电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2005年第03期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志综合信息

20年成就电子大国13-13

摘要：改革开放以来，我国电子信息产业经历了从小到大的发展过程，1980年电子工业实现总产值100亿元，1992年电子工业实现总产值1000亿元，2000年电子信息产业实现总产值10000亿元。

添加剂对注射成型钕铁硼粘结磁体性能的影响14-16

摘要：为了制备出高性价比的注射成型粘结钕铁硼磁体,采用国产的快淬钕铁硼磁粉和尼龙6混合、挤出造粒后,注射成型制备钕铁硼磁体.通过对硅烷系列的偶联剂、硬脂酸系列的润滑剂等添加剂对注射磁体性能的影响研究,并结合微观分析优化出了各种添加剂的最佳添加量,制备出了磁性能为Br:0.515 8 T,Hcb:321 kA/m,Hcj:730 kA/m,(BH)m:40 kJ/m3的注射钕铁硼磁体,磁体的性能与日本Mate公司的RNI-50产品性能相当,而价格却低得多.

下期要目16-16

《电子元件与材料》诚征发行伙伴16-16

SHS法制备NiZnFe2O4预烧料的工艺研究17-19

摘要：利用自蔓延高温合成的方法制备出纯度较高的NiZnFe2O4预烧料,并且利用XRD图谱,通过外推法及Vegard定律等分析了SHS法中保温时间及压坯相对密度对产物结构的影响.结果表明:NiZnFe2O4的标准图谱中应当去掉原有的第三条特征峰,同时添加(622)晶面上的一条特征峰;SHS合成的NiZnFe2O4预烧料中还有少量残余的Fe2O3,其在产物中的质量分数不超过4%,且随着保温时间的延长而减少;随着粉料压坯相对密度(ρr)的提高,预烧料的主相,即固溶体NiZnFe2O4中所固溶的ZnFe2O4的含量增多,且在相对密度为57%～63%时,其摩尔分数接近配方比例.

CuO、V2O5掺杂（1-x）BiNbO4-xZnTaO6的介电性能20-22

摘要：对CuO、V2O5掺杂的(1-x) BiNbO4-xZnTaO6(x=0.05～0.15)陶瓷体系结构和介电性能进行了研究.试验结果表明,940℃以下,体系为斜方BiNbO4和斜方ZnTaO6的复相结构;掺杂CuO、V2O5使得体系在较低温度下即可烧结成瓷,随着(1-x) BiNbO4-xZnTaO6体系中x的增加,陶瓷表观密度上升,εr下降,温度系数、损耗则呈增加趋势.x=0.05,910℃烧结保温2 h有较好的微波性能,εr约为40,Q·f值达25 000 GHz.

Sm2O3掺杂对BZN基陶瓷介电性能的影响23-25

摘要：研究了Sm2O3掺杂的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)基陶瓷(Bi1.5-xSmxZn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(0≤x≤1.5,BSZN)的结构和介电性能.实验采用传统的固相反应法制备陶瓷样品,XRD分析样品的相结构.结果表明:未掺杂的BZN陶瓷其结构为立方焦绿石单相;当Sm2O3掺杂量较少(0＜x≤0.5)时,样品的结构仍然保持立方焦绿石单相;随着Sm2O3掺杂量的进一步增加(x≥0.6),样品逐渐向Sm3NbO7、ZnO复相转变.同时,介电性能随结构的变化而呈现有规律的变化.

热蚀工艺对BSNT陶瓷SEM形貌影响的研究26-28

摘要：利用传统固相法制备了钨青铜型Ba6-3x(Sm1-yNdy)8+2xTi18O54 (x=2/3,y=0.8)(BSNT)和BSNT+0.5%(质量分数)Bi2O3微波介质陶瓷,研究了不同热蚀工艺条件对试样SEM形貌的影响,并分析了各种形貌的特点及形成原因.结果表明,BSNT陶瓷的热蚀温度低于烧结温度80℃时,或添加Bi2O3后的热蚀温度低于烧结温度105℃时,都能获得效果较好的SEM形貌.

sol-gel法制备六方相ZnTiO3粉体的研究29-31

摘要：首次采用溶胶-凝胶工艺得到了纯六方相ZnTiO3粉体.以Zn(NO3)2·6H2O和Ti(OC4H9)4为原料,通过溶胶-凝胶法制备了纯六方相ZnTiO3粉体.采用DSC-TG,XRD,FT-IR和Raman等现代测试分析手段,对凝胶粉体的热分解和相转变过程进行了研究.实验结果表明,800℃煅烧处理凝胶粉末可获得纯六方钛铁矿相ZnTiO3粉体;但是,这种六方相ZnTiO3的高温稳定性较差,当煅烧温度超过900℃时,六方相ZnTiO3分解为立方结构Zn2TiO4和金红石TiO2.

