电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2004年第12期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

钛酸锶钡薄膜的制备及其光学特性研究1-3

摘要：用溶胶–凝胶法在石英和Al2O3单晶衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为和表面形貌.在700℃退火1 h的薄膜,其表面光滑、晶粒大小分布均匀、无裂缝、无针孔.应用双光束光度计,在200~1000 nm的波长范围测量了薄膜的透射光谱,并根据"包络法"理论计算薄膜的折射指数.结果表明,当波长从近红外范围(1 000 nm)降低到可见光范围(430 nm)时,薄膜的折射率从2.16增加至2.35,当波长降低到紫外范围时,薄膜的折射率迅速增加,在365 nm处n =2.67.实验还发现沉积在Al2O3衬底上的BST的能隙约为3.48 eV.

电子元件与材料杂志综合信息

超声诊断用的新型多孔陶瓷3-3

摘要：据俄罗斯《科学信息》杂志报道，俄专家开发出一种新型多孔陶瓷材料，用该材料制成的压力变换器可大大提高医用便携式超声诊断仪的诊断精度。

电子元件与材料杂志研究与试制

非故意掺杂GaN上Ti／Al／Ni／Au欧姆接触研究4-6

摘要：基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为7×1016cm-3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成.样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃的1 min快速热退火处理后发现,当退火温度高于700℃欧姆接触开始形成,随着温度升高欧姆接触电阻持续下降,在900℃时获得了最低比接触电阻6.6×10-6Ω·cm2.研究表明,要获得低的欧姆接触电阻,需要Al与Ti发生充分固相反应,并穿透Ti层到达GaN表面;同时,GaN中N外扩散到金属中,在GaN表面产生N空位起施主作用,可提高界面掺杂浓度,从而有助于电子隧穿界面而形成良好欧姆接触.

利用硅烷改善氮化铝粉末抗水解性的研究7-9

摘要：用硅烷KH550对AlN作表面处理,有效地改善了AlN粉末抗水解性能.实验结果表明:处理后的AlN粉末在70℃的水浴加热条件下,可长达24 h保持pH值不变.用XRD和红外光谱对结果进行了分析,并初步地探讨了硅烷改善AlN粉末抗水解的机理.

《新型电子元器件应用指南Ⅰ》已出版9-9

摘要：随着电子信息产业的快速发展，电子产品技术水平进一步提高。电子整机产业对电子元器件的品种和性能的要求越来越高，促进电子元器件发生了日新月异的变革，新型电子元器件层出不穷。但是，在电子整机和电子元器件这两个领域之间普遍缺乏广泛而深透的技术沟通。

sol-gel法制备锆钛酸钡薄膜的研究10-12

摘要：采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜.对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺.X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙钛矿结构.采用εr、tgδ的频率和偏压特性曲线研究了不同工艺条件下薄膜的介电性能.经过700℃热处理,薄膜在10 kHz频率,300 K温度测试条件下,相对介电常数为385,介质损耗为0.022;±200×103 V/cm电场条件下薄膜介电可调率为25.6%.

微桥法镍膜的弹性模量和残余应力测量13-16

摘要：利用MEMS技术制作了不同尺寸的镍(Ni)膜微桥结构样品.采用纳米压痕仪XP系统测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量和残余应力.结果表明,两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量结果一致,为190 GPa左右,但是残余应力变化较大.与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量186.8±7.5 GPa相比较,两者符合较好.

PMN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究17-19

摘要：采用传统的氧化物混合烧结工艺制备了Pb(Mn1/3Nb2/3)x(Zn1/3Nb2/3)y(ZrzTi1-z)1-x-yO3四元系压电陶瓷材料.研究了成分及预烧温度对该四元系材料组织结构与性能的影响规律.研究结果表明:随着Pb(Mn1/3Nb2/3)O3含量的增多,陶瓷的相结构由四方相转变为三方相,准同型相界位于0.025 PMN～0.075 PMN之间,且Pb(Mn1/3Nb2/3)O3增加至7.5 %(摩尔分数),可以同时提高机电耦合系数kp和机械品质因数Qm,使kp达到0.575,Qm达到1 621;提高预烧温度可以改善陶瓷的烧结特性,同时可以改善陶瓷的介电、压电性能.

