电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2005年第10期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

磁控溅射生长Cu／Si薄膜1-3

摘要：用溅射方法在Si(111)上生长Cu/Si,Ti/Si,Cu/Ti/Si薄膜.用XRD,红外吸收光谱,台阶仪对薄膜进行分析和测量.结果表明:在150℃溅射生长出的Cu/Ti/Si薄膜的缓冲层为硅化物TiSi2(311);Cu薄膜的主要成分是晶粒大小为17 nm的Cu(111);Cu/Ti/Si(111)平均厚度为462 nm,粗糙度为薄膜厚度的3%.在以TiSi2薄膜为缓冲层的Si(111)衬底上生长出的Cu薄膜抗氧化性较强、薄膜均匀性和致密性较好.

柔版显示器件用TiO2粉体的制备与性能4-7

摘要：以硫酸钛为原料,通过Pechini溶胶-凝胶法制备柔版显示器件用TiO2粉体.SEM和AFM结果表明,以去离子水和无水乙醇混合液为溶剂制备的TiO2粉体为完整的实心球形颗粒,颗粒表面非常光滑,分散性比较好,粒径约为300 nm.XRD与TG-DTA结果显示,制得的Pechini凝胶经过煅烧,在500℃时开始出现锐钛矿相TiO2,800℃由锐钛矿相向金红石相转变,900℃转变完全.

电子元件与材料杂志编读通信

全国电子陶瓷器件无铅化学术研讨会圆满结束7-7

摘要：8月16日至19日，中国电子元件行业协会电子陶瓷及器件分会在浙江省嘉兴市召开了全国电子陶瓷器件无铅化学术研讨会。来自全国各地的主要研究器件无铅化工作的大专院校、科研院所、生产企业的专家教授和工程技术人员等60余人参加了会议。就无铅化研究和攻关作了专题报告，展开热烈讨论。会议由嘉成电子股份有限公司张火荣总工程师主持。

电子元件与材料杂志研究与试制

金属／SiO2／Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的J-V特性8-10

摘要：采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜.测试了其在直流电场下流过铁电薄膜的漏导电流J-V特性.测量结果显示正向漏电流明显小于负向漏电流.并讨论了金属–铁电薄膜所形成的整流接触特性,以及金属/SiO2/Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜系统在不同电压范围(0～±6 V)的导电机制.

Bi2O3和V2O5复合掺杂BaTi4O9微波介质陶瓷11-13

摘要：研究了多元掺杂对BaTi4O9微波介质陶瓷的烧结和介电性能的影响.通过单独添加烧结助剂Bi2O3和V2O5以及复合添加Bi2O3、V2O5来降低烧结温度,并且保持较好的微波介电性能.实验结果表明,当复合添加Bi2O3和V2O5各0.5%(质量分数)烧结温度为1 160℃时,BaTi4O9微波介质陶瓷在2.5 GHz下:εr为40.1,tgδ为6×10-4,τf为64×10-6℃-1,保持了良好的介电性能.

中高压铝电解电容器用电极箔腐蚀工艺研究14-16

摘要：采用硫酸-盐酸腐蚀体系研究了中高压铝电解电容器电极箔多段腐蚀方法.通过三段腐蚀工艺和二段腐蚀工艺的比较,发现多段腐蚀能提高铝箔表面小孔成核率,减少腐蚀介质对氧化膜的进一步腐蚀,有利于小孔向纵深发展.三段腐蚀工艺制备的电极箔表面孔尺寸为0.6～1.0 μm,孔深34～36μm,比容高达2.5×10-6F/cm2.

电子元件与材料杂志综合信息

聚合物固体片式铝电解电容器研制成功16-16

摘要：福建国光电子科技股份有限公司与西安交通大学最近合作研制出PA-CAP系列聚合物固体片式铝电解电容器。此系列铝电解电容器具有超越现有液体片式铝电解电容器和固体片式钽电解电容器的电性能、良好的温度稳定性和阻抗频率特性，可广泛应用于等离子电视机、液晶显示器、数字机项盒等高端电子设备中，也适用于手机等便携设备。

电子元件与材料杂志研究与试制

前驱物性质对PMN-PT弛豫铁电薄膜制备的影响17-19

摘要：以无机盐为原料,柠檬酸和EDTA为复合螯合剂,乙二醇为溶剂制备PMN-PT弛豫铁电薄膜,研究了复合金属有机盐前驱物的性质对薄膜结构和成膜质量的影响.结果表明:成膜的前驱物最佳浓度为0.35～0.40 mol/L;苯甲酸添加剂参与溶胶的聚合,有利于钙钛矿结构相的形成.获得了均匀连续的近全钙钛矿结构相(≥99%)PMN-PT弛豫铁电薄膜.

