电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2005年第04期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

叉指形电极压电驱动器性能分析1-4

摘要：分析了叉指形电极压电驱动器的结构特点和电场结构.给出了压电驱动器的本构方程,建立了叉指形电极压电驱动器的有限元模型,研究了指形电极关键尺寸和压电片厚度尺寸对驱动器应力、应变的影响,对比分析了普通电极压电驱动器的应力和应变性能.研究结果表明:叉指形电极压电驱动器比普通电极压电驱动器驱动应力大,最大可以高达5倍;具有明显的正交异性,横向效应系数为-2.16;减小电极中心距和压电片厚度能提高驱动器性能.

弛豫时间对BTO／LAO超晶格介电异常的影响5-8

摘要：铁电材料钛酸钡(BaTiO3,简称BTO)与非铁电材料铝酸镧(LaAlO3,简称LAO)可以组成BTO/LAO铁电/非铁电超晶格.BTO/LAO超晶格的铁电、介电和热释电性能呈现新的变化特点.模拟计算了不同弛豫时间对不同层状周期结构的BTO/LAO超晶格介电性能的变化规律;分析了BTO/LAO超晶格中的弛豫机制、Debye弛豫效应与Maxwell-Wagner效应之间的关系.模拟计算表明BTO/LAO超晶格在厚度为0.8 nm /0.8 nm～1.6 nm /1.6 nm时介电常数出现极值,与实验结果符合较好.超晶格的界面电荷的累积对于弛豫时间的作用直接影响了BTO/LAO超晶格的介电性能;BTO/LAO超晶格的介质损耗主要来源于BTO/LAO超晶格的电导率.

纳米钛酸锶粉体的特殊液相沉淀法制备9-12

摘要：以制备纳米钛酸锶粉体为目标,在液相反应胶粒析出机理分析的基础上,通过碳酸铵沉淀途径,采用特殊的快速高强度机械混合液相沉淀法,调控各种工艺条件,例如浓度、pH值、高机械混合强度以及陈化时间等,得到分散性和过滤性均好的碳酸锶和无定形氢氧化氧钛高度混合的纳米粉体前驱体,其粒径为3～4 nm(平均3.5 nm).经920℃度焙烧,获得了结晶度好、分散性好、平均粒径56 nm的立方相钛酸锶粉体.

电子元件与材料杂志综合信息

电子制造无铅化已迫在眉睫12-12

摘要：最近有报道，欧盟于2004年8月份启动关于电子垃圾的法规一《报废电子电器设备指令》，中国家电企业向欧盟出口的电子产品将被额外征收一笔垃圾回收费用。其中，每出口一台彩电或者一部手机，将被征收l～20欧元的垃圾回收费，一些大型电器还会更高。有分析预测，此举将使中国家电对欧洲出口减小30％-50％。而禁止使用六种有害物质的指令将在2006年7月生效，还有一定的缓冲时间。

电子元件与材料杂志研究与试制

紫外光照下ZnO基薄膜的光电和气敏特性研究13-15

摘要：用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征.测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电阻的变化,发现随着掺Al量的增大,薄膜在紫外光(波长为365 nm)照射后其电阻先减小后增大.在室温下,对薄膜在不同浓度的CO气体下的敏感特性进行了研究,随着气体浓度的增加,薄膜电阻值逐渐减小;随着掺Al量的增大,气敏灵敏性先逐渐增大后减小,发现当铝含量为r(Al:ZnO)=0.5%时,对CO气体的灵敏度最大,并对紫外光照射下气敏半导体薄膜的气敏机理进行了简单分析.

Ag／ZnO基陶瓷复合材料的微结构和电学行为16-19

摘要：通过制备银/氧化锌基陶瓷复合材料,研究了复合材料的微观结构和基本电学行为.通过XRD、SEM的分析和基本物理量(密度和电阻率)、I-V特性的测量结果发现,银与氧化锌陶瓷之间并没有发生化学反应,致密度也不高.但是,二者的复合使原来在2 000 V/cm下不显现非欧姆特性的氧化锌陶瓷具有了非欧姆特性,非线性系数α达8.4,此时银的质量分数约为20%,银若过多(≥30%)或过少(≤10%)都不利于非欧姆特性的实现.

电子元件与材料杂志综合信息

温度补偿压电基板19-19

摘要：温度补偿压电基板是美国Ziptronix公司采用低成本压电材料(如LiTiO3和LiNbO3)与玻璃，石英或者其它低膨胀系数材料制成。基板的键合过程是在室温和室压下没有粘合剂和利用标准设备进行的，因而基板没有残留应力，材料位错极低和没有危害性废料。键合的基板是单一和均匀的材料，它的强度超过原料的断裂强度。

电子元件与材料杂志研究与试制

快速热退火前后ZnO及ZnO／Al薄膜性质的研究20-23

摘要：鉴于直流反应溅射制ZAO膜对反应条件敏感,研究发现,经快速热退火(RTA)处理能放宽对反应条件的要求.实验中ZnO及 ZnO/Al薄膜用直流反应磁控溅射法制备.选用金属Zn及金属合金Zn/Al靶.经快速热退火(RTA)后,通过XRD,UV-VIS-NIR分光光度计、四探针测方电阻等,研究了经不同温度RTA后ZnO及ZnO/Al薄膜的结晶状况、方电阻、电阻率、可见光透过率等的变化.对传统热退火和RTA进行了比较:经RTA 600℃后电阻率减小5～9个数量级,达1×10-3Ω·cm.

