电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2005年第01期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

锑掺杂氧化锡纳米粉体的水热合成与表征1-3

摘要：以SnCl4·5H2O、SbCl3为基本原料,采用水热合成法制得了锑掺杂氧化锡纳米粉体.运用XRD、TEM等分析测试手段研究了粉体的晶相组成、晶粒粒度和晶貌特征,并根据晶格常数研究了锑的掺杂形式.结果表明:在240～300℃的水热条件下,反应2～8 h,可制得结晶良好、分散性好、粒度在3～15 nm、具有四方晶系金红石结构的锑掺杂氧化锡球形颗粒;Sb是以Sb3+的形式进入SnO2晶格中.

磁控反应溅射SnO2薄膜的气敏特性研究4-6

摘要：为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜.探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理.对SnO2薄膜的电阻和灵敏度的测试以及对实验结果的分析表明:SnO2薄膜厚度在150～400 nm为宜,一般膜厚在250 nm时较为敏感.在SnO2薄膜中掺入Pd、Pt、Ag等微量杂质可大大提高SnO2薄膜气敏元件的灵敏度,且使灵敏度的峰值向低温方向移动,增强了对H2、CO和C2H5OH等可燃气体的选择性、响应时间由3 min缩短到0.5s以下.

湿敏半导体陶瓷阻-湿特性的研究7-9

摘要：定量分析了多孔半导体陶瓷低湿度范围内的湿敏机理,通过理论推导,得出电阻与相对湿度关系的解析表达式.湿度较低时,半导体陶瓷中起主要作用的是电子电导.假定吸附表面态由吸附氧离子构成,表面态吸附水分子后,向体内发射电子,用统计理论对这一过程进行推演,得出了阻-湿关系表达式.结果表明:在低湿度区(x《10%),表达式与文献提供的TiO2材料的实验数据吻合良好.

稀土氯化物溶液掺杂BaTiO3基PTC陶瓷性能研究10-12

摘要：采用稀土氯化物(YCl3、LaCl3)溶液作为施主掺杂剂,在1 350℃空气气氛下烧结制备一系列BaTiO3陶瓷样品.借助XRD、XRF等手段,研究了氯化物溶液掺杂对BaTiO3基PTC陶瓷性能的影响.结果显示,YCl3掺杂样品的最低室温电阻率为17Ω·cm、LaCl3掺杂的为17Ω·cm,且样品都具有一定的PTC效应.室温电阻率大幅降低的原因,是引入的Cl元素有一部分能进入晶格取代O位起施主作用.

Mn的形态对NTC热敏陶瓷性能的影响13-15

摘要：以MnO2及MnCO3为锰的引入源,研究了锰的引入形态对Mn-Co-Ni三元系NTC热敏陶瓷电性能的影响.结果表明:锰的引入形态对材料的阻温特性无根本的改变,但对材料的室温电阻及B值有很大的影响,且随着MnCO3含量的增加呈U型变化.

下期要目15-15

叠层片式电感的短路失效模型16-18

摘要：通过对叠层片式电感器短路失效样品的电性能测试和显微分析可知,叠层片式电感器的短路主要为引出端短路和介质层短路,其根源在于铁氧体的粒度、浆料分散性、丝网制作及烧结工艺,通过完善球磨工艺、改变加料方式、减少丝网乳胶厚度、控制成型和烧结工艺,可使短路率由15%以上降低为6%以下.

新型sol-gel技术制备BST0—3型厚膜19-21

摘要：采用传统高温固相烧结法合成了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷粉,并用高能球磨法将其细化为纳米粉,均匀分散于组分相同的BST溶胶中,形成稳定的厚膜先体溶液,而后用匀胶法制备出厚度约为6.5μm的BST厚膜.XRD测试结果表明,650℃热处理后的厚膜为单一钙钛矿相.SEM观测显示厚膜表面均匀一致,无裂纹出现.800℃热处理后的厚膜在室温、频率1 kHz下相对介电常数εr和介质损耗tgδ分别为455、0.036.

不同晶粒尺寸钛锡酸钡陶瓷的烧结及介电性能22-24

摘要：利用溶胶包覆和高能球磨的方法,经传统的陶瓷工艺,得到相对密度在95%以上,晶粒尺寸在0.36～23 μm之间的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3钛锡酸钡陶瓷.发现用溶胶包覆粉体的方法,可以阻止烧结过程中晶粒的异常长大,并且降低陶瓷的烧结温度.对样品介电性能进行了研究,发现随着晶粒尺寸的减小,Ba(Ti09Sn01)O3陶瓷表现出相对介电常数峰值对应的温度(tm)向低温方向移动,相变弥散程度增加,室温(25℃)相对介电常数先增大后减小的规律.