PZT,PT干凝胶的制备及应用20-21

摘要：采用减压抽滤的方法成功制备了Pb(Zr0.5Ti0.5)O3,PbTiO3干凝胶,并用STA449C差热分析仪表征了干凝胶的性能.干凝胶溶解后得到了性能优良的PZT薄膜和PZT/PT复合膜.采用X射线衍射技术表征了两种薄膜的微观结构及成相特征.薄膜的介电性能及漏电流性能由HP4284ALCR及Keithley6517A来确定.试验结果表明:用减压抽滤得到的干凝胶的方法,可以彻底解决溶胶凝胶中先体存放的问题,得到的铁电薄膜有优良的介电与铁电性能.PZT的相对介电常数与介质损耗分别为424,0.033,PT作为中间层的复合膜的相对介电常数和介质损耗分别为261,0.014;PT薄膜可以调整和改进PZT薄膜的性能,使之达到应用于热释电探测器的要求.

PMS-PZT压电陶瓷的制备及性能研究22-24

摘要：采用传统陶瓷工艺制备了PMS-PZT三元系压电陶瓷,分析了其粉体和陶瓷样品的相结构组成,测试结果表明在预烧粉体中随着PMS含量的增加,焦绿石相也增加,在所有陶瓷样品中均为100%的钙钛矿结构;研究了室温下PMS含量对相对介电常数εr、介质损耗tgδ、居里温度tC、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm和压电常数d33的影响,实验表明随着PMS含量的增加,材料逐渐变"硬",εr、tC、kp和d33逐渐减少,tgδ和Qm逐渐增加.

超高压力传感器绝缘封装薄膜的工艺研究25-27

摘要：为了提高锰铜传感器的测压上限,须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层.采用电子束蒸发法,对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如:蒸发原料的纯度、成膜次数进行了研究.最终得出:由99.99%的三氧化二铝原料制备出的薄膜致密性好、缺陷少,其绝缘电阻率和损耗分别可达1012Ω·cm和10-3量级;而采用多次间隙蒸发可明显改善薄膜的附着性和致密性.

电子元件与材料杂志编读通信

本刊网站改版成功 崭新平台为您服务27-27

电子元件与材料杂志研究与试制

超电容器活性炭／炭黑复合电极电容特性研究28-31

摘要：为制备实用化的超电容器,对活性炭材料进行了表征,详细描述了活性炭/炭黑复合电极的制备工艺.通过循环伏安法和恒电流充电法,对活性炭/炭黑复合电极在水系电解液中的电容行为进行了研究.结果表明:活性炭的BET比表面积达1 654 m2/g,具有合理的孔径分布,主要在2 nm附近.添加高比表面积、高导电性纳米级炭黑制备的活性炭/炭黑复合电极具有优良的电容行为和较好的功率特性,复合电极的比容量达到102.4 F/g.此外还对孔径分布与电容的关系进行了阐述.

电子元件与材料杂志编读通信

下期要目31-31

电子元件与材料杂志研究与试制

多层片式瓷介电容器贱金属电极的制造方法32-35

摘要：为了满足多层片式瓷介电容器MLCC小型化、大容量和低成本方向发展的要求,基于国内外对多层片式瓷介电容器以贱金属取代钯银体系作为电极的研究及应用,研究了以Ni为内外电极的BME-MLCC 的制作工艺,对工艺中排胶、烧成、烧端等关键工艺作了机理性探讨.通过选取电极材料、气氛控制和温度控制等,对以Ni为内外电极的多层片式瓷介电容器的制作工艺已经成功在实验室得到验证.

电子元件与材料杂志综合信息

我国无源元器件市场需求及预测35-35

电子元件与材料杂志研究与试制

PCB的结构特征对回流温度曲线的影响研究36-39

摘要：PCB的结构特征对于回流温度曲线及其关键指标具有显著的影响,对PCB的吸热过程和回流焊炉的热传递过程进行了理论分析,并用大量的实验样本进行了实验研究.确定了PCB的厚度是对回流温度曲线影响最大的结构特征因素.

电子元件与材料杂志综合信息

LTCC技术39-39

摘要：将多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种方法，主要有低温共烧陶瓷(LTCC)技术、薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术等。