电子元件与材料杂志

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电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

Electronic Components and Materials

  • 51-1241/TN 国内刊号
  • 1001-2028 国际刊号
  • 0.43 影响因子
  • 1-3个月下单 审稿周期
电子元件与材料是中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1982年创刊,目前已被上海图书馆馆藏、维普收录(中)等知名数据库收录,是工业和信息化部主管的国家重点学术期刊之一。电子元件与材料在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:新能源材料与器件专题、研究与试制

电子元件与材料 2005年第08期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制
气体摆式水平姿态传感器的结构及信号处理1-3

摘要:研究了气体摆式水平姿态传感器的工作原理、结构、信号获取电路及补偿技术.采用铂电阻丝作为热源,在密闭腔中使气体产生自然对流,用硬件电路和数字化软件补偿技术提取载体姿态信号并进行处理.研制出测量范围为±45°,非线性度小于1%FS,分辨率小于0.01°的气体摆式水平姿态传感器.

GaAlIn掺杂ZnO电子结构的第一性原理计算4-7

摘要:计算了Ga、Al、In掺杂ZnO体系电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的结构、能带、电子态密度、差分电荷分布的影响.所有计算,都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法.计算结果表明:在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子(Ga:2.57×1021 cm-3;Al:2.58×1021 cm-3;In:2.53×1021 cm-3),明显提高了体系的电导率.同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料.

影响Al-Ti复合氧化膜比容的工艺因素研究8-10

摘要:用水解沉积-阳极氧化法制备高介电常数的Al-Ti复合氧化膜,研究了含钛无机盐溶液的浓度、温度、pH值处理时间,以及退火温度对Al-Ti复合氧化膜比容增长率的影响.结果表明,铝腐蚀箔在浓度为0.002 mol/L、pH 1.5的含钛无机盐溶液中,65 ℃浸渍处理10 min,取出并烘干后的样品,550 ℃热处理10 min,所制得的Al-Ti复合氧化膜比容最大.35 V阳极氧化电压下,比容提高率大于30%.

铌锑酸镁陶瓷的烧结和微波介电性能11-13

摘要:用固相反应法制备了一系列铌锑酸镁(Sb含量x≤2)陶瓷,研究了该陶瓷的烧结性能、物相结构和微波介电性能.结果表明,当x≤1.6时,铌锑酸镁形成了连续固溶体,少量Sb5+对Nb5+的取代(0.4≤x≤0.8),使得陶瓷最佳烧结温度从1 400 ℃降到1 300 ℃,而材料εr和Q·f值没有降低.1 300 ℃,5 h烧结的铌锑酸镁陶瓷具有优异的微波介电性能:εr 为11.61,Q·f 为169 820 GHz,τf 为-54.4×10-6 ℃-1.

电子元件与材料杂志综合信息
今年1-5月份我国电子信息产业销售收入同比增长20.6%13-13

摘要:信息产业部经济体制改革与经济运行司的统计显示,今年1~5月份,我国电子信息产业受国家宏观调控和国内外市场发展的影响,全行业经济运行增速放缓,经济效益出现下滑,整体经济呈平稳增长态势。

电子元件与材料杂志研究与试制
银粉形貌与尺寸对导电胶电性能的影响14-16

摘要:从导电性角度考查银粉颗粒形貌和粒径大小对导电胶电阻率的影响.用不同形貌和不同平均粒径的银粉,按相同配方制成导电胶,比较其体电阻率.结果发现不同形貌的银粉体系的电阻率存在数量级上的差异;填充片状银粉的体系电阻率与银粉平均粒径成反比,在5~12 μm内,平均粒径越大电阻率越低.

电子元件与材料杂志综合信息
“2005年中国电子元件百强企业峰会论坛”在北京举行16-16

摘要:5月25日,由信息产业部经济体制改革与经济运行司、中国电子元件行业协会联合主办,中国电子基础产品装备公司、中国电子元件行业协会信息中心承办的“2005年中国电子元件百强企业峰会论坛”在北京国际会议中心举行。信息产业部经济体制改革与经济运行司周子学司长、陈伟副司长、王秉科副司长、张恩惠助理巡视员、内蒙古自治区发改委潘爱华副主任、信息产业部经济体制改革与经济运行司进出口管理处高素梅处长等领导出席了此次会议,

电子元件与材料杂志研究与试制
膜厚对不锈钢基厚膜电阻电性能的影响17-19

摘要:为提高不锈钢基厚膜电阻浆料的重烧稳定性,采用丝网印刷、高温烧成等厚膜工艺制备了不锈钢基厚膜电阻,研究和分析了烧成膜厚度对方阻、电阻温度系数和重烧稳定性的影响规律和机理.结果表明,随着膜厚的增加,厚膜的方阻减小,电阻温度系数略有增大;当烧成Ag-Pd膜厚约为12 μm时,厚膜电阻的重烧稳定性最佳,其方阻重烧变化率小于3%.

