氧化热处理SrTiO3压敏电阻的电容弥散频率
作者:陈志雄; 庄严; 李红耘; 丁志文; 熊西周
摘要:经测量氧化热处理后SrTiO3压敏电阻的电容频率和复阻抗,结果表明:升高热处理温度提高压敏电压时,电容弥散频率显著降低,晶粒电阻明显增大。由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区。界面驰豫方程确定的特征驰豫时间和电容弥散频率计算式,与晶粒和晶界的电物理参数相关,弥散频率的计算值与实验结果定性相符。热处理温度升高使氧过度向晶粒体内扩散,导致晶粒电阻明显增大,是弥散频率降低的主要原因。
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关键词:
- 电子技术
- srtio3压敏电阻
- 电容弥散频率
- 界面驰豫极化
- 氧化热处理
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