电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2004年第10期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试剂

a-Fe_2O_3纳米棒的制备研究1-3

摘要：采用压力-热晶法,制得棒状的前躯体后再在600℃焙烧8 h,成功地制得直径在20～40nm,长度在300～500nm之间,均匀分散、疏松多孔的六方结构的棒状Fe2O3纳米粒子,并用透射电子显微镜、电子衍射、X射线衍射等技术手段对样品进行了表征,考察了制备条件对产物粒径、形貌的影响.结果表明:初始铁盐浓度对产物粒径影响不明显,可以在较高初始浓度下制备Fe2O3纳米粒子;pH值、初始压力对粒子形貌和大小有一定的影响.

纳米硫化铜的超声波化学合成及其表征4-5

摘要：以硝酸铜[Cu(NO3)2]、硫代乙酰胺(TAA)为原料,用超声波化学法制备了硫化铜纳米粒子.该材料适用于发光二极管、光催化剂和电化学电池.用正交实验法对合成条件进行了优化,其优化反应条件是:超声波频率为20kHz,沉淀剂为三乙胺,反应时间为70 min.并用红外光谱仪(IR)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对产品进行了表征.CuS纳米粒子尺寸为17±2 nm.

复合先驱体法制备铅镁锰锑铌系压电陶瓷材料6-8

摘要：采用复合先驱体法制备了Pb(Mg1/3Nb2/3)a(Mn1/3Nb2/3)b(Mn1/3Sb2/3)cZrdTieO3(PMMSN)铅镁锰锑铌多元系中温烧结压电陶瓷材料.结果表明,相同合成条件下,三组元复合先驱体法和六组元复合先驱体法比四组元复合先驱体法制得样品的钙钛矿相含量更高,在700℃即可得到单纯钙钛矿相材料,且复合先驱体法具有比单一先驱体法(二组元)工艺更加简单、成本更加低廉的优势.性能测试结果表明,三组元复合先驱体法制成样品的性能最佳.1100℃烧结样品的性能参数:Qm为1 916,kp为0.56,为1 349,d33为326,tgδ为0.43×10-2,可以满足超声马达和压电变压器等应用方面的要求.

后处理工艺对PCT薄膜形貌与结构的影响9-11

摘要：采用射频磁控溅射技术,利用快速退火工艺制备出了大面积(φ120 mm)表面光滑、连续、均匀的(Pb,Ca)TiO3(PCT)薄膜.原子力显微镜和X射线衍射分析结果表明,快速退火处理工艺较常规退火处理工艺具有晶化温度低、晶化时间短、薄膜结晶性能好、易与微电子工艺兼容等优点.经500～550℃快速退火处理后,PCT薄膜已完全形成钙钛矿结构,最佳晶化温度约为550℃.

溶胶-凝胶法WO3纳米粉体的气敏性能研究12-13

摘要：采用溶胶-凝胶法制得了不同掺杂量的TiO2-WO3(TiO2质量分数为0～5%)纳米粉体材料,利用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,并进行了气敏性能测试.研究发现:适量TiO2的掺杂可改变WO3的晶型,抑制晶粒的生长,提高粉体材料的气敏性能,其中掺杂量为3%的烧结型气敏元件在220℃时对汽油有较高的灵敏度,线性检测范围较宽,且抗干扰能力强.

射频功率对a-C：F薄膜沉积速率和结构的影响14-16

摘要：用射频等离子体增强型化学气相沉积法制备了a-C:F薄膜,并研究了射频功率对a-C:F薄膜沉积速率和结构的影响.用椭偏仪测量了薄膜的厚度,并用红外谱(FITR)结合Raman谱研究了其结构的变化.结果表明:薄膜沉积速率在10～14 nm/min之间,主要含有CFx和C=C键.随射频功率的升高,沉积速率先增大后减小,CF3的含量迅速减小,CF和CF2的含量略有增加,薄膜中r(F/C)呈下降的趋势.在较高功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构.

退火工艺对钛酸锶钡薄膜结构的影响17-19

摘要：采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜,在500～750℃之间对薄膜快速退火.XRD分析表明:500℃时BST薄膜开始晶化为ABO3型钙钛矿结构,温度越高结晶越完整,晶粒越大.理论计算表明,薄膜在低温退火后无择优取向,高温退火后在(111)、(210)晶面有择优取向.退火气氛、保温时间、循环次数等因素对薄膜晶粒大小无明显影响,但对表面粗糙度和结晶程度影响较大.

