采用氧化物复合底电极的BTO薄膜结构和性能
作者：尹章; 张鹰; 朱俊; 李言荣
摘要：用球磨法制备Bi4Ti3O12（BTO）靶材.用PLD法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上先分别以三种氧化物SrRuO3（SRO）、LaSrCoO3（LSCO）、LaNiO3（LNO）和Pt生成复合底电极,再在其上生长了外延取向的BTO薄膜.分析了薄膜的结构和性能.结果表明,这种BTO薄膜的c轴取向得到抑制,其极化强度从0.45×10-6 C/cm2提高到0.9×10-6 C/cm2;矫顽场强从90×103 V/cm下降到50×103 V/cm.
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关键词：
- 无机非金属材料
- 铁电材料
- bto薄膜
- pld
- 氧化物复合底电极
- 电滞回线
- 疲劳特性
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