SiC薄膜的制备及其对气氛的响应研究
作者：赵武; 张志勇; 吴铁柱; 王雪文; 邓周虎; 戴琨
摘要：在CH4,H2,SiH4混合气体中用热丝化学气相沉积(HFCVD)法生长SiC薄膜.利用XRD、原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌和晶体结构进行测试分析,结果表明,薄膜的确是SiC,其厚度为310 nm.对该薄膜在较高温度(250℃)下进行气敏特性测试,发现其对乙醇、乙醚有较好的敏感特性.进一步研究表明,不同的薄膜制备工艺条件对薄膜的气敏特性有一定的影响,其中H2流量,掺杂(N2)浓度对薄膜气敏特性影响较大.
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关键词：
- 电子技术
- sic薄膜
- 制备
- 气敏特性
- 气氛浓度
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