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摘要:通过分析向列型液晶移相器的原理、结构及可以达到的技术指标,指出采用倒置微带结构设计的液晶移相器的移相度可以达到360°,品质因数可以达到12°/dB,而且运行电压只有30V左右。在此基础上,提出了该种移相器研究中存在的问题以及改进的办法。向列型液晶移相器具有独特的优势和发展潜力,不久的将来会在相控阵雷达以及卫星通讯等领域起到关键作用。
摘要:以PVA和PAA乳液为粘合剂,用水基流延法制备了BaTiO3基片式PTC陶瓷基片。研究了粘合剂、固相含量等对浆料黏度及流变行为的影响,同时对流延基片的干燥工艺、烧成曲线等也进行了研究。结果表明,将流延干燥后的基片,在1320℃空气中烧结30min,所得PTC样品的升阻比大于6个数量级,温度系数大于16%/℃,能够满足叠层PTC器件的制备要求。
摘要:采用非均匀形核表面淀积法,在水热钛酸钡纳米晶粉体表面包覆Nb、Si、Mn,实现了Nb、Si、Mn与钛酸钡(BT)粉体的均匀混合。研究了掺杂量和烧结制度对PTC陶瓷性能的影响。结果表明,通过表面包覆工艺进行Nb掺杂的BT,在1220℃已半导化,在1250℃烧结的x(Nb)为0.18%的BT陶瓷,其ρ25为4.3Ω·cm,β为1.7。通过控制冷却速率,可以改变陶瓷的升阻比(β)。1260℃烧结的Nb、Si、Mn掺杂BT陶瓷的ρ25为8.5Ω·cm、β比单纯Nb掺杂提高至4.9。
摘要:采用循环伏安法在不锈钢网上合成了导电聚苯胺(PANI)。研究了合成扫速分别为5,10,20,50,100mV/s时聚苯胺电极的性能。结果表明,扫速为5mV/s时生成的聚苯胺膜孔隙最小,比表面积最大,电阻最小,具有最好的电容性能,在0.1A/g和1A/g充放电电流密度下,其比容量分别达860F/g和485F/g。
摘要:在不同的热氧化温度下,用液相生长热氧化法(RGTO)制备了SnO2薄膜。探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响,并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能。测试结果表明:260℃工作温度下,600℃热氧化制备的SnO2薄膜气敏元件,对氢气的灵敏度最佳。在100-1000mg·kg^-1的氢气浓度范围内,灵敏度由47递增至70。
摘要:为了验证软磁合金复合材料(SCM)对传导干扰电流的抑制作用,建立了微带线(MSL)装置模拟印制线路板(PCB),通过测量放置复合材料前后MSL的S参数变化来分析材料的传导干扰抑制性能。在同等条件下,进行了SCM与其它类干扰抑制材料(磁性金属复合材料、铁氧体材料)的对比测试。结果表明,1.8GHz时SCM的最大损耗功率比(Ploss/Pin)为0.4,明显高于其它材料,具有优越的传导干扰抑制性能。
摘要:采用典型的电子陶瓷工艺,制备了不同SrCO3含量掺杂的TiO2压敏陶瓷。通过对试样的压敏特性、电容特性的测试,研究了不同SrCO3含量对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。结果表明,随着掺入SrCO3含量的变化,TiO2压敏陶瓷的电性能呈现一定的变化规律。当x(SrCO3)为0.5%时,试样表现出最好的压敏特性:VlmA为7.2V/mm,α为3.6,品为8.3×10^4,tanδ为0.53。
摘要:将市售活性炭用Ni(NO3)2及Co(NO3)2溶液浸渍后进行高温热解处理。采用BET、循环伏安、恒流充放电等测试手段,研究改性活性炭电极构成的双电层电容器(EDLC)性能。结果表明,由Ni(NO3)2及CO(NO3)2热解产生的NiO、CoO有显著的准电容效应,与活性炭原有的双电层电容构成了复合电容,因而改性炭的电容量有明显提高,质量比电容分别高达246.1,198.8F/g,比原样炭的130.1F/g分别提高了89.2%、52.8%。
摘要:利用ANSYS有限元理论模型,对AT切石英晶体受沿x轴方向的对径力作用时,晶片内的应力分布进行了分析计算;通过在不同区域蒸镀电极的方法对石英晶体的力频特性进行了实验检测。结果表明,ANSYS理论计算结果与实验结果近乎一致,最大误差约为4%。
摘要:在WO3粉体材料中加入催化剂(Pt,PtO2,Pd或PdCl2),于600℃烧结1h制成旁热式厚膜可燃性气体敏感元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热功率与元件灵敏度(β)的关系以及催化剂对元件的响应-恢复时间的影响。结果表明:WO3基元件掺入质量分数为0.5%的催化剂,在加热功率为600mw时,能提高元件的灵敏度2~10倍,元件的响应时间缩短63%-78%,恢复时间缩短84%-95%。
摘要:用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5 Zn0.7 Cd0.3 Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100kHz,测试电场强度为1.33×10^6V/cm的条件下,介电可调率达到11.8%,tanδ小于0.0042。
摘要:采用超声辅助分离的方法,选取适当的有机溶剂,调整超声作用时间及超声作用后溶液静置的时间,使锂离子电池正极涂层从铝箔上溶解下来。此方法可以直接回收铝箔,与铝箔分离的含钴酸锂的涂层可以作为钴化工产品的原料。当超声波作用时间不少于20min,超声作用后溶液静置时间不少于60min时,100mL的强极性溶剂DMAc可以分离14.6g正极材料。用过的有机溶剂可以通过蒸馏回收再利用,目前其回收率约为78%。
摘要:为了实现电子元器件的快速制备,设计并实现了一种微型笔直写装置。利用该装置进行了电阻浆料的直写制备。研究了直写电阻元件的工艺特点、表面形貌和性能。得到了优化的工艺范围:笔头通径100—450μm,笔头到基板表面距离8-20μm,电阻高温烧结之后线宽100—500μm,膜厚5—15μm。所直写的电阻边缘整齐,表面较平整,烧结后,方阻约为0.92kΩ/口。
摘要:关键技术 ①大投料量、高均匀晶体材料制备技术;②大直径晶体材料及外延片工艺生长和规模化生产技术;③低位错密度的化合物半导体外延技术;④纳米级粉体制备工艺技术;⑤低温共烧工艺技术;⑥陶瓷薄膜生长技术;⑦微组装技术;⑧高频、高稳定、大带宽、频率器件设计和制造技术;⑨多层、柔性、柔刚结合和绿色环保印制电路板技术;⑩阴极可靠性增长技术;(11)真空电子器件的宽频带、高效率技术;(12)传感器和敏感元器件技术;(13)新型绿色电池技术。