电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2007年第02期杂志 文档列表

无机介质材料的微波介电特性测量1-4

摘要：对当前微波介质材料研究中常用的传输线法，空腔微扰法，平行短路板法，谐振腔法，分裂圆柱形谐振腔法等几种有代表性的测试方法作了概括介绍，并对相应的不同测试方法的测试精度及优缺点进行了评价。相对于频域测试，时域测试法具有固有的宽频带、快速以及简便等优点，该方法近来越来越受到重视。

2005年开始起草制定的八个行业标准4-4

基于阳极氧化铝模板的金属纳米孔阵列膜制备5-6

摘要：以0．3m01／L草酸为电解液，在40v直流电压、0-5℃下采用二步阳极氧化法制备了纳米多孔阳极氧化铝模板。用射频磁控溅射法在阳极氧化铝模板表面制备了金属铝膜。SEM分析结果表明：金属膜复制了阳极氧化铝模板形貌，具有纳米孔有序阵列结构：金属膜的孔径受控于溅射功率和时间，功率30W下沉积10min约为68nm，32W下10min约为58nm，32W下15min约为25nm。

超级电容器的阻抗特性及其复空间建模7-10

摘要：以阻抗平面图分析法研究超级电容器的阻抗特性，揭示了该特性的典型区域：45°斜率的Warburg阻抗线和接近于垂直斜率的低频阻抗线，以此建立了四参数（Rs，R，C，p）表示的超级电容器复空间模型。试验结果表明，该模型预测的充电过程端电压变化历程与试验数据有着良好的一致性和适应性。

纳米Cu2O花的制备及其光学性质研究11-13

摘要：以Cu（CH3COO）2·H2O为原料，CTMAB（十六烷基三甲基溴化铵）和Na0H为添加剂，NaBH4为还原剂，通过液相法在低温（60℃）的条件下分步合成了纳米Cu2O花。采用XRD、SEM、TEM和紫外-可见吸收光谱分析等手段对纳米Cu2O花进行了表征．结果表明，纳米Cu2O花的生长过程符合成核-溶解-再结晶的机制。对照实验发现，NaOH和CTMAB的浓度对最终纳米花的形成起了关键性的作用。

二维压电射流陀螺的研究14-16

摘要：提出了一种二维压电射流陀螺。采用双垂直热电阻丝，敏感二维角速度；通过简支边支撑压电泵振子，提高了陀螺的灵敏度：采用叠片状圆台凹槽型喷嘴，提高了该陀螺的稳定性和重复性；利用软件补偿处理，提高了陀螺的温度性能和线性度。实验表明，该陀螺的灵敏度提高近一倍，零位变化量从10％下降到≤0．2％，工作温度从-10-＋40℃扩展到-45-＋65℃，非线性度从1％下降到≤0．5％，灵敏度的变化量从10％下降到≤0．6％。

无铅镀层16-16

摘要：目前无铅标准还没有完善，因此无铅元器件焊端表面镀层的种类很多。美国镀纯Sn和Sn／Ag／Cu的比较多。日本的元件焊接端镀层种类比较多，各家公司有所不同，除了镀纯Sn和Sn／Ag／Cu外，还有镀Sn／Cu、Sn／Bi等合金层。由于镀Sn的成本比较低，因此采用镀Sn工艺比较多，但由于Sn表面容易氧化形成很薄的氧化层，加电后产生压力，在不均匀处会把Sn推出来，形成Sn须。Sn须在窄间距的QFP等元件处容易造成短路，影响可靠性。对于低端产品以及寿命要求小于5年的元器件可以镀纯Sn，对于高可靠产品以及寿命要求大于5年的元器件采用先镀一层厚度约为1μm以上的Ni，然后再度2～3gm厚的Sn。

雾化共沉淀法制备Ce0．8Gd0．2O1．9纳米粉体17-19

摘要：采用雾化加料的方式，以碳酸氢铵为沉淀剂，制备了纳米Ce0．8Gd0．2O1．9粉体。探寻了制备过程中影响粉体颗粒大小及团聚的工艺参数，并对影响机理进行了探讨。结果表明：将沉淀剂雾化加入的工艺有利于得到分散性好，尺寸均匀的纳米粉体。在最佳工艺参数点，即（Ce^3＋Gd^3＋）浓度为0．2mol／L，反应温度为60℃，r[AHC：（Ce^3-FGd^3）】为3：1，制得的纳米Ce0．8Gd0．2O1．9颗粒粒径在15nm左右。

制备工艺对ZnO薄膜的结构与光学性质的影响20-23

摘要：利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面（0002）取向的ZnO外延薄膜。通过AFM、XRD、吸收光谱和荧光光谱等测试手段，分别研究分析了不同衬底、不同溅射气氛和退火对ZnO薄膜结构及光学性质的影响。研究表明，在200℃低温生长的硅基ZnO薄膜具有几百纳米的氧化锌准六角结构外形；当氧氩比为4：1（质量流量比）时，吸收谱激子峰最佳；退火后，激子峰（363nm）加强，同时出现了402nm的本征氧空位紫光发射。

