电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2004年第09期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志研究与试制

竹叶状GaN纳米带的制备1-2

摘要：为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1 000℃下常压通氨气进行氨化.在氨气气氛中ZnO在高温下挥发,借助于ZnO挥发的帮助,Ga2O3与NH3反应自组装生成GaN纳米带.XRD分析结果表明GaN纳米带为六方纤锌矿结构,利用SEM观测GaN纳米带具有竹叶状形貌,PL谱测量发现了位于370 nm处和460 nm处的室温光致发光峰.

锰铜薄膜的制备及压阻特性3-5

摘要：为了锰铜传感器微型化,采用直流磁控溅射法制备适合高压力测量的锰铜薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜技术分析了薄膜的结构和形貌,动态加载实验标定了锰铜薄膜的压阻系数.研究结果表明,晶粒尺寸决定了薄膜的压阻系数,经360℃热处理1 h后,薄膜晶粒长大,压阻系数有着明显提高(K值达到0.02 GPa-1),性能达到锰铜箔的水平.

稀土掺杂的BSTO／MgO铁电移相材料6-8

摘要：为了提高移相器性能,通过掺杂的方法研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物对BSTO/MgO铁电移相材料低频(10 kHz)与高频(2.5 GHz左右)相对介电常数εr、介质损耗tgδ和调谐性T等的影响,并对影响机理作了初步探讨.结果表明,掺杂摩尔分数为0.5%La2O3的BSTO/MgO系统基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求:10 kHz下,tgδ = 4×10-4,T = 14.6%;2.41 GHz下,tgδ = 6.7×10-3.

添加PVB对燃烧合成TiC的影响9-10

摘要：采用Ti、C粉末为原料,研究了在Ti-C系中添加PVB对燃烧合成TiC的影响.实验结果表明,在Ti-C系中,未添加PVB得到的主要是呈球形状的较大颗粒的TiC,约为5 μm;而添加PVB后则得较细的不规则TiC颗粒,添加w(PVB)为10%的TiC颗粒约为1 μm,并探讨了上述燃烧合成TiC的机理.

氧扩散热处理SrTiO3压敏电阻的非线性和界面势垒11-13

摘要：伏安特性测量和分析表明,随热处理温度增高,空气中氧扩散热处理SrTiO3压敏电阻的界面电子势垒高度和压敏电压不断增大,而非线性系数则开始增大随后反而减小.分析认为,这与扩散层的厚度不断增加有关.复阻抗测量得到晶粒电阻Rg随热处理温度增高而增大的实验事实,为扩散层的存在及其变化提供了间接证明.

表面包裹γ-Fe_2O_3超微粒的光谱特性研究14-16

摘要：为了避免r-Fe203超微粒的团聚，改善其性能，用超声分散的方法将r-Fe203超微粒分散于硬脂酸，正己烷／氯仿溶液中，使r-Fe203超微粒表面被硬脂酸包裹。用紫外一可见光的吸收光谱、红外光谱和XRD的方法对表面包裹的y-Fe203超微粒的光谱特性进行了研究。实验结果显示：r-Fe203超微粒被表面包裹后，紫外一可见光的吸收边从495nm移到了836nm，出现了“红移”现象；红外光谱中1056crn^-1到2055cm^-1区域的吸收反映了y-Fe2o3超微粒和硬脂酸连成为一个整体，在600cm^-1到400cm-。范围内的Fe-O振动峰也发生了变化；X射线衍射峰的位置向衍射角减小的方向移动，晶格常数和相对强度增大。

CdO对In2O3电导和气敏性能的影响17-18

摘要：为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响.结果表明:CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-xCdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3的电导比纯In2O3小得多;900℃下热处理4 h所得的x(CdO)为2%的In2O3传感器在183℃工作温度下,对45 μmol·L-1C2H5OH的灵敏度达276、响应-恢复时间只有3s和180s.有望开发为一类新型酒敏材料.

