电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2006年第10期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

氢敏材料的研究进展1-5

摘要：按照不同工作原理，分别介绍了电化学型、半导体型和光学型3类氢敏材料的国内外研究进展；主要讨论了掺杂等改性方法对提高半导体型和光学型氢敏材料的选择性、灵敏度等方面的影响。展望了氢敏材料的发展方向。

MLCC内电极用超细镍粉的制备进展6-9

摘要：介绍了超细镍粉在MLCC中的应用进展，针对MLCC内电极用镍粉的性能要求，详细地综述了相关超细镍粉的几种制备方法，包括液相还原法、喷雾热解法、等离子法、气相法和固相分解法等。最后，对MLCC内电极用超细镍粉的发展方向作了展望。

电子元件与材料杂志综合信息

欢迎订阅2007年《材料导报》（月刊）9-9

电子信息产品污染控制标准即将9-9

电子元件与材料杂志综述

梯度多层BST薄膜介电性能研究10-12

摘要：成分梯度多层钛酸锶钡薄膜具有较好的综合介电性能，包括适中的介电常数、高的介电调谐率、低的介质损耗及低的介电温度系数等，日益成为微波调制器件如移相器、滤波器、谐振器等的重要候选薄膜材料，就国内外近年来取得的重要成果进行了综述，对今后成分梯度多层BST薄膜的研究前景及方向进行了展望。

电子元件与材料杂志研究与试制

乙基红掺杂聚合物薄膜全光开关特性的研究13-16

摘要：用偶氮染料乙基红（Ethyl Red，简称ER）掺杂到聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）并用重复旋涂法制成了聚合物薄膜。研究了在不同功率和不同调制频率的控制光（532nm，CW）激发下，不同掺杂浓度薄膜样品的全光开关特性。结果表明：在室温和8mw的控制光功率条件下，乙基红聚合物薄膜的开关响应时间少于2．5ms并且开关的调制深度在50％以上，最大的调制深度达72％，合适的掺杂浓度（质量分数）为2％-6％薄膜样品的开关特性较优。

电子元件与材料杂志综合信息

科隆威自动化设备有限公司16-16

摘要：科隆威自动化设备有限公司是科隆威集团在全球中最有经验及最具实力的无铅电子设备制造商之一，专业化生产全自动视觉钢网印刷机，无铅回流炉、无铅波峰炉以及SMT成套设备。数十项专利技术，雄居现今世界发明及优质技术之前列，成为世界级电子设备制造的大型基地。“品质第一，客户至上”乃是科隆威集团之一贯宗旨。以优质高新科技产品、合理的价格，诚恳地为广大用户提供最先进的设备及一流的售后服务。愿科隆威产品与您携手共同进步，共创辉煌。

电子元件与材料杂志研究与试制

微波辅助化学浴沉积法制备ZnO薄膜17-19

摘要：采用微波辅助化学浴沉积法在玻璃衬底上制备了氧化锌（ZnO）薄膜。初步探讨了化学浴沉积法制备ZnO薄膜的反应机理。X射线衍射分析结果表明所得的ZnO薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜，不具有任何晶面的择优生长取向；随着反应时间从15min延长至30min，薄膜结晶性能提高，晶粒尺寸从27nm长大到73nm。扫描电子显微镜分析显示反应沉积12min时，薄膜比较均匀、致密，无裂纹出现；反应沉积25min后，薄膜厚度增加，同时出现开裂现象。

La掺杂对BLT薄膜微观结构与性能的影响20-22

摘要：采用sol-gel工艺低温制备了Si基Bi4-xLaxTi3O12（BLT）铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明，600-650℃退火处理的BLT薄膜表面平整无裂纹，晶粒均匀，无焦绿石相或其它杂相，薄膜为多晶生长；La掺杂量x在0．5～0．85的BLT薄膜介电与铁电性能优良，其ετ和tanδ分别介于284-289和（1．57-1．63）×10^-2，4V偏压下薄膜的漏电流密度低于10^-8A／cm^2，Pτ可这（13．0～17．5）×10^-6C／cm^2，Ec低至（102．5～127．8）×10^3V／cm。

