电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2006年第07期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志专家论坛

回顾2005年 做大做强我国电子元件行业1-5

摘要：介绍了2005年中国电子元件行业的销售收入、利润总额，分析了第中国电子元件百强企业的业绩、民营经济的崛起，以及外贸出口快速增长的趋势．结果表明：电子元件产业经历了连续几年的高速增长期后，2005年开始进入平稳增长期。

电子焊料的工艺性能及影响因素6-8

摘要：通过分析焊料在钎焊过程中的行为，提出了电子焊料的工艺性能主要包括熔化／固化温度、抗氧化性、润湿性和漫流性。给出了各工艺性能的定义。分析表明：相关的影响因素主要包括合金的组成、纯度和化学均匀性；母材的成分、性质和表面的洁净度；液态焊料的表面张力；钎焊温度、气氛、助焊剂的活性；液态焊料表面膜的组成、结构和性能等。

电子元件与材料杂志研究与试制

超级电容器容量特性的试验研究9-11

摘要：通过两阶段充电时间序列设计与试验研究，分析充电电流分别与碳基超级电容器的实际电容量、有效储能量和充电效率之间的定量拟合关系。在室温条件下，实际电容量与充电电流的定量关系比较符合指数函数描述，拟合曲线的相关系数均大于0．99；标称电容量为0.5MF的碳基超级电容器在充电电流小于220A的条件下保持着较高的储能水平，但当充电电流超过220A，该超级电容器的总有效储能量急剧衰减，这表明超级电容器的最佳储能水平受充电参数优化范围的制约。

无铅1RH—121高频瓷料的研究12-14

摘要：在BaO—Nd2O3-TiO2系统中，以SrTiO3、Bi2O3、MnCO3等作为添加剂，按0．8Ba6-3xNd8＋2xTi18O54＋0．2SrTiO3＋（0．7～1．5）（MnCO3＋Bi2O3……）的比例配料，按常规工艺进行磨料、喷雾干燥和成型，在1240～1290℃空气中烧成，保温2h得到无铅IRH-121高频瓷料。研究表明，SrTiO3等添加剂的加入量对瓷料介电性能具有明显的影响。批量生产的瓷料性能：εr为115～130，tanδ为（2．0～3．5）×10^-4，αc，-25℃时为-（210—240）×10^-6，＋85℃时为-（220～240）×10^-6。

电解电容器用超低电阻率工作电解液15-16

摘要：用水作主溶剂，通过磷酸系和螯合物等多种添加剂的共同作用，成功开发出可用于超低阻抗电解电容器的超低电阻率工作电解液，该电解液的电阻率为7-10Ω·cm。将此电解液用于6．3V，1000μF电解电容器中，制得的电解电容器具有超低阻抗（≤8mΩ），低漏电流，105℃贮存1000h无异常，且105℃寿命在2000h以上，可取代进口电解液用于工业生产。

金属化聚丙烯电容器耐电流能力探讨17-18

摘要：为了提高金属化聚丙烯电容器耐电流能力，可以选择低方阻铝蒸发材料，设计时考虑降低电容器电感，增大芯子端面接触面积，在生产过程中控制高频损耗，这样可使电容器耐电流能力强，内部温升小，适应整机S校正（S correcting）电路要求。

高Q中介微波介质陶瓷的研制19-20

摘要：用传统固相反应法制备了CaTiO3-Ca（Zn1/3Nb2/3）O3-CaSmAlO4微波介质陶瓷材料。探讨了各组分比例变化对陶瓷烧结及微波介电性能的影响。通过XRD、SEM等分析测试手段对材料的晶相组成、显微结构进行了研究。所研究的该系列陶瓷材料大部分都具有良好的微波介电性能：εr为45～50，Q·f0〉38000GHz，τf〈10×10^-6℃^-1。

（Na，K，Li）（Nb，Sb）O3无铅压电陶瓷的性能21-22

摘要：采用传统的固相反应法和普通烧结工艺，制备了A位和B位复合的（Na0．5＋xK0．44Li0.06-x）Nb0．95Sb0.05O3（x=0，0．006，0．012）系无铅压电陶瓷样品，并对样品的压电、机电性能进行了研究。结果表明：该陶瓷系列具有很高的压电应变常数（x=0．006时d33=243pC／N）、低的介质损耗（tanδ〈2×10^-2）、较高的机电耦合系数（x=0．012时，k33=0．632）、高的铁电顺电相变温度（七约400℃）。这些性能显示了它是一种替代铅基PZT的具有很好应用前景的无铅压电陶瓷。

Ba^2＋取代对PSN-PZT瓷结构和压电性能的影响23-25

摘要：研究了Ba^2＋A位取代对铌锑锆钛酸铅陶瓷结构及压电性能的影响，XRD分析结果表明：所有样品具有钙钛矿结构，同时Ba^2＋取代Pb^2＋使得晶胞体积增大，c／a轴比减小。当Ba^2＋取代量增大时，样品中三方相和四方相共存。随着Ba^2＋取代量的增大，陶瓷样品的密度降低，εr（2863）和d33（507pC·N^-）显著提高，居里点向室温移动。

