氧化热处理SrTiO3压敏电阻的电容弥散频率

作者:陈志雄; 庄严; 李红耘; 丁志文; 熊西周

摘要:经测量氧化热处理后SrTiO3压敏电阻的电容频率和复阻抗,结果表明:升高热处理温度提高压敏电压时,电容弥散频率显著降低,晶粒电阻明显增大。由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区。界面驰豫方程确定的特征驰豫时间和电容弥散频率计算式,与晶粒和晶界的电物理参数相关,弥散频率的计算值与实验结果定性相符。热处理温度升高使氧过度向晶粒体内扩散,导致晶粒电阻明显增大,是弥散频率降低的主要原因。

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关键词:
  • 电子技术
  • srtio3压敏电阻
  • 电容弥散频率
  • 界面驰豫极化
  • 氧化热处理

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期刊名称:电子元件与材料

期刊级别:北大期刊

期刊人气:8155

杂志介绍:
主管单位:工业和信息化部
主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
出版地方:四川
快捷分类:电子
国际刊号:1001-2028
国内刊号:51-1241/TN
邮发代号:62-36
创刊时间:1982
发行周期:月刊
期刊开本:A4
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