磁控溅射生长SiC薄膜的拉曼光谱研究20-22

摘要:用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析.结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜.并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善.

环形钛酸锶元件电性能的控制研究23-25

摘要:研究了不同LiOH掺杂量和烧结温度对环形钛酸锶元件电性能的影响.实验结果表明,随着LiOH含量的增加,压敏电压先降低,后升高,在x(LiOH)为4.5%时,电压呈现最低值;同时,烧结温度也是影响电性能的重要因素之一,1 400℃是电性能发生明显变化的转折点.借助SEM对样品进行了观察和分析,发现LiOH主要是通过影响晶界的行为来控制元件宏观的电性能.

非气氛炉烧结SrTiO3基环形压敏电阻器26-27

摘要:鉴于气氛炉设备昂贵,笔者提出用非气氛炉烧结SrTiO3基环形压敏电阻器.并研制了与之相匹配的SrTiO3基环形压敏电阻器双功能(电容–压敏)瓷料.采用电子陶瓷常规设备(箱式炉或隧道炉)与工艺技术,制备了电性能符合标准要求的SrTiO3基环形压敏电阻器产品:V10mA=3.0~30.0 V,α= 3~9,C = 15.0~140 nF.结果表明:非气氛炉烧结技术,具有成本低、易操作、效率高的优点.

超微粒SnO2薄膜元件气敏特性研究28-30

摘要:用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO2超微粒薄膜,借集成电路技术制成气敏元件,并用RQ-1型气敏特性测试仪在动态配气系统中测试其气敏特性.结果表明:烧结体SnO2元件的气敏效应出现在300℃以上,而该元件的气敏效应则出现在90℃以下的低温区,有利于降低功耗;在80~90℃时,该元件对H2的灵敏度比C2H5OH和CH4高出2~3个数量级,对CO和LPG几乎不敏感.因此可用作在低温条件下工作的薄膜化、集成化、高性能的H2传感器.

Sb2O3掺杂对PZT压电陶瓷微观结构与性能的影响31-34

电子元件与材料杂志综合信息
未来几年信息技术十大重点发展领域34-34

摘要:1.集成电路技术发展重点将集中在SIP(硅IP)重用技术、新一代高性能通用微处理器、SoC(片上系统)芯片系统技术、高密度IC封装技术以及22~45nm集成电路关键装备等领域。

电子元件与材料杂志研究与试制
0-3型压电复合材料切向极化圆柱形水听器35-37

摘要:利用0-3型PZT/P(VDF-TFE)压电复合材料设计制作了切向极化圆柱形水听器,并对水听器的灵敏度进行了理论分析,通过对样机的测试,灵敏度与理论计算值接近.理论研究和实验结果表明,使用0-3型压电复合材料可以研制出高灵敏度 [ -190.2dB(ref. 1V/(Pa)],的切向极化圆柱形水听器,而且制作工艺简单.

纳米Al2O3对PTC材料性能的影响38-40

摘要:将纳米Al2O3引入半导化钛酸钡的材料中,着重研究了纳米Al2O3对其烧成温度、材料性能以及显微结构的影响.实验表明,与普通Al2O3相比,纳米Al2O3能显著提高PTC陶瓷的性能:温度系数增大60%,常温电阻降低20%,耐压增大13%,升阻比增大近1个数量级.并对纳米Al2O3增强PTC效应机理进行了探讨.

温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响41-42

摘要:为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3 h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好.在450℃下沉积、850℃退火3 h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900 nm左右.

ZnO-Bi2O3系MLCV内电极扩散现象的研究43-45

摘要:为了确定Bi系MLCV的最佳烧结温度.借助于SEM直接观察、内电极间不同位置处的能谱分析及高斯扩散公式的拟合,研究了内电极的扩散过程,并测量了内电极扩散对MLCV电气性能的影响.发现烧结温度高于1 040℃时,内电极的扩散较显著;Ag和Pd沿晶界扩散的扩散系数相同,约10-11 cm2/s.以Ag/Pd为内电极的MLCV的最佳烧结温度为1 000℃左右,在该温度下烧结的试样其非线性指数可达28.