电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2006年第02期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

无铅钎料开发研究现状1-3

摘要：综述了国内外无铅钎料开发的新进展和部分钎料的应用情况，重点介绍了合金元素对Sn-Zn和Sn-Ag两种合金系的性能影响。结合目前的研究成果，详细介绍了无铅钎料开发的现状及前景。

各向异性导电胶粘剂膜的研究进展4-7

摘要：介绍了ACF的结构、原理、组成、应用及发展前景，详述了导电粒子、粘结剂、添加剂等组分在体系中的作用和对ACF性能的影响，综述了热固性树脂中离子聚合树脂型ACF和自由基聚合树脂型ACF的现状，并指出自由基聚合树脂型ACF是将来的发展趋势。

电子元件与材料杂志研究与试制

氧化改性Ni（OH）2的电化学电容特性研究8-10

摘要：为获得高比电容量电极材料，制备出氧化改性Ni（OH）2，并对样品进行了XRD和XPS分析，通过恒流充放电测试分析了氧化改性Ni（OH）2／活性炭非对称型电化学电容器的电容特性，讨论了活性炭与氧化改性Ni（OH）2质量比对比电容量的影响。结果表明，氧化改性Ni（OH）2电容器性能稳定，稳定工作电压可达1．60V；在活性炭与氧化改性Ni（OH）2质量比约为2．7时，比电容量高达93．78F/g。

PLT晶种层对PLZT薄膜介电性能的影响11-14

摘要：采用sol-gel工艺，以钛酸铅镧（PLT）作为晶种层，在Pt／TiO2／Si基板上，制备了锆钛酸铅镧（PLZT）薄膜。研究了有晶种层的PLZT薄膜的结晶温度及介电性能。结果表明：引入PLT晶种层的PLZT薄膜，在600℃热处理得到良好的钙钛矿结构，比无晶种层薄膜降低了约100℃；其相对介电常数为1177（1kHz），提高约60％，介质损耗为0．10～0．13，降低幅度最高可达40％～50％。

电子元件与材料杂志综合信息

风华：与国产手机制造商实现双赢14-14

摘要：手机元件的集成化是手机向多功能化发展的必然要求，集成元件与分立元件的技术差别很大，未来只有具备小型化、集成化元件研发能力的企业才能在市场上得以生存。

光电子产品的范畴14-14

摘要：半导体发光二极管（LED） 产品主要有三大类：LED单管产品、LED显示器产品、LED照明产品。

电子元件与材料杂志研究与试制

TiO2纳米粉体的烧结行为及其性能的研究15-17

摘要：分别采用Ti（SO4）2、TiOCl2沸腾回流直接水解制得了纯锐钛矿型和混晶的纳米TiO2。用XRD、SEM对不同煅烧温度下的纳米TiO2粉末结构、粒径大小进行了表征。结果表明：混晶中的锐钛矿相转变温度（500℃）明显低干纯锐钛矿相的（600℃以上）。纳米TiO2粉末的光催化活性与煅烧温度密切相关，500℃煅烧的混晶结构的纳米TiO2粉体表现出较高的光催化活性，20min催化氧化降解率达到92．3％。

电子元件与材料杂志综合信息

光学光电子产业的发展重点17-17

摘要：光纤与光缆及预制棒、光纤通信设备与系统、光有源器件、光无源器件、光仪表。

电子元件与材料杂志研究与试制

金纳米粒子LB单层膜的制备及其I-V特性18-21

摘要：在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜，并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征。结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压。将表面压控制在22～26mN／m的范围内以较慢的拉膜速度在Si（100）基底上进行拉膜，可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。在室温下测量两点之间单层膜的I-V特性，得到了非欧姆特性，这是由电子在电场作用下发生隧穿产生的。

电子元件与材料杂志综合信息

做好电子发展基金投资业务21-21

摘要：据悉信息产业部娄勤俭副部长与财政部经济建设司张学文副司长一行，就政府如何鼓励信息技术自主创新到盈富泰克创业投资有限公司进行专题调研。

电子元件与材料杂志研究与试制

铁／碳纳米管催化剂CVD法制备碳纳米管22-25

摘要：以乙烯为碳源，碳纳米管负载铁基为催化剂，于790℃制备了平均直径约为30nm的多壁碳纳米管。研究了700～850℃范围内碳纳米管产物的形貌特征和纯度，并与以Al2O3负载铁基作为催化剂的产物进行了比较。利用SEM、TEM、拉曼光谱，对催化剂和产物进行了表征，发现在最佳反应温度下，两种催化剂制备的碳纳米管形貌、直径分布范围及平均直径相当，但以碳纳米管负载铁基为催化剂，产量明显提高100％，且不具有难处理的氧化物载体，纯度很高。

