射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响

作者:刘雄飞; 高金定; 周昕; 肖剑荣; 张云芳

摘要:用射频等离子体增强型化学气相沉积法制备了a-C:F薄膜,并研究了射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响.用椭偏仪测量了薄膜的厚度,并用红外谱(FITR)结合Raman谱研究了其结构的变化.结果表明:薄膜沉积速率在10~14 nm/min之间,主要含有CFx和C=C键.随射频功率的升高,沉积速率先增大后减小,CF3的含量迅速减小,CF和CF2的含量略有增加,薄膜中r(F/C)呈下降的趋势.在较高功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构.

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关键词:
  • 电子技术
  • 射频功率
  • 沉积速率
  • 结构

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期刊名称:电子元件与材料

期刊级别:北大期刊

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杂志介绍:
主管单位:工业和信息化部
主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
出版地方:四川
快捷分类:电子
国际刊号:1001-2028
国内刊号:51-1241/TN
邮发代号:62-36
创刊时间:1982
发行周期:月刊
期刊开本:A4
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