溶胶-凝胶法制备BST薄膜的结晶特性研究25-28

摘要：采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)工艺配制了(Ba0.65,Sr0.35)TiO3(BST)溶胶.利用旋转涂覆工艺将BST溶胶涂覆在SiO2/Si衬底上,在不同的热处理条件下制备出BST薄膜.XRD分析结果表明:制得的BST薄膜形成了单一钙钛矿结构;AFM测试结果表明,BST薄膜表面平整致密,无裂纹.表面均方根粗糙度为3～6nm,晶粒大小分布均匀,直径约为40～100 nm.随着热处理温度的提高,BST薄膜的晶粒变大,表面粗糙度变大.

日本电子元件市场新变化28-28

摘要：随着数字便携式产品、汽车电子以及PDP、液晶电视等数字化家电产品对元器件的需求越来越高，日本国内市场各类电子元件产品正在出现不同程度的变化。

Nb、Co、La掺杂对BaTiO3介质陶瓷性能的影响29-31

摘要：为了改善钛酸钡基陶瓷的烧结性能,调控细晶结构,提高工艺稳定性和材料的介电特性,采用铌、钴、镧的柠檬酸-EDTA金属有机盐复合螯合前驱液表面包覆法对水热BaTiO3(BT)粉体进行Nb2O5、CoO、La2O3掺杂改性.实验结果表明:该工艺能够实现改性组分金属有机盐前驱物在BT上的均匀包覆,形成(Ba1-3x/2Lax)(Ti1-xNb2x/3Cox/3)O3固溶体.当r(Nb/Co)》2时,材料呈铁电弛豫特性;r(Nb/Co)《2时,呈一般铁电特性;当r(Nb/Co)=2,随着La掺量的增加,材料的铁电弛豫特性增加;当r(Nb/Co)》2和r(Nb/Co)《2时,则La的掺量对材料的介电温度特性影响不大.

烧结助剂对（Bi1．5Zn1．0Nb1．5）O7陶瓷性能的影响32-34

摘要：采用传统的固相反应法制备陶试样,借助XRD、SEM和LCR测试仪,研究了烧结助剂对(Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7微波介质陶瓷的烧结特性和介电性能的影响.实验结果表明,添加一定量的CuO、V2O5或两者的混合物后,陶瓷试样的烧结温度降到950℃以下,制备的试样具有良好的介电性能.介电常数εr为152～168,介质损耗tgδ为0.003～0.007(2MHz).添加烧结助剂后的陶瓷试样的主晶相仍为焦绿石结构,但还出现少量Zn3Nb2O8和ZnO相.

致歉34-34

聚苯胺混杂型电化学电容器研究35-37

摘要：采用聚苯胺在改性活性炭表面原位聚合方法,制备了聚苯胺活性炭复合物.研究了活性炭与苯胺在不同配比下制得的复合物的比容量,结果表明:当活性炭占复合材料的质量比为14.9%时,复合物的比容量为191.8 F/g,比相同条件下制得聚苯胺的比容量提高了56%.以该复合物为电化学电容器的正极材料,以改性活性炭为其负极材料,电解液为6 mol/L的氢氧化钠水溶液,组装了原型电化学电容器.该电容器的比能量可达8.7 Wh/kg,比功率可达878W/kg.

交流瓷介电容器的生产工艺对击穿电压的影响38-40

摘要：击穿破坏电压是交流瓷介电容器最主要的技术参数,也是最难解决的技术难题.通过不同工艺的对比实验,具体研究了产品电板结构、引线焊接工艺、包封层固化工艺和环氧树脂包封工艺对交流瓷介电容器击穿电压的影响,据此优化了生产工艺,使得系列交流瓷介电容器耐压达到了较高的水平,Y1产品交流击穿电压达7.8 kV以上,Y2产品交流击穿电压达6.0kV以上.

硅基铝T形梁MEMS可变电容的设计与模拟41-44

摘要：提出了一种新颖的运用于射频通信系统VCO中的RFMEMS可变电容.该电容使用平行板和T形梁结构,使用硅衬底,整个结构由铝材料组成,结构简单,与集成电路工艺兼容,从而能够实现片上可变电容.通过静电力驱动上极板向下运动,电容值相应地发生改变,当上极板加电压从2.4V变化到4.3 V时,电容值从0.25 pF变化到0.33 pF,变化率为中心电容的27%.使用Coventor软件对该器件进行了模拟,给出的模拟结果包括容量、调节范围、瞬时响应、Pullin电压和运用该可变电容的VCO的电路模拟.

全球通信元件呈现六大趋势44-44

摘要：电子产品全球市场的不断增长，带动了全球通信市场需求量的逐步提高。其中，全求移动电话不仅在2003年持续热销，而且在2004年也仍将会保持高水平的生产量。预计2004年，全球移动电话的市场需求量将会超过6亿部。另外，由于互联网在全球的进一步普及以及全球网络宽带技术的进一步完善，PC及其外设产中的全球市场需求量今后也将会出现大幅度增长。