LBL法制备Cu3SbS4薄膜24-27

摘要：针对水溶液化学沉积法沉积过程复杂且难于控制的缺点,利用LBL (layer-by-layer)法,在玻璃基片上制备出了Cu3SbS4薄膜.即首先在玻璃基片上沉积Sb2S3薄膜,然后再在其上制备CuS薄膜,最后进行退火处理.探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构特性和光学特性.制备的薄膜为多晶Cu3SbS4(四方晶系)结构,厚度为344 nm,直接光学带隙约为0.47 eV.

各向异性导电胶膜新型填充粒子的研究28-31

摘要：用分散聚合法合成了直径为3 μm左右的聚苯乙烯核,在核表面化学镀形成带小突起的镍合金导电层,制成ACF新型填充粒子,对聚合物核做了粒径分布、比表面积测试,对核以及导电微球做了环境扫描电镜(ESEM)测试.结果表明:制备的导电微球密度小,呈单分散,镀层结构致密,镀层表面形成了近球形、锥形及其它不定形突起.这些突起可以刺穿电极的氧化膜.实践证明通过控制工艺参数实现控制镀层结构是一条可行方法.

电子元件与材料杂志综合信息

元件百强销售收入突破500亿元31-31

摘要：依据元件企业2003年销售收入排定的2004年第十七届电子元件百强企业共实现销售收入585．63亿元，首次突破500亿元，比上届“元件百强”增长26．26％。入围的门槛在继续提高，最末位企业的销售收入为1．15亿元，比上年度上升了1420万元。

部分电子元件产量居国际前列31-31

摘要：我国电子元件产业经过近50年的发展，无论在生产规模、生产技术、自动化程度以及品种规格方面都取得了长足的进步。在电子元件15个行业中，产量在世界上处于第一的产品有电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板等。

片式元器件行业发展迅速31-31

摘要：1995年，中国振华集团新云器材厂成为我国第一家生产片式钽电解电容器的企业。1996年，深圳南虹电子公司成为我国第一家生产片式电感的企业。1996年11月29日，我国第一家片式陶瓷电容器企业风华高科在深圳证券交易所上市。1998年4月16日，我国第一家专业生产片式电阻的企业银河科技在深圳证券交易所上市。1998年，山东电波、南京华联兴电子有限公司成为我国首批生产片式压电石英晶体元器件的企业。

电子元件与材料杂志研究与试制

镀银铜粉导电胶的研究32-35

摘要：经过对200目商用铜粉进行球磨处理得到2～8 μm细片状铜粉,再进行多次化学镀银处理,得到表面银覆盖率达90%以上的一种高性能镀银铜粉.该镀银铜粉与环氧树脂、固化剂以及其它添加剂合成制得的镀银铜粉导电胶,防铜氧化效果好,电阻稳定且电阻率可达10-4Ω·cm级别,相比银导电胶成本降低,耐迁移效果好.

电子元件与材料杂志综合信息

我国IC年产量突破200亿块35-35

摘要：2004年我国集成电路产业继续保持快速增长，产量突破200亿块，销售收入超过500亿元。产业规模、发展速度与产业发展规划相符。

电子元件与材料杂志研究与试制

铌钴镧掺杂对BaTiO3陶瓷结构与介电性能的影响36-38

摘要：根据超薄介质层对高介电常数和细晶结构介质陶瓷材料的需要,采用非均匀形核淀积方法实现Nb、Co、La的氧化物与BaTiO3(BT)水热粉体在纳米水平上的均匀混合.研究了该方法制备的Nb、Co、La掺杂BT陶瓷的相结构、显微结构以及介电性能.实验发现, La、Nb、Co的掺杂可获得致密细晶BT陶瓷,晶粒尺寸可控制在300 nm范围内,室温相对介电常数达到3 400,介温稳定性符合X7R要求.

纳米SiO2对铝电解电容器闪火电压的影响研究39-40

摘要：应用纳米材料改进铝电解电容器的性能将成为一条新途径.通过在工作电解液中添加纳米SiO2溶胶,研究了纳米SiO2对乙二醇体系工作电解液电导率和闪火电压的影响.结果表明,在研究体系中添加2%(质量分数)的纳米SiO2可以提高工作电解液的电导率10%、闪火电压提高20 V,这与传统材料相比具有明显的优点.

BT基Y5V高压电容瓷织构对抗电强度的影响41-43

摘要：在研制BaTiO3(BT)基Y5V高压电容器瓷料基础上,对不同配方的试样进行交流高压试验,SEM显微结构分析结果显示,当试样晶粒较小时(3～10 μm),抗电强度较高(≥4.3 MV/m),强交流电场引起的晶粒应力、应变不足以导致晶粒击穿;而晶粒较粗时(≥20 μm),其应力、应变导致抗电强度明显降低.瓷体中次相对强交流电场有缓冲作用,随含量增加而抗电强度提高,但介电常数降低.在此基础上探讨了瓷体织构对抗电强度影响机制.