电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2006年第12期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

A和B位替代对BaO-Ln2O3-TiO2陶瓷性能的影响1-4

摘要：介绍了A位、B位及A、B位共同替代对BaO-Ln2O3-TiO2体系微波介质陶瓷性能的影响。指出A位替代和A、B位共同替代能有效改善陶瓷的性能，单纯B位替代不利于陶瓷性能的改善。A、B位替代影响陶瓷的性能与大的溶限因子和电负性差异有关，但其机理和替代前后的固溶体结构还有待进一步研究。

AIN陶瓷厚膜金属化研究进展5-7

摘要：简要论述了AIN陶瓷由于自身结构特点而导致的其厚膜金属化的困难、提出了解决的主要方法。阐述了AIN陶瓷厚膜金属化的三种主要结合剂（玻璃结合系；反应结合系；混合结合系）的结合机理，综述了三种主要结合剂以及AIN陶瓷厚膜金属化用金属体系的研究现状及最新进展。

多层片式压敏电阻器的最新发展动向8-11

摘要：介绍了多层片式压敏电阻器的现状，分析了当前工艺中存在的问题（内电极与瓷体材料的反应和端电极的爬镀）和解决的办法，指出了其最新的发展动向。在工艺技术乖应用上，多层片式压敏电阻器向小型化、阵列化、模块化及低电容等方向发展；同时还要从环境保护和生产成本角度来考虑，采取水基流延制备工艺和采用新配方或纳米材料来降低压敏陶瓷烧结温度。

层状多元复合正极材料的研究进展12-15

摘要：综述了近期锂离子电池层状多元复合正极材料的研究进展。重点介绍了提高电化学性能的方法，分析了影响电化学性能的因素。进一步预测了该材料的发展前景，认为该材料综合了层状LiNiO2、LiMnO2和LiCoO2等材料的优点，具有广阔的市场前景和开发价值。

电子元件与材料杂志企业之窗

风华2006年上半年经营工作会议隆重召开15-15

摘要：据悉2006年8月25日下午，风华公司召开上半年经营工作会议。会议指出，1-6月，全公司累计实现销售收入10亿元，完成全年经营任务的50％，比上年同期增长34％；实现税金6279万元，出口创汇4030万美元，分别比去年同期增长16．8％和1．3％，各项经济指标均创2001年来的新高。公司领导在会上充分肯定了公司上半年取得的成绩，鼓励风华人再接再厉，再创辉煌。

风华公司技术创新奖项揭晓15-15

摘要：风华公司一年一度的技术创新项目验收获奖结果最终揭晓并发文公布。本年度共评定出获奖项目13项，其中特等奖1项，一等奖3项，二等奖5项，三等奖4项。

电子元件与材料杂志综述

高压电容器用铁电陶瓷16-19

摘要：介绍了用于高压电容器的三类陶瓷材料，即BaTiO3基铁电陶瓷、SrTiO3基铁电陶瓷和Pb（Mgt／3Nb2/3）O3（PMN）基铁电陶瓷。对它们各自的特点进行了评述，给出了其组成和性能，并对进一步研究提出了看法。

电子元件与材料杂志综合信息

欢迎订阅2007年《人工晶体学报》19-19

电子元件与材料杂志研究与试制

旋转载体驱动硅微机械陀螺的设计和性能检测20-26

摘要：提出了一种利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺，分析了该陀螺的工作原理，建立了这种陀螺的数学模型，设计了该陀螺的敏感结构，计算了陀螺的结构动力学参数，设计并分析了陀螺的信号检测与处理电路并针对该陀螺的特点设计了性能测试装置。理论研究和性能测试表明，利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺结构原理正确。

微机电光学电流传感器的设计27-30

摘要：提出了一种检测50Hz交流电的微机电光学电流传感器。通过电磁学、微机电与光学方法说明了传感器的敏感原理与光学转换原理，结合工艺条件给出了器件的设计要求，并利用matlab软件模拟分析了传感器的仿真测试结果。计算表明，器件可以测试1～7．2kA的交流电，大电流下的灵敏度可达到0．01dB／A以上。

