电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2006年第01期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综述

复合钙钛矿型介质陶瓷材料的研究进展1-4

摘要：将复合钙钛矿型介质陶瓷材料分成铅系和无铅系两大类，分别讨论了它们的研究进展，结果表明：采用高活性原料及两步固相合成法、湿化学等方法制备铅系复合钙钛矿材料，可以有效抑制铅挥发及杂相的出现，得到单相钙钛矿相；无铅型复合钙钛矿材料性能主要由不同的A或B位离子复合决定，并通过采用湿化学方法得到改善。目前，纳米级钙钛矿陶瓷材料的制备和研究正引起越来越多人的兴趣。

电子元件与材料杂志研究与试制

弯曲形FeSiB／Cu／FeSiB多层膜的应力阻抗效应5-7

摘要：用磁控溅射法制备弯曲形FeSiB／Cu／FeSiB多层膜，在1～40MHz范围内研究FeSiB膜和Cu膜厚度对多层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明：多层膜的应力阻抗效应随着其形变位移的增加近似线性增加，在自由端变形1mm、电流频率5MHz时，应力阻抗效应达-17.3％，在新型力敏传感器方面具有广阔的应用前景。

SnO2纳米棒的制备及其气敏特性研究8-11

摘要：利用室温固相反应方法，合成了SnO2纳米颗粒前驱物。在NaCl＋KCl熔盐介质中，于660℃下焙烧前驱物，合成了SnO2纳米棒。利用TEM、XRD和XPS对SnO2纳米棒形貌、成分进行了表征和分析。结果表明，SnO2纳米棒直径为20～30nm，长度从几百纳米到几微米。以SnO2纳米棒为原料，制备了厚膜气敏元件，在工作温度为300℃左右时，元件对乙醇具有较高的灵敏度、好的选择性和响应恢复特性。

电子元件与材料杂志综合信息

绿色制造需要合力11-11

摘要：随着人们环保意识的增强，近年来，全球电子制造领域掀起无铅化和绿色化浪潮。面对全球日益严格的绿色法规，电子制造产业链条中的各个环节无一例外地面临严峻挑战。而对于出口市场占五成以上的我国电子产品制造业而言，推进无铅化更是迫在眉睫。

电子元件与材料杂志研究与试制

TiO2纳米线阵列形成机理及其光致发光特性12-15

摘要：采用电化学诱导sol-gel法制备了锐钛矿型TiO2纳米线阵列，初步研究了形成机理和不同沉积时间对其光致发光强度的影响。结果表明：TiO2的生长包括：在含有Ti前驱体的电解质溶液中电沉积钛的羟基氧化物和热处理过程生成TiO2纳米线阵列两个步骤。电化学沉积时间为60min的TiO2纳米线阵列光致发光强度最大，这可能是TiO2与多孔氧化铝模板之间，以及TiO2纳米线的表面与内部之间的相互作用，使得表面氧空位浓度变化的结果。

低温烧结平面六方铁氧体的非线性磁性研究16-18

摘要：介绍了低温烧结Y型平面六方铁氧体的非线性磁性能。采用固相反应法制备样品，使用HP4284A，配合HP42841A直流源，测试外加磁场对软磁铁氧体高频磁导率的调制特性。研究表明，随外磁场强度增加，材料的磁导率呈非线性下降。定义了磁性可调率，用以表征外磁场调制下磁导率的改变量，此参数与材料本身的磁性能和显微结构密切相关。随Zn含量升高，材料的磁导率和可调率同时上升，可调率最高可达50％以上。

电子元件与材料杂志综合信息

志高空调提前执行RoHS18-18

摘要：目前，志高空调表示，已于2005年12月1日开始全面执行RoHS指令。据悉，欧盟RoHS指令将在2006年7月1日正式生效。

电子元件与材料杂志研究与试制

MEMS高量程加速度传感器压膜阻尼效果分析19-22

摘要：为实现一种高量程加速度传感器的近临界阻尼设计以提高其输出性能，采用有限元方法分别研究了阻尼带隙宽度、阻尼介质特性及温度等对器件冲击性能的影响。结果表明：器件冲击响应是受迫振动与悬梁固有振动叠加；随着阻尼带隙变宽，悬梁固有振动渐突显，峰值电压增加；阻尼介质粘滞系数越大，其峰值电压越低：介质温度对器件输出特性影响不大。在常温空气介质中，过载保护曲面平移距离为0．5μm时，阻尼比为0．24，近临界阻尼，输出电压高达77．9mV。

曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu/FeCuNbSiB多层膜巨磁阻抗效应研究23-26

