电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2006年第05期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志专家论坛
MLCC的发展趋势及在军用电子设备中的应用1-6

摘要:对多层陶瓷电容器在大容量、小型化、集成化和电极贱金属化等方面的最新技术动态、发展趋势进行了综述:推导出了功率随电容和电压变化的计算公式;分析了国内外多层陶瓷电容器的市场现状及其在高技术军用电子设备中的应用。

电子元件与材料杂志综合信息
重塑CRT企业生命力6-6

摘要:2005年,我国彩管行业祸不单行,原材料涨价,整机厂商减产,出口受阻,平板电视挤压,这些因素导致彩管价格下滑,库存增加,全行业处于亏损状态。不仅如此,春节前夕,欧盟宣布正式对中国、韩国、马来西亚和泰国输入欧盟的彩色显像管进行反倾销立案调查,并且打算将马来西亚作为中国的替代国计算倾销幅度。这又使正在饱受效益下滑之苦的彩管业平添烦恼。

电子元件与材料杂志综述
Sn-Ag-Cu焊料中金属间化合物对焊接性能的影响7-8

摘要:讨论了Sn—Ag-Cu焊料与Cu焊盘间在回流焊过程中形成的金属间化合物(IMC)的种类、形态,Ag含量和Cu含量对IMC的影响,IMC在老化过程中的生长演变及其对焊接性能的影响。结果表明:Sn—Ag—Cu焊料与Cu焊盘之间的金属间化合物主要是Cu6Sn5和长针状的Ag3Sn,Ag和Cu的添加对组织有明显细化作用,但过量添加会影响IMC的性能。IMC的演变主要是与老化温度、老化时间有关,较厚的IMC不利于焊接性能的提高。

脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展9-12

摘要:综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积(PLD)技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响,ZnO薄膜的厚度在超过400nm时,呈现出了近似块状的性质.采用PLD技术,可以在适当的条件下制备具有特定功能的氧化锌薄膜。

氟取代聚苯基噻吩系列衍生物的合成及应用13-15

摘要:介绍了用于超级电容器电极材料的氟取代聚苯基噻吩系列聚合物,包括聚3-(4-氟苯基)噻哪(P-4-FPT)、聚3-(3-氟苯基)噻吩(P-3-FFT)、聚3-(3,4-二氟苯基)噻吩(P-3,4-DFFT)、聚3.(3,5-二氟苯基)噻吩(P-3,5-DFPT)、聚3-(3,4,5-三氟苯基)噻吩(P-3,4,5-TFPT)等的单体及其聚合物的合成方法及研究进展,并对该类聚合物电极材料的电化学性能进行了比较。

电子元件与材料杂志企业之窗
风华高科研究开发中心被认定为首批部级企业研究开发中心15-15

摘要:据报道为贯彻落实党中央、国务院关于加强自主创新和发挥企业技术创新主体作用的重要指示精神,2005年11月科技部在全国范围内组织认定100家“部级企业研究开发中心”,通过层层推荐与筛选,于2006年1月17日联合发展改革委、财政部、海关总署和税务总局等部门在网上给予公布。以风华股份研究院为基础申报的“风华高科研究开发中心”最终被评为118家“部级企业研究开发中心”之一,也是广东省五家之一。

电子元件与材料杂志研究与试制
间歇溅射和分段冷却对ZnO薄膜结构的影响16-18

摘要:用超高真空射频磁控溅射技术制备了高c轴取向的ZnO薄膜,并用XRD和SEM研究了溅射和冷却方式对ZnO薄膜结构性能和工艺性能的影响。结果表明:与连续溅射相比,间歇溅射可以降低ZnO(002)的晶面间距,晶粒长大致密化,随着间歇时间的延长,薄膜的自优化程度增加;与连续冷却相比,分段冷却对ZnO薄膜的质量影响不大,但可将薄膜的冷却时间,从2.5—3h缩短至1.5h左右,从而提高了薄膜的制备速率。

全方位气体摆式倾角传感器的结构原理19-22

摘要:介绍了全方位气体摆式倾角传感器的敏感原理,并对几种敏感元件的结构设计方案进行了详细的分析。在影响传感器主要性能的基础上,比较了不同敏感元件的优劣,找出最合适的敏感元件结构设计,最后通过对实际制作的全方位倾角传感器进行测试,表明所介绍的全方位气体摆式倾角传感器的灵敏度达到0.1°,方位角测量范围达到360°,倾斜角度测量范围可达到25°,达到了预期的设计目的。