微波介质陶瓷材料介电性能间的制约关系32-35

摘要：微波介质陶瓷材料的三个主要参数相对介电常数εr、品质因数Q和谐振频率温度系数之间存在一定的关系.采用一维双原子线性振动模型,分析了微波介质陶瓷材料的εr、Q影响因素和它们之间的相互制约关系;采用Clausius-Mosotti方程,分析了谐振频率温度系数的影响因素以及它和εr之间的相互制约关系.讨论了提高高介微波介质陶瓷材料性能的途径,发现采用同电价质量较轻的离子取代,在基本不影响介电常数的情况下具有提高材料的Q·f值的可能性.

奚国华在2005年全国信息产业工作会议总结讲话中强调：贯彻落实会议精神 推动产业做大做强35-35

摘要：信息产业部党组副书记、副部长奚国华在讲话中说，这次会议在全体代表的共同努力下，达到了预期的目的，取得了圆满的成功，有许多收获：一是提高了思想认识。二是明确了工作任务。三是增强了责任感、使命感和紧迫感。

离子液体在片式铝电解电容器中的应用研究36-39

摘要：利用离子液体具有的高热稳定性、高离子电导率的特点,选用了几种离子液体用作片式铝电解电容器工作电解液.性能测试结果表明,以马来酸或邻苯二甲酸的1,3-二烷基取代的咪唑盐或四氢吡咯盐的离子液体为电解质,所制成的电容器能通过105℃1 000 h寿命试验和耐回流焊接热试验.但电解液的闪火电压与传统电解液相比较低,一般只能做50 V以下的低压电容器产品.

电子商务供应链标准会议4月举行39-39

摘要：由电子商务供应链标准全球组织RosettaNet、中国标准化协会共同主办的2005年RosettaNet全球大会将于4月20日至21日在北京举行。

热氧化法制备ZnO薄膜及其特性研究40-43

摘要：用热氧化金属Zn膜的方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜.X射线衍射结果表明,500℃氧化的样品的结晶性能最好.随氧化温度的升高,薄膜内的应力方向在450～500℃之间发生转变,从沿c轴的张应力变为压应力.500℃氧化的样品的室温光致发光(PL)谱中,紫外峰的半高宽为94.8 meV,其强度与深能级发射强度之比高达162.氧化温度超过700℃后,样品的PL谱以深能级发射为主,对此现象产生的原因进行了讨论.

综合信息43-43

摘要：加大整合力度做大做强主业，我农村固定电话用户突破1亿户，

sol-gel法制备ATO透明导电薄膜44-46

摘要：以无水SnCl4为原料,通过sol-gel法制备出稳定性很好的SnO2溶胶并由此得到掺杂的SnO2薄膜.利用差热-热重分析、XRD、IR等手段分析了制备薄膜的sol-gel过程,同时运用Hall法测量了薄膜电性能随固化温度的变化.结果表明:Cl-的存在抑制了溶胶的聚合反应,故溶胶的稳定性得以保证,而溶胶的聚合是在薄膜的固化过程中完成的.薄膜中晶粒随固化温度升高呈现指数趋势增大,电阻率随固化温度的升高逐渐减小,在固化温度700℃时达到最低值3.7 Ω·cm.

RF MEMS开关的桥膜弹性系数计算47-50

摘要：桥膜弹性系数是影响RF MEMS开关启动电压的重要参量.对RF MEMS开关进行静态力学分析,指出常用的桥膜弹性系数的计算公式未考虑开关实际采用的共面波导(CPW)结构.考虑桥膜上实际的静电力分布,修正了桥膜弹性系数的计算公式.根据修正后的计算公式,进一步探讨了减小桥膜弹性系数的方法,以降低开关的启动电压.

电子信息产业领域相关行业协会（商会）建立联席会议制50-50

摘要：2005年1月31日，信息产业部电子信息产品管理司组织电子信息产业领域二十个相关行业协会(商会)召开会议，通报了2004年电子信息产业发展及重点工作完成情况：介绍了信息产业部落实王旭东部长在全国信息产业工作会议上明确的重点工作任务分解情况：听取行业协会对电子信息产品管理司的意见和建议。与会代表围绕信息产业部今年重点工作，并就如何充分发挥行业协会作用，