电子元件与材料杂志编读通信

诚聘英才30-30

电子元件与材料杂志研究与试制

微波加热法制备电极材料活性炭31-33

摘要：以煤为原料，KOH为活化剂，采用微波辐射加热法和电阻炉加热法制备出双电层电容器用活性炭。对比研究了两种工艺下KOH用量、活化时间对活性炭比电容量的影响，考察了活性炭双电层电容器的充放电特性。结果显示：微波活化时，ζ（KOH：煤）为3：1，起电弧时间5min，比电容为283．67F／g；电阻炉活化时，ζ（KOH：煤）为4：1，保温时间为1h，比电容为235．55F／g。经过100次循环充放电后，微波法和电阻炉法所得的活性炭的比电容分别保持在98．10％和91．04％。

一类新型高导热环氧模塑料的制备34-36

摘要：采用Si3N4陶瓷作填料，制备了一类新型高导热的环氧模塑料，研究了Si3N4的含量、分布及其形态对复合材料的导热性能及介电性能的影响。结果表明：随着Si3N4粉末体积填充量的增加，复合材料的热导率显著提高，当填充量体积分数为60％时，复合材料的热导率达到2．3W／（m·K），其介电常数随体积填充量的增加亦有所增加，但仍然维持在低水平。采用Agari模型进行理论计算的结果表明，该体系导热性能的提高与Si3N4填料之间热传导网络的形成有关。

B—Zn复合掺杂的LNT微波介质陶瓷的低温烧结37-40

摘要：研究了烧结助剂B2O3、ZnO对Li0.925Nb0．375Ti0.8O3（LNT）陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明：B2O3-ZnO复合掺杂能有效降低烧结温度至900℃。ZnO的添加调节了LNT陶瓷正的频率温度系数，质量分数为1％的B203和4％的ZnO是最佳添加量，可得到εr为59．5，Q·f为7840GHz，τf为0×10^-6℃^-1的微波介质陶瓷材料。

恒温磁力搅拌下KOH刻蚀Si的研究41-43

摘要：采用恒温磁力搅拌的方法，在KOH溶液中湿法刻蚀Si.在掩模层为SiO2时，研究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系。结果表明：在110℃、30％的KOH溶液下，刻蚀Si（100）可以得到4.0μm／min的刻蚀速率，Si（100）：SiO2的刻蚀速率比为550：1，Si（100）：Si（111）的刻蚀速率比为90：1，而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状。

Mn掺杂对BaSnO3陶瓷的NTC特性的影响44-46

摘要：以BaCO3和SnO2为主要原料，以Mn为受主掺杂，再掺入其它微量的烧结助剂和施受主杂质，用固相法制备出具有NTC特性的BaSnO3陶瓷。在30-190℃的测试温区内，x（Mn）为1．0％～1．8％的掺杂BaSnO3陶瓷材料，其电阻-温度特性呈现良好的线性关系；B值和电阻随着Mn掺杂量的增加而变大，B值的变化范围为5200-6100K；30℃时样品的电阻率变化范围为1.16×10^6～1.11×10^7Ω·cm。

基于QFP技术的高频集成电路封装设计47-50

摘要：通过对标准QFP引线框架的改造，实现了一种高频集成电路芯片的封装设计。介绍了利用电磁场仿真软件进行封装的3D建模，并提取封装结构的模型参数，进行信号完整性分析的方法。实例验证表明，此方法以较低的封装成本，较好地减少了长键合线及框架引脚对高频信号的影响，在现有的封装技术基础上提供了实现高频，高速集成电路封装的新思路。

电子元件与材料杂志综合信息

《电子信息产品污染控制管理办法》与欧盟RoHS指令比较50-50