硅纳米线纳米电子器件及其制备技术

作者:裴立宅; 唐元洪; 陈扬文; 张勇; 郭池

摘要:硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景.介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望.

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关键词:
  • 电子技术
  • 硅纳米线
  • 综述
  • 纳米电子器件
  • 制备
  • 性能

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期刊名称:电子元件与材料

期刊级别:北大期刊

期刊人气:8155

杂志介绍:
主管单位:工业和信息化部
主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂
出版地方:四川
快捷分类:电子
国际刊号:1001-2028
国内刊号:51-1241/TN
邮发代号:62-36
创刊时间:1982
发行周期:月刊
期刊开本:A4
下单时间:1-3个月
复合影响因子:0.43
综合影响因子:0.68