BST-MEMS移相器开关20-22

摘要：为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构--分布式电容周期性加载结构.分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关.目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅.BST薄膜作为一种性质优良的介电材料,其介电常数远大于氮化硅.从MEMS移相器开关性能的几个关键指标出发,探讨在MEMS移相器开关中,用BST薄膜代替氮化硅介质的可能性.

混合微电路SXT2005型开关电源的设计23-26

摘要：介绍了SXT2005型厚膜集成开关电源的设计过程,详细论述了电路的工作原理、元器件选解决办法,以及可靠性设计等内容.通过理论分析和实验、调试,以各单元电路分别自反馈控制的方式实现了不平衡加载,采用多路单控、相互抑制降低纹波的方法使输出纹波电压小于30 mV.厚膜技术的应用,缩小了电路体积,提高了电路的稳定性,增强了可靠性.

二氧化铈掺杂锆钛酸钡陶瓷性能和结构的研究27-29

摘要：采用传统电容器陶瓷制备工艺,研究了CeO2加入量对Ba(Zr,Ti)O3(BT)基电容器陶瓷性能的影响,得到了CeO2影响其性能的规律,当w(CeO2)为1.0%时相对介电常数最大(7193),当w(CeO2)为0.5%时介质损耗最小(0.0351).CeO2有降低居里温度及展宽介电常数-温度峰和减小介电常数温度变化率的作用.利用SEM研究了CeO2对BTZ基陶瓷微观结构的影响,探讨了影响性能的机制,结果表明:CeO2是通过与BTZ形成缺陷固溶体、移峰、偏析晶界及抑制晶粒生长等来影响瓷料性能和结构的.

《新型电子元器件应用指南Ⅰ》出版信息29-29

薄膜厚度对钛酸钡类薄膜传感器敏感特性的影响30-32

摘要：利用氩离子束溅射技术,分别在SiO2/Si衬底上淀积了0.5 μm、1μm和2μm的Ba1-xLaxNbyTi1-yO3薄膜,并探讨了薄膜厚度对MIS电容湿敏特性的影响以及薄膜厚度对薄膜电阻的光敏和热敏特性的影响.实验结果表明:0.5μm膜厚的MIS电容传感器具有比2μm膜厚的MIS电容传感器高9倍的湿敏灵敏度.用孔隙率和孔径分布物理模型分析得出,薄膜越薄,膜的孔隙率越高,器件的湿敏灵敏度越高.反之,薄膜越厚,光吸收越强,薄膜电阻的光敏灵敏度越高;但薄膜厚度对薄膜电阻热敏特性的影响甚微,敏感机理与薄膜的微观结构可解释这些现象.

Cymbal换能器的材料常数与机电性能关系研究33-35

摘要：用有限元方法和ANSYS软件,仿真计算了不同材料对Cymbal换能器的机械、电及机电性能的影响.研制了Cymbal换能器并进行了测量,计算结果和实测结果符合较好(误差≤6%).通过这一研究得到了材料常数与Cymbal换能器的机电性能之间的关系.研究结果对Cymbal换能器的研究和设计工作具有实际意义.

《中国电子学会元件分会纪事（1962～2004）》一书面世35-35

一种用于MLCC的10Pd90Ag内电极浆料36-37

摘要：介绍了片式多层瓷介电容器用10Pd90Ag内电极浆料的研制结果,该材料采用10Pd90Ag合金粉,配合优选的有机载体,非常适合与低于960℃的烧结温度的瓷料匹配,可以节约大量成本.

压电陶瓷风扇的研制38-43

摘要：研制了一种有别于传统风扇的新型压电陶瓷风扇.该风扇是根据压电陶瓷的逆压电效应,在驱动电路交变电场的驱动下,直接带动叶片产生弯曲谐振,从而由片端向前方输出高速、平稳的气流,对冷却对象直接进行冷却.通过对关键材料研制、驱动电路设计,取得了前期测试数据,并对结果进行了初步分析和讨论,得出了一些对下步研制具有指导意义的结论.

电子元件与材料杂志综述

硅纳米线纳米电子器件及其制备技术44-47

摘要：硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景.介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望.

下期要目47-47