摘要：采用磁控溅射方法，在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu／FeCuNbSiB多层膜。在1．40MHz下，研究了多层膜材料的巨磁阻抗（GMI）效应随外加磁场的变化关系。结果表明：在频率为5MHz、磁场强度为12kA／m下，横向和纵向GMI效应分别达-23．5％和-16．8％。薄膜材料的纵向、横向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后降，而纵向表现尤为明显。

掺硅对二氧化钛压敏电阻性能的影响27-29

摘要：采取通用的陶瓷工艺，按配方（摩尔分数）TiO2＋0．3％（BaCO3＋Bi2O3）＋0．075％Ta2O5＋x％SiO2，其中x=0．1，0．2，0．3，0．4，0,5，制备试样。经过R-f，C-f和I-V测量，研究了SiO2对（Ba，Bi，Si，Ta）掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响。结果表明：当x=0．3时，压敏电压最低（E10mA为8V·mm^-1），电容量最大（C为30pF，1kHz）及晶粒电阻最小（1．4Ω）。

分散剂在sol-gel法制备PZT粉体中的应用30-33

摘要：采用sol-gel法制备了PZT纳米粉体。针对硝酸铅会从干凝胶中析出的问题，分析了硝酸铅的析出原因，采取在溶胶中加入柠檬酸三铵作为分散剂来消除硝酸铅的偏析。实验结果表明：当柠檬酸三铵的加入量为醋酸铅的2．5％（摩尔分数）时，能得到粒度较为均匀，组成与计算配方一致的PZT纳米粉体。

电子元件与材料杂志综合信息

绿色指令引发供应链危机33-33

摘要：欧盟颁布的《关于限制电子电器设备中使用某些有害成分的指令》即RoHS指令，明确规定限制在电子产品中使用包括铅在内的6种有害物质。与RoHS同时颁布的还有《电子与电器设备废弃物的指令》即WEEE，这两个指令也被称为绿色指令，它们的目的就是以法律手段减少电子产品对环境的负面影响。

电子元件与材料杂志研究与试制

超高比表面积活性炭结构与比电容的关系34-37

摘要：在非水电解质体系中，用恒电流充放电法测定所制活性炭电极的双电层比电容，研究了活性炭的结构对比电容的影响。结果表明，超高比表面积活性炭（品ET〉2500m^2／g）比表面积为2827m^2／g时，电容器比电容值高达101．6F／g，是比表面积为1384m^2／g的普通活性炭电容器比电容的2.4倍。提高活性炭中2～4nm孔所占的百分率，能有效地提高电容器比电容。

电子元件与材料杂志综合信息

《新材料产业》杂志简介——为材料企业家提供决策信息的产经类媒体37-37

电子元件与材料杂志研究与试制

不同PT厚度的PZT／PT复合薄膜的性能研究38-40

摘要：采用改进的sol—gel法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备PZT，PT复合薄膜（共10层），PT的层数分别为2，4，6和8层。结果表明，600℃热处理的PZT，PT复合薄膜为钙钛矿结构，无第二相。随着PT厚度的增加，￡，变小，100kHz时为313～228。tgδ在频率低于100kHz时，不随PT厚度变化，为0．015左右；频率为100kHz～1MHz时，PZT6／PT4tgδ最大，1MHz时仍小于0．06。

电子元件与材料杂志编读通信

加入台湾华艺CEPS中文电子期刊服务声明40-40

电子元件与材料杂志研究与试制

新颖的双间隔RFMEM可变电容的设计与模拟41-44

摘要：设计了一种可用于射频（RF）通信系统中的MEM平行板可变电容，采用新颖的双间隔（two—gap）结构、金属铝极板、折叠“Y”形支撑和厚度不均的可动极板。用CoventorWare软件模拟了电容的C-V特性，当控制电压从0变化到10V时，RF信号电容相应从0．37pF增加到5．64pF，变容比约为15.24：1；用HFSS软件模拟了电容的S11参数，电容的品质因数Q在1、8GHz下约为77．78。

电子元件与材料杂志综合信息

高性能覆铜板44-44

摘要：这里所指的高性能覆铜板，包括低介电常数覆铜板、高频高速PCB用覆铜板、高耐热性覆铜板、积层法多层板用各种基板材料（涂树脂铜箔、构成积层法多层板绝缘层的有机树脂薄膜、玻璃纤维增强或其它有机纤维增强的半固化片等）。从这以后几年间（至2010年），在开发这一类高性能覆铜板方面，根据预测未来电子安装技术的发展情况，应该达到相应的性能指标值。