极铝箔在HCl-H2SO4腐蚀体系中，H2SO4／HCl浓度比、Al^3＋浓度、温度和电流密度对隧道孔长度和铝箔芯层厚度的影响规律。结果表明：提高H2SO4／HCl浓度比、Al^3＋浓度温度和电流密度，均可缩短隧道孔长度和增加芯层厚度。提出隧道孔的生长受Al^3＋在隧道孔中的扩散和铝箔表面扩散层中的扩散共同控制，可以对上述因素的影响规律做出更合理的解释。

ITO薄膜厚度和含氧量对其结构与性能的影响21-23

摘要：在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜，采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系，并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况。以低氧氩流量比（1/40）并控制膜厚在70nm以上进行镀膜，获得了结晶性好、电阻率低且透光率高的ITO透明半导体薄膜，所镀制的ITO膜电阻率降到1．8×10^-4Ω·cm，可见光透光率达80％以上。

电子元件与材料杂志编读通信

下期要目23-23

电子元件与材料杂志研究与试制

径向玻璃封装型NTC热敏电阻器的研制24-25

摘要：为制造径向玻璃封装型NTC热敏电阻器（NTCR），采用sol-gel法制备NTCR纳米粉，流延法制作NTCR芯片，合金焊接径向引线和玻璃封装等方法实现了产品的封装，制备出了一种阻值R25为100kΩ，材料常数B为4200K的径向玻璃封装型NTC热敏电阻器，为径向玻璃封装型NTCR的生产提供了一整套解决方案。

废旧锌锰电池制备Cu掺杂Mn-Zn铁氧体26-28

摘要：以硝酸溶解废旧碱性锌锰电池所得的溶液为原料，以酒石酸为凝胶剂，采用sol—gel法制备出一系列Cu掺杂Mn—Zn铁氧体（Mn0.6-x/2Zn0．4-x/2CuxFe2O4，x=0．1，0．2，0．3和0．4）。经XRD、VSM测试，结果表明：Cu掺杂不仅没有改变Mn—Zn铁氧体的相结构，而且有利于尖晶石结构的形成；Cu掺杂后Mn—Zn铁氧体的Ms、Mr和Hc的变化趋势，都是先增大后减小，最适宜的掺杂量x为0．1。此时，Ms为2．66×10^5A／m，Mr为5．73×10^4A／m，以为1．6/π×10^4 A/m。

900MHz独块同轴微波介质滤波器的仿真29-31

摘要：采用HFSS软件讨论介质滤波器耦合（包括谐振器间的互耦合以及谐振器与外电路的耦合）性能以及中间谐振器谐振长度与其频率的相互关系，得到滤波器外界品质因数与其输入输出端口大小、滤波器级间耦合系数与其耦合孔直径以及中间谐振器谐振长度与其频率之间相互关系曲线，并以此确定所设计的介质谐振器滤波器结构尺寸。根据讨论结果，最终设计出的滤波器性能指标为：中心频率899．5MHz，带宽14MHz，带内波动0.8dB，通带损耗1．5dB，性能满足移动通讯要求。

sol—gel燃烧合成CLST陶瓷32-33

摘要：采用sol-gel法合成了CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2（CLST）陶瓷粉体。用XRD、TEM等手段对CLST粉体和CLST陶瓷的相结构和形貌进行了表征，同时测试了不同烧结温度的CLST陶瓷的介电性能。结果表明：CLST前驱体在900℃煅烧3h，晶体结构已经完全形成，主晶相为斜方钙钛矿结构，一次粒子粒径约60nm。1150℃烧结3h时，CLST陶瓷表现出优良的介电性能：εt为110，tanδ为0．008，τf为11×10^-6／℃。

电子元件与材料杂志测试技术

DUO-ICP-AES测定铅锡合金焊料中的铅镉铬汞34-37

摘要：应用微波消解系统，将电子电气产品中铅锡合金焊料样品用1mL浓氢氟酸、5mL浓硝酸和5mL浓过氧化氢加热溶解后，加入10mL4％硼酸掩蔽过量的氟离子。然后用双向视电感耦合等离子体原子发射光谱仪（DUO—ICP—AES）同时测定溶液中的铅、镉、铬和汞。方法的检测限为0．0022～0．015mg·L^-1，方法的回收率和精密度分别为94．5％～98．7％和0.34％～3.36％。

电子元件与材料杂志研究与试制

低漏电流聚吡咯铝电解电容器的研制38-41

摘要：采用化学氧化聚合法在铝箔上原位聚合聚吡咯阴极层，研究了不同氧化剂、4-硝基酞酸加入方式对聚吡咯电容器性能的影响。结果表明：添加4-硝基酞酸明显降低了电容器的漏电流，制备出tanδ为0．012（100Hz），IL小于0．8μA，且具有良好频率特性的固体片式铝电解电容器。

电子元件与材料杂志综合信息

电子信息百强企业应当创新先锋41-41

摘要：新一届电子信息百强企业于2007年6月7日公布了。虽然今年销售收入上千亿元的仍只有联想和海尔两家，但联想进入财富全球500强最低门槛，无疑使2007年成为百强排序21年来的一个标志年。

电子元件与材料杂志研究与试制

高频电介质新材料Ba2Ti3Nb4O18陶瓷42-45

摘要：采用氧化物固相反应法制备了理论密度达96、8％以上的Ba2Ti3Nb4O18高频电介质陶瓷。XRD和SEM分析表明：该陶瓷为两相混合结构，主晶相为单斜Ba2Ti3Nb4O18相，次晶相为六方Ba2Ti3Nb4O21相。1250℃／2h烧结瓷体Ba2Ti4Nb4O21相的体积分数为5％-8％，1MHz下的介电性能为：εt约为38，tanδ约为1,6×10^-4，ac约为-8．51×10^-6/℃。