掺氟二氧化锡纳米粉的制备及电性能研究
作者：何云; 白凡飞; 贺平; 贾志杰; 谭铭
摘要：以SnCl2·2H2O、HF为原料,采用共沉淀法合成了掺氟二氧化锡FTO （SnO2：F）纳米粉.在氧化的过程中进行掺杂,使F原子更容易取代O原子,在400 ℃低温下蒸发得到了低电阻率的FTO纳米粉.应用SEM、XRD、EDS和压片测电阻等方法,对所获粉体进行了表征.结果表明,F的掺杂明显降低了SnO2的电阻率.当r （Sn：F）为10：3时,FTO纳米粉的电阻率最低,为57.2Ω/cm.
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关键词：
- 半导体技术
- 掺氟二氧化锡
- 纳米粉
- 低电阻率
- 共沉淀法
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