电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2007年第01期杂志 文档列表

我国电子元件及材料研究发展的挑战与机遇1-3

摘要:从国家发展需求和国际相关领域产业发展和研究开发的背景出发,分析了我国无源电子元件关键材料发展的挑战和机遇,提出了近几年相关领域研究发展的战略建议。

能源及半导体照明:极具发展潜力3-3

摘要:能源是本世纪全球性的最为突出的问题,能源产业将成为全球的支柱产业之一,这一领域的市场潜力巨大。 在光电子产业里,用于能源领域最有代表性的是半导体照明产业和光伏产业(太阳能电池)。

聚噻吩类有机聚合物材料光电性能研究进展4-7

摘要:介绍了典型的具有光电性能的噻吩类聚合物材料,包括烷基取代聚噻吩、联苯基最代聚噻吩、芴与噻吩共聚物及一些新型的噻吩类聚合物。对它们的结构、光学性能、电致发光性能进行了归纳和总结,讨论了不同类聚噻吩的特点,对比了随取代基种类、位置及个数的不同其聚合物性能的优缺点,并对其研究和应用前景进行了展望。

扭转过分追逐SCI的坏风气7-7

摘要:在科研经费中,有一项是用于学术交流的费用。中国科协书记处书记冯长根指出,这项费用应当占到10%左右,可是目前远远达不到。虽然社会上垃圾会议、垃圾论文很多,但为了改善中国的“学术生态”,仍应提倡多开展学术交流。当然,除了改善会议方式,还必须提高交流的质量。

Ni3Al/聚酯复合材料的制备及电磁特性研究8-10

摘要:采用高能球磨结合热处理工艺合成的金属间化合物Ni3Al粉体,与不饱和聚酯复合制备了Ni3Al/聚酯复合材料,应用微波网络S参数法测量了Ni3Al/聚酯生物复合材料的复介电常数、复磁导率及反射率等电磁性能,结果表明:Ni3Al/聚酯复合材料,在一定频率范围内具有良好的吸波性能,在1~3.25GHz范围内其反射衰减率均小于-10dB,该复合材料在民用电磁防护方面具有很好的应用前景.

工艺参数对熔盐法制备SrBi4Ti4O15粉体的影响10-10

摘要:采用熔盐法制备了各向异性生长的SrBi4Ti4O15粉体,研究了工艺参数对晶粒形貌和尺寸的影响。发现煅烧温度、盐的种类和盐的用量显著影响晶粒的形貌和尺寸。晶粒平均尺寸随着温度升高而逐渐增大,由不规则片状向圆片状发育。随着盐用量的增加,晶粒平均尺寸先增大后减小,且在硫酸盐中,晶粒尺寸明显大于相同条件下盐酸盐中的尺寸。和固相法相比,熔盐法合成的粉体具有(00l)择优生长的优点。通过调整工艺参数可以控制晶粒的形貌和尺寸,制备各向异性生长的SrBi4Ti4O15粉体.

高能球磨法制备高电位梯度的ZnO压敏电阻11-13

摘要:为了制备高电位梯度的ZnO压敏电阻,采用了新的粉体制备方法,即高能球磨Bi2O3和Sb2O3两种添加剂12h,再与其它氧化物共同高能球磨5h。扫描电镜及各个烧结温度下电性能、致密度的实验结果证明:些法制备的粉体压片后,1000℃烧结时,其电位梯度高达1516V/mm,漏电流为3.0μA,非线性系数为22。

自组装法合成导电聚吡咯纳米线14-16

摘要:以多孔氧化铝为模板,合成导电聚吡咯纳米线.利用SEM对聚吡咯进行了表征,结果表明:在吡咯单体浓度为0.2mol/L,电压1.0V,时间1600s的条件下,制得的聚吡咯会有大量的微触手结构出现,且表面光滑,比表面积较大,并初步探究了聚吡略微触手结构的形成机理。

La和Y掺杂对BaTiO3基PTC陶瓷性能的影响17-19

摘要:采用低温固相反应(800℃)法合成了一系列纳米掺杂BaTiO3基PTC瓷粉。经XRD分析,产品为立方晶系的完全互溶取代固溶体。分别研究了La和Y双施主掺杂以及烧结条件对材料PTC性能的影响,实验表明,以La和Y进行双施主掺杂可使材料的室温电阻进一步降低,升阻比提高。通过合理地调整双施主的相对含量,优化烧成制度,制备出了室温电阻为14.25Ω,升阻比达3.7×10^4的PTCR材料。