二氧化钌／活性炭复合电极材料的性能研究23-25

摘要：用sol-gel法制备了水合二氧化钌，进而制备了二氧化钌/活性炭复合电极，并对各种不同配比的复合电极的电化学性能和物理性能进行了实验研究。引入参数Cp，RuO2·xH2O，解释复合电极的电容特性，更好地考察了水合钌氧化物的利用率。结果表明，在二氧化钌中加入适量的活性炭，可以改善电极材料的阻抗特性，但将以降低电容量为代价，当二氧化钌含量为60％（质量分数）时，复合电极的比容量为567F/g，内阻为0．4331Ω，是—种理想的超级电容器电极材料。

烧成工艺对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响26-29

摘要：采用短时间烧结制备了CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷，并详细研究了预烧温度、烧结温度等工艺对结构和性能的影响。研究了ετ和tanδ随测试频率（20Hz～1MHz）、温度（25～150℃）的变化规律。结果表明：CCTO陶瓷的性能对烧成工艺非常敏感。较低的预烧温度较容易获得高ετ（ετ为11248）的CCTO陶瓷。

Sn-Ag-Cu系无铅焊锡的力学性能和实用性能30-33

摘要：研究添加稀土Ce对Sn—Ag—Cu合金的力学性能和实用性能的影响，利用光学显微镜、SEM、EDX对合金的组织、形貌、成分进行分析。结果表明，在Sn-Ag—Cu系无铅焊锡中添加稀土Ce可以细化合金组织，使合金成分分布更加均匀；稀土Ce的添加可以明显提高合金的延伸率；添加Ce后延伸率提高了6．1％，从而使力学性能大大提高；适量稀土的加入使焊料与基体结合更加紧密，外观平整，对合金的实用性能有很大提高。

Sn-3Ag-3Bi焊点剪切强度的研究34-36

摘要：提出一种可有效降低测试误差的剪切强度测试方法。用该方法对Sn-Ag-Bi无铅焊料分别在Cu基板和Ni-P基板上的焊点，经不同的热时效后的剪切强度，进行了测量并对断裂面的微观结构进行了研究。结果显示，焊点的剪切强度及断裂位置与焊接界面金属间化合物（IMC）的组成和厚度有关。

室温固相化学法制备掺杂纳米氧化锌37-40

摘要：为制备分散性良好的掺杂氧化锌纳米粉体，以硝酸锌、碳酸氢铵及掺杂离子的盐为原料，通过室温固相化学反应先制备出掺杂前驱物——碳酸盐。根据DSC-TGA分析结果，将其在275℃分解2h，得到掺杂氧化锌粉体。采用激光粒度分析、BET、XRD、SEM对产物的粒度、物相组成、颗粒形貌等进行了表征。结果表明：所制备的掺杂氧化锌粉体呈粒状，粒度分布均匀，晶粒度为52．35nm．

电子元件与材料杂志综合信息

《微纳电子技术》——通向微/纳米技术前沿的桥梁40-40

电子元件与材料杂志研究与试制

TiO2压敏电阻表面层的测定与分析41-43

摘要：采用电子陶瓷工艺制备了（Nb，La）掺杂的TiO2压敏电阻。用电子探针微区成分分析方法测定了样品中氧含量随深度的变化关系。结果表明，样品表面处氧的含量高于理论值，内部低于理论值，表面“氧化层”的厚度约为20μm。利用缺陷反应和扩散原理对表面层效应进行了初步分析，指出表面层效应的研究对改善和调节材料的电学性能具有重要的指导意义。

SrCoO3-δ陶瓷材料的导电机理和低温热敏特性44-46

摘要：用固相反应法合成了可在液氦（4．2K）温度下使用的、非化学计量结构氧化物SrCoO3-δ热敏电阻材料，用XRD、SEM对其进行了表征，同时还测试了低温条件下的电阻值，分析了材料的导电机理和磁阻特性。测试结果表明：材料的B值为35K左右，与在液氢（20K）温度下使用的热敏电阻元件参数（B=300K）比较，SrCoO3-δ热敏材料可在液氦（4．2K）温度下使用。

Pechini法制备超细BST粉体及其陶瓷的研究47-49

摘要：采用Pechini法制备了约100nm的（Ba0.79Sr0.21）TiO3超细粉体，并在其中掺杂超细Bi4Ti3O12粉体制备了BST混合粉体．并用其制备了平均粒径为0．5μm、ετ为1740和tanδ为0．0038的BST陶瓷．研究了热处理温度和分散剂的量对粉体性能的影响，烧结温度对BST陶瓷介电性能和显微结构的影响。得到了较优的工艺参数，即热处理温度800℃、分散剂的量2．25mL和烧结温度1150℃．