碲化铅薄膜电学特性的研究26-27

摘要：用真空蒸镀法制备了Pb49Te51薄膜，并对薄膜的显微结构、导电类型和电阻率等电学特性及热处理对薄膜性能的影响进行了研究．结果表明：热处理对薄膜结构和性能影响很大，热处理后薄膜呈铜黄色，晶粒有明显取向，其形状为片状，且晶粒尺寸变大为300～400nm；薄膜为p型半导体薄膜，其电阻率4．624×10^-2Ω·cm比晶体材料12．410×10^-2Ω·cm大。

TiO2系压敏陶瓷施主掺杂研究28-30

摘要：研究了Ta2O5和Nb2O5掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响。采用电子陶瓷制备工艺，制备了两组TiO2系压敏陶瓷，借助热电子发射理论，分析了样品的I-V特性及介电频谱特性。结果发现，Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压（E10mA=5．03V·mm^-1）和最大的视在介电常数（εm=1．5×10^5）。

工艺因素对NdFeB粘结磁体磁性能的影响31-34

摘要：研究了用快淬钕铁硼制备粘结磁体的工艺以及工艺因素对粘结磁体性能的影响。结果表明，不同尺寸的颗粒按一定比例混合可以适当提高磁性能；粘结剂的含量对磁体的性能有影响，其含量应在一个合适的范围；随成型压力的增大，剩余磁化强度和磁能积增大：为防止氧化，各个过程应采用惰性气氛保护，氧化后磁体出现α-Fe相。最优粘结磁体性能如下：密度ρ=6.38g／cm^3，剩磁Br=7．14×10^-1T，内禀矫顽力Hcj=721kA／m，最大磁能积（BH）max=86kJ/m^3。

电子元件与材料杂志综合信息

关键元器件发展改变进出口格局34-34

摘要：我国信息产业从规模上看，已经走在了世界前列，可喜的是，我们一些关键元器件技术也取得了突破，这些突破将改变进出口格局。

电子元件与材料杂志研究与试制

钛酸钙对BZN-CaTiO3系统介电性能的影响35-37

摘要：研究了利用电子陶瓷工艺制得的主晶相为Ba（Zn1/3Nb2/3）O3（BZN）和CaTiO3的新型陶瓷，BZN具有立方钙钛矿结构。通过烧结温度的改变得到不同介电性能的陶瓷材料，发现CaTiO3的添加量对系统介电性能有显著影响。在1395℃烧结的BZN-CaTiO3陶瓷，当CaTiO3的添加量为60％（质量分数）时介电性能最佳，其εr为99．97，tgδ为0．54×10^-4，αc为-13．05×10^-6℃^-1（25～85℃，1MHz下测量）。

电子元件与材料杂志综合信息

电子信息产业投资平稳增长37-37

摘要：2005年1～11月，我国电子信息产业的固定资产投资继续保持平稳增长，1～11月，全行业累计完成固定资产投资1332.5亿元，同比增长24％，增速比1～10月上升1．9个百分点。由此全年稳中有降的基本发展趋势已成定局。

电子元件与材料杂志研究与试制

颗粒包覆法制备BZT-CT复合陶瓷38-40

摘要：采用预合成的方法，分别用得到的单斜类锆钙钛矿相Bi2（Zn1/3Ta2／3）2O（β-BZT）和钙钛矿相CaTiO3（CT）的粉末作为正负温度系数组元，用sol-gel法制备的ZnO-B2O3-SiO2玻璃，包覆两组元颗粒以阻止其相互反应，从而制备复相零温度系数微波陶瓷。结果表明：预合成及颗粒包覆法可抑制两相固溶反应，有效降低复相陶瓷的烧结温度，调节温度系数。特别是900℃烧结的w（CT）为4％的样品，其岛约为47，％为2．8×10^-6℃^-1。