电导率对旋波介质吸波性能的影响24-26

摘要：旋波介质的吸波性能与介质的手性参量有关，而手性参量又与介质的电导率有关。制备了4种不同电导率基底的旋波介质，根据自由空间测量旋波介质手性参量的方法，通过测量两次复反射系数、透射偏转角和椭偏率，计算得到介质的手性参量和吸波性能．结果表明，改变旋波介质基底的电导率，可以调节旋波介质的电磁性能和吸波性能，当基底的电导率为4．2×10^-2S／cm时，旋波介质的吸波效果最好，其反射系数的最小值达乏4dB。

德国曼浦汉克化工（上虞）有限公司（MCP—HEK）杭州分公司正式成立26-26

摘要：MCP集团于1948年成立，主要生产各种稀有金属及其化合物，从1863年起，MCP就开始铋金属的生产，其产品销售网络覆盖全球。2005年1月MCP集团在浙江上虞市独资新建生产性企业——曼浦汉克化工（上虞）有限公司。

变间隙自感式传感器线性度和量程关系的探讨27-30

摘要：简要分析了一类非线性传感器的输出特性，在此基础上，运用最佳一致逼近理论，导出了线性度和量程之间的关系式，并进行了实例计算和MATLAB仿真，同时与传统方法所得结果做了比较。结果表明，当输入值相对变化量为0．1时，非线性误差由原来的10％降为1．25％；而当非线性误差给定为1％时，输入的相对变化量由0．01增加为0．08，即量程是原来的8倍。

氧化锆材料的新应用30-30

摘要：氧化锆材料具有独特的化学键以及晶体结构，因此在高温、导电、机械、光学等领域都有着特殊用途，大体可分为结构陶瓷和功能陶瓷两大应用。

SnO2纳米粉体的制备及其气敏性能研究31-33

摘要：以Sn粒为原料，在柠檬酸体系中，用s01．gel法合成了具有四方晶系的SnO2粉体．用XRD、TEM对产物的组成、粒径、形貌进行了表征。结果表明：产物为平均粒径25nm左右的圆球形颗粒．另外，在最佳工作温度300℃时，采用静态配气法测试了材料的气敏性能，发现SnO2对体积分数为5×10^5的氯气的灵敏度高达805，而且对其它气体有很好的抗干扰能力。元件的响应恢复特性良好，响应时间和恢复时间分别为3s和7s。

一种挠性印制电路基板的研制34-36

摘要：以脂肪族二胺、芳香杂环二胺和芳香四羧酸二酐或芳香四羧酸二酐、芳香族二胺为原料，N-甲基吡咯烷酮为溶剂，合成两种聚酰胺酸。逐层涂覆，制备了表面为热可塑聚酰亚胺的三层聚酰亚胺复合膜，与铜箔热压复合制备了双面覆铜挠性印制电路基板。热塑性聚酰亚胺胶的玻璃化转变温度为133℃，三层聚酰亚胺复合膜的结晶熔融温度为222℃。该挠性印制电路基材平均剥离强度为7．1N／cm。

新型低插损的铁电移相材料37-39

摘要：实验研究了Bi203掺杂量对钛酸锶钡，氧化镁复合体系介电常数、介质损耗等性能的影响。结果表明控制掺杂Bi203质量分数在0．25％左右时，Ku频段厂在12～18GHz，εr为170左右，tan εδ为0．01左右，材料的电性能得到大大的改善，满足了雷达移相器的应用要求。

欧文斯科宁推出MicroMax^TM短切原丝用于高性能热塑性塑料的突破性增强技术39-39

摘要：2006年11月1目欧文斯科宁公司（OWENQ．OB；NYSE：OC-WD）在2006年复合材料及强化塑胶展览会上（Composites＆Polycon2006）宣布在全球推出其最新的增强材料开发成果，MicroMax^TM微径短切原丝，该产品将使超薄高性能热塑性塑料部件产生革命性的变化。与标准玻璃纤维填充的部件相比，MicroMax增强材料可以降低部件壁厚最高达40％，对先进电子元件持续小型化趋势起到帮助作用的同时还可大大提高使用性能。

氧化铝陶瓷基板化学镀铜金属化及镀层结构40-42

摘要：通过化学镀铜在氧化铝陶瓷基板表面实现了金属化，采用SEM研究了镀铜层表面微观形貌以及热处理的影响，检测分析了金属化镀层附着力。结果表明：通过控制镀液中铜离子浓度以及铜沉积速率，在基板表面可形成均匀致密的铜金属化层；热处理后进一步提高镀层致密化和导电性，其方阻由3．6mΩ/□降为2．3mΩ/□。划痕法测试表明镀铜层与氧化铝陶瓷基板结合紧密无起翘，可以满足敷铜基板的要求．