CNT对BST陶瓷微波介电性能的影响26-29

摘要：采用XRD及SEM研究（Ca0.61Nd0.26）TiO3对微波介质陶瓷Ba4Sm9.33Ti18O54的结构和微波介电性能的影响。获得了一些性能较好的微波介质陶瓷（1-x）Ba4Sm9.33Ti18O54-x（Ca0.61Nd0.26）TiO3，其微波介电性能如下：εr=75，Q·f为8985GHz，τf为-8．2×10^-6℃^-1（x=0）；εr为75，Q·f为9552GHz，τf为-14.4×10^-6℃^-1（x=0．2）。

电子元件与材料杂志综合信息

如何提高IT知识产权国际竞争力29-29

摘要：提高在国际上的知识产权竞争能力，根本目的是防止经济上、安全上、贸易上受制于人，其关键是掌握核心技术和产业链的重要环节的制控权，自主创新要最终落实在推动经济发展和提高国际竞争力上。

电子元件与材料杂志研究与试制

LiZnVO4添加量对Zn2SnO4系湿敏材料性能的改善30-32

摘要：采用共沉淀法制备了Zn2SnO4-LiZnVO4系纳米粉体，考察了液相掺杂LiZnVO4对材料微结构、湿敏性能的影响，分析了材料的复阻抗特性和频率特性。结果表明，适当的LiZnVO4添加量可明显改善Zn2SnO4-LiZnVO4系纳米材料的微结构和感湿特性。采用共沉淀法制备纳米粉体并使LiZnVO4液相掺杂为10％（摩尔分数），可使Zn2SnO4材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的湿敏特性，频率特性表明该材料具有较好的频率响应。

生产工艺对NTC热敏电阻粉料可重复性的影响33-34

摘要：NTC粉料的可重复性，取决于粉料加工结果的可重现性和稳定性．故从控制粉料球磨粒度和球磨均匀性的角度，对粉料加工过程中的关键工序进行改良和精确控制，实施主料-掺杂-主料的配料次序，采用圆球状锆质磨介，并根据材料体系区分不同的预烧温度，采用（或者接近）临界球磨速度磨料等一系列改良措施，从而获得（1．0-±0．2）μm的可控粒度范围粉料，达到粉料具有良好可重复性的目的．

RF溅射ZnO薄膜工艺与结构研究35-38

摘要：通过RF磁控溅射在Si（100）基片上制备了ZnO薄膜，并研究了磁控溅射中各生长参数，如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对ZnO薄膜微结构、表面形貌与结晶取向的影响。结果表明：溅射温度和氧分压对薄膜的微结构与择优取向有很大的影响，并对不同的溅射工艺进行了分析比较，从而确定了最佳溅射及后处理条件：RF溅射温度小于300℃，功率为50W，沙（Ar：O2）为20：5，退火温度550～600℃，并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜。

高导电片状银包铜粉的制备技术研究39-42

摘要：采用[Ag（NH3）]^＋溶液对片状铜粉进行包覆，研究了铜粉粒径、[Ag（NH3）]^＋溶液浓度、包覆温度、分散剂含量等因素对银包铜粉银含量和电阻率等的影响。结果表明：通过控制包覆温度（60℃）、银氨络离子浓度（0．8mol·L^-1）以及分散剂含量（1．0g·L^-1），得到了电阻率为0.8×10^-3Ω·cm的银包铜粉。XRD分析表明，该银包铜粉只有Ag和Cu相，不含中间产物。银包铜粉松装密度为0．50g·cm^-3左右，比表面积为3．1～3．3m^2·g^-1。

电子元件与材料杂志综合信息

第68届全国电子展招展工作全面铺开42-42

电子元件与材料杂志研究与试制

MIS结构电容器的湿敏特性研究43-44

摘要：在室温情况下，研究了MIS结构电容器的湿敏特性。用交流串联电路，测量其电流与相对湿度和频率的依赖关系，实验结果表明：此结构有良好的感湿灵敏度和短的响应时间。其中相对湿度从12％变化到98％时，在较宽频率范围（10^2～10^5Hz）内，元件的电流有较大的变化。还对器件的物理模型进行了分析。

差动变压器零残电压产生的原因及其补偿方法45-47

摘要：介绍了差动变压器式传感器的结构和输出特性，详细分析了其零残电压产生的原因，以及对测量系统非线性和灵敏度的影响。介绍了一种补偿电路，同时进行了实验。结果表明，经过补偿，零残电压从65．6mV减小为15．6mV，系统灵敏度由1360．39×10^-3V／mm提高到1386．69×10^-3V／mm，非线性误差由2．04％减小为0．49％。表明给出的补偿电路简单有效，起到了很好的补偿作用。