电子元件与材料杂志综合信息

日本研制出“双视野”液晶19-19

摘要：不久前，日本的科技人员研制出了可同时观看两套不同画面的液晶电视。

电子元件与材料杂志研究与试制

固化工艺参数对导电胶导电性的影响20-22

摘要：用四点探针法的原理设计了一种测试导电胶电阻的新方法.研究了固化温度、时间及导电胶层厚度对导电胶固化后导电性的影响.结果表明:夹具经预热导电胶,在80～140℃固化较好;未预热时在110～150℃固化较好,但固化时间较长;随着导电胶层厚度增加,固化时间和固化后的最低电阻都有一定的增大;最佳的固化效果是固化到电阻变化很微小时停止固化.

复合无机粘结剂对钌酸铋／银基厚膜电阻性能影响23-26

摘要：采用钙铝硅玻璃和硼硅酸铅玻璃组成的复合体系作为无机粘结剂制备厚膜电阻浆料,研究复合无机粘结剂对厚膜电阻各性能的影响.结果表明,二组元在复合体系中体积分数的改变影响钌酸铅"过渡层"的存在状态和无机粘结剂中晶相和玻璃相的比例,使厚膜电阻的方阻和电阻温度系数随之变化,当二组元体积分数均为50%时,制备的电阻膜性能稳定,重烧变化率为2.7%.

掺钕钛酸铋铁电陶瓷靶的研制27-29

摘要：用添加晶种的方法制备了掺钕钛酸铋(BNT)铁电陶瓷靶材.通过XRD及SEM研究了烧结工艺对铁电陶瓷BNT晶相结构的影响,用RT66型铁电测试仪测定铁电材料BNT的电滞回线.结果表明,采用在800℃预烧、保温2 h,1 100℃烧结、保温12 h的烧成工艺,所得的BNT铁电陶瓷具有良好的c轴取向,具有较好电滞回线(Pr-Ec).在应用电压为5 V,测试频率为1 MHz下,BNT铁电陶瓷的剩余极化强度(Pr)及矫顽场强(Ec)可分别达到2.2×10-6 C/cm2和5×103V/cm.

纳米复合ZnO粉体烧结过程晶粒生长的分析30-32

摘要：根据ZnO晶粒生长动力学方程,确定了晶粒生长的动力学指数和激活能,研究了纳米复合ZnO粉体的烧结过程以及烧结过程中的晶粒生长规律.实验结果表明:由纳米复合ZnO粉体制备的陶瓷,其晶粒生长动力学指数n为3,激活能Q为(185±26)kJ/mol.与微米粉体相比,纳米复合ZnO粉体的晶粒生长动力学指数和激活能都比较小,因此液相烧结的温度低,晶粒生长速度加快.

电子元件与材料杂志编读通信

下期要目32-32

电子元件与材料杂志研究与试制

多糖绿色合成纳米氧化锌的研究33-35

摘要：利用一种高分子多糖--葡聚糖作为稳定剂和软模板,通过一条绿色途径合成了粒径为70 nm左右的纳米氧化锌,发现其在380 nm处有一个强烈的吸收峰.通过SEM,TEM等测试手段,研究了葡聚糖分子以及热处理对纳米氧化锌形貌和粒径的影响,并探讨了纳米氧化锌的形成机理.此种方法也可拓展到其它纳米氧化物的合成领域.

电子元件与材料杂志综合信息

中电元协五届一次理事会于2005年9月2日在包头胜利召开35-35

摘要：中国电子元件行业协会五届一次理事会于2005年9月2日在包头胜利召开。出席会议的有信息产业部人事司王耀光副司长、电子信息产品管理司王勃华处长、内蒙古自治区发改委潘爱华副主任、包头市人民政府张继平副市长、中国电子进出口总公司党委书记兰树立等领导。参会人数超过120人。

电子元件与材料杂志研究与试制

sol-gel法制备表面改性纳米氧化锌36-38

摘要：采用Zn(NO3)2·6H2O和NH3·H2O及合适的表面改性剂,通过sol-gel前驱体法,制备了高纯度的纳米ZnO粉体.采用激光粒度分析、SEM、XRD等手段,对所制备的粉体进行了表征.并研究了主盐浓度、反应温度、反应体系的pH值、表面改性剂等因素对ZnO晶体形成过程和显微结构的影响.结果表明:在Zn2+浓度为0.1 mol/L、反应体系温度为50℃、pH值为6.0,采用聚乙二醇(PEG-2000)作为表面改性剂,将制得的前驱体在400℃分解2 h,获得了纯度高、分散性好、结晶完整、粒度分布窄、粒状的纳米ZnO粉体.

纳米SnO2的制备及其酒敏性能研究39-41

摘要：以SnCl4为原料的化学共沉淀法、sol-gel法和以金属Sn粒为原料的溶解–热解法分别制备出纳米SnO2粉体.采用TG-DTA、XRD、TEM等手段对其进行表征,静态配气法测试SnO2的酒敏性能.结果表明:采用溶解–热解法制备的SnO2粒径小于10 nm,在210℃的工作温度下,对0.005%的乙醇具有160倍的高灵敏度,响应恢复时间仅1 s的优良特点.讨论了影响材料气敏性能的因素.