热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜的研究23-26

摘要:采用热丝化学气相沉积技术制备了多晶硅薄膜。利用Raman、XRD、SEM等检测手段,系统研究了沉积气压、衬底温度、衬底与热丝间距离、衬底种类等实验参数对多晶硅薄膜晶态比、晶面择优取向、晶粒尺寸的影响。得出优化条件:沉积气压42Pa,衬底温度250℃,衬底与热丝间距离48mm,在玻璃衬底上制备出晶态比Xc〉90%,择优取向为(111),横向晶粒尺寸为200~500nm,纵向晶粒尺寸为30nm左右的优质多晶硅薄膜。

高分子磁性材料的频率、温度特性及应用27-30

摘要:以二茂铁为原料合成的高分子磁性材料(OPM),其磁参数(μ',μ")基本不随使用频率及温度而变化,用它制作的电感、电容的电感量与电容量几乎与温度变化无关.比较了用OPM及NiZn-10制作的分路器及宽带变压器的性能,结果表明,在500-1000MHz频段,前者较后者的磁损耗约小1.0dB,而宽带放大器在200-300MHz的增益,前者较后者高5.0dB以上.

电子元件与材料杂志编读通信
征文通知30-30

电子元件与材料杂志综合信息
互联网电子邮件服务管理办法出台30-30

摘要:“两会”代表、委员高度关注的加强反垃圾邮件立法工作,近日取得突破性进展——由信息产业部王旭东部长签发的《互联网电子邮件服务管理办法》近日全文公布,将于3月30日起正式施行。

电子元件与材料杂志研究与试制
氧化锌p型共掺杂精细结构的第一性原理研究31-35

摘要:计算了ZnO材料p型掺杂精细结构,分析了P型掺杂ZnO晶体的电子结构、电荷布局、电子态密度、差分电荷。所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一原理平面波超软赝势方法。计算结果表明:掺杂V族元素(N、P、As、In)的氧化锌材料在能隙中引入了深受主能级,载流子(空穴)局域于价带顶附近,而利用加入激活施主的共掺杂技术的计算结果却表明,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级。同时,受主能级带变宽,非局域化特征明显。

Fe_73.5Cu_1Nb_3Si_13.5B_9纳米晶磁粉芯制备及其性能研究36-38

摘要:采用聚乙烯醇作粘结剂,制备了纳米晶Fe73.5CulNb3Si13.5B9磁粉芯。并对该类磁粉芯的磁性能进行了测试分析。结果表明,随粉体粒度减小,磁粉芯的μr减小、Bm、Hc上升;随压力增大,粉芯的致密度、μr,Bm上升,Hc值下降;磁粉芯的中心频率为10MHz,其最大Q值为99.6。这种材料在高频范围内具有应用价值。

超级电容器组件的电压均衡控制电路设计39-42

摘要:探讨了串联、并联和混联超级电容器组件的充放电性能,并针对串联超级电容器组件中单体电压的均衡,分析设计了基于buck-boost拓扑结构的主动型电压均衡控制电路。仿真结果表明该电路设计能避免组件中单体过压,使系统贮能量达到最佳。

钽电容器用石墨导电胶的研究43-45

摘要:以石墨粉和热固性树脂混合配成导电胶,分析了石墨粉、稀释剂的用量,固化温度,固化时间等与电阻的关系。结果表明:当石墨含量在25%-35%,稀释剂含量在20%-25%(均为质量分数)时,在150℃下固化2~3h得到的导电胶导电性最好,能够满足作为钽电容器阴极引出材料的需要。并用“逾渗理论”解释了导电胶的导电机理,与实验所得结论相符。

高比容钽粉在电容器中的应用46-48

摘要:优化了高比容钽阳极的烧结温度和压制密度,改进了氧化膜形成和被膜等工艺,最终解决了产品击穿电压低、阴极被膜不良等问题.产品的额定电压为4~16V、标称容量为10~100μF,各项指标均达到行业标准,成品合格率达到80%以上,产品容量约增加一倍、产品尺寸缩小一个壳号。

钛酸锶钡的宽频带介电谱49-51

摘要:利用常规固相反应法制备了系列钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3)(x=0.50,0.68,0.74)陶瓷。测量了样品的宽频段介电谱,发现钛酸锶钡的超低频介电谱在复介电常数平面上给出一段固弧;但是,在高于5Hz时偏离圆弧组成一段直线。实验表明:介质中慢极化效应的存在使得其介电弛豫普遍都不是德拜型的;在超低频至射频的广阔频段,样品的复岛不满足Kramers-Kroning(K.K)关系.实验证明在超低频下,测量岛的频域法并不适用,其物理含义还有待研究.