超声法制备TiO2纳米棒及其光催化性质的研究20-22

摘要:研究了TiO2纳米棒的制备和形成机理及其在光催化降解活性艳红中的应用。采用超声法,以TiCl4为原料,制备了纳米TiO2。SEM结果显示所制备的TiO2为棒状结构,直径30nm左右,长约200nm。比表面积为60.5007m^2/g。XRD显示其为金红石型晶体,700℃烧结后结晶程度增强,的TiO2纳米棒700℃烧结后应用于光催化降解活性艳红时,形貌保持不变,比表面积降到37.9632m^2/g。超声法制备降解率高达98.94%,表现出优于P25的催化活性。

钴镍铁氧体磁性粉体的制备与性能研究23-25

摘要:采用化学共沉淀法制备钴镍铁氧体磁性粉体,探索了制备工艺,测定了磁性能。结果表明:CoxNi1-xFeO4的比饱和磁化强度随着Co含量的增加而增强;合理的制备工艺条件为:75℃水浴;NaOH浓度取3mol/L、过量25%、缓慢滴加;反应时间130min;磁性颗粒粒径为15nm左右。在此工艺条件下,其比饱和磁化强度可达到40Am^2/kg。

日本封装技术文献25-25

天体对太阳敏感器的测姿影响及其防护措施26-29

摘要:姿态控制系统是卫星得以持续正常工作的保证。太阳敏感器在轨道运行时,容易受到天体的干扰而引起卫星姿态异常。简要介绍了太阳敏感器的工作原理。分析了天体对太阳敏感器的干扰情况。分析表明,敏感器受天体的干扰影响,与天体反射太阳光和入射太阳光在太阳敏感器位置的辐照比值有关。最后,针对可能存在的干扰,提出了相应的防护措施。

合成工艺对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷性能的影响29-29

摘要:研究了前驱体合成(又称铌铁矿合成)与传统的氧化物混合合成,对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷性能的影响。结果表明,前驱体合成工艺能够在合成过程中避免焦绿石相的生成。并且相比较于氧化物混合合成的工艺,它能使得压电陶瓷的压电常数如3由475pC/N提高到530pC/N,机械品质因数Qm从96提高到185,介质损耗tanδ也从0.020降低到0.009。综合实验分析结果得出前驱体合成方法是一种更加优异的合成方法。

ULSI用氟化类金刚石薄膜的研究30-32

摘要:以CF4和CH4为源气体,用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.采用FTIR仪、XPS对样品进行了测试、分析。结果表明,在薄膜内主要含有C-Fx(=1,2,3)、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键;薄膜的εr为2.07-2.65。εr与膜内F的相对浓度有关,随着沉积功率的增大,膜内F、H的含量均降低,εr升高。

低温固化银系导电油墨导电性能的影响因素33-35

摘要:为了提高低温固化银系导电油墨的导电性,对导电机理进行了研究。通过实验研究了聚合物分子结构,银粉的含量、形貌、粒径,溶剂种类对导电性能的影响。得出:氯化聚乙酸乙烯为主体树脂,以片状与球状混合银粉(质量比为9:1)为导电填料,并以酮和酯组成混合溶剂,调制的导电油墨导电性最好,其Rs达9mΩ/□。

Ni-Al薄膜的制备和电性能研究36-39

摘要:用双靶直流磁控共溅射制备了NiAl(1-x)(0.75〈x〈0.8)金属间化合物薄膜及掺氧Ni-Al薄膜。利用AFM、SEM-EDS、XRD对Ni-Al合金薄膜的表面形貌、组分和晶相结构进行了表征和分析。结果表明,制备的合金薄膜表面致密平整,结晶良好,且具有(111)择优取向。合金薄膜电阻随温度呈线性变化,表现为正的电阻温度系数。氧气的引入阻碍了薄膜的晶化过程使薄膜表面粗糙度增加,晶粒细化,薄膜具有不同于合金薄膜的导电机理。

sol-gel法制备BST薄膜及介电调谐性能40-42

摘要:采用sol-gel法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜。探讨了溶胶中醋酸和乙二醇用量对BST晶化温度和物相的影响,配制出了晶化温度低且无杂相的BST溶胶,对比了退火升温速率对BST薄膜形貌的影响。发现在低速率升温条件下生长的薄膜致密、均匀一致,无气孔、裂纹。测试了薄膜的介电调谐性能,在室温IMHz下,BST薄膜的εr、tanδ和T分别为592,0.025和42%。