一种大功率压电陶瓷变压器材料研究19-21

摘要：采用传统陶瓷工艺制备了Pb(Ni1/2W1/2)O3-Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Ti1/2Zr1/2)O3(PNW-PMS-PZT)四元系压电陶瓷.分析了粉体和陶瓷的相结构组成,结果表明烧结温度的提高和PZT含量的增加有助于钙钛矿相的生成,同时发现PZT的含量在0.91～0.93附近有准同型相界存在.研究了室温下烧结温度和PMS含量对相对介电常数εr,机电耦合系数kp,机械品质因数Qm和压电常数d33的影响,实验表明在室温下随着PMS含量的增加εr 、kp、d33逐渐减小,Qm增加;随着烧结温度的提高,kp、d33 增大.制得了室温下εr为1 959,d33为390 pC/N, kp为0.614, Qm为1349的大功率压电陶瓷变压器压电材料.

高稳恒温晶体振荡器晶体拐点的自动调试22-24

摘要：为了缩短高稳恒温晶体振荡器(OCXO)的开发周期,推动其批量化生产,利用计算机强大的分析控制能力以及计算机与设备方便可靠的通讯,提出了一种OCXO拐点自动调试的方法.实验研究表明:这种方法可以有效优化OCXO的启动特性,3 min内其稳定度可达1×10-8,提高OCXO的频率稳定度,其长期频率稳定度为0.5×10-8.

电子元件与材料杂志综合信息

“Sn-9Zn共晶无铅焊锡”24-24

电子元件与材料杂志研究与试制

掺杂PZT粉料的制备及其性能研究25-28

摘要：以硝酸盐-柠檬酸为反应体系,通过柠檬酸盐聚合燃烧法合成PZT(Pb((Zr0.52Ti0.48)O3)、PZTS(Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3)和PZTSM(Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3+0.75% MnO2(摩尔比))微粉,研究了溶液混合后发生的化学反应,并测试了利用此方法制备的PZT、PZTS和PZTSM的介电和压电性能.结果表明,与PZTS相比,PZTSM的d33(211pC·N-1)、kp(0.498)和ε/ε0(1 171)都有显著提高,而tgδ(0.003 5)、矫顽电场和剩余极化明显降低,同时表现出施主和受主掺杂特性.

单分散二氧化硅超细颗粒的制备29-30

摘要：通过控制反应速度,以氨催化水解醇介质中的正硅酸乙酯(TEOS)制备得到了400±20 nm的单分散二氧化硅超细颗粒.反应首先在低浓度TEOS下形成并完善晶核,再在高浓度下促使晶核强制生长,最后经陈化得到粒径分布集中、单分散二氧化硅超细颗粒.以制备的SiO2作为添加剂制作Y5V特性MLCC,其性能优于进口SiO2.

掺杂浓度对AZO薄膜结构和性能的影响31-33

摘要：采用溶胶-凝胶工艺在玻璃基片上制备Al3+掺杂型的ZnO(AZO)透明导电薄膜,对薄膜进行了XRD和SEM分析,并对其光电性能作了详细的研究.结果表明:薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长;薄膜的可见光透过率可达80%以上;Al3+掺杂型的ZnO透明导电薄膜的电阻率为1.5×10-2～8.2×10-2 Ω·cm.

电子元件与材料杂志科技动态

纳米氧化锡制备方法的研究进展34-36

摘要：从制备氧化锡的方法,原理和工艺特点等几方面综述了近年来纳米氧化锡粉末、薄膜、棒、线、带的最新研究进展.着重阐述了制备准一维纳米氧化锡的过程及各自的生长机制.并对纳米氧化锡粉体制备的研究方向和产业化发展趋势作了展望.

碳纳米管纯化的研究进展37-40

摘要：鉴于不同方法所制备的碳纳米管都混有无定形碳、碳纳米颗粒、富勒烯及催化剂粒子等杂质,故必须对其进行纯化.笔者对现今的主要提纯方法,诸如物理纯化法(离心与微孔过滤,空间排阻色谱),化学纯化法(气相氧化,液相氧化等)进行了评述,并介绍了各种方法中典型的提纯步骤.对这些提纯方法的机理也进行了讨论.

电子元件与材料杂志综合信息

金属陶瓷多孔材料研制成功40-40

电子元件与材料杂志科技动态

低介电常数纳米多孔氧化硅薄膜的研究进展41-45

摘要：纳米二氧化硅(NPS)薄膜是新型微波大功率器件和超大规模集成电路(ULSI)互连系统的最佳候选绝缘介质之一,有着广泛的应用前景.介绍了NPS薄膜的制备工艺,综述了NPS薄膜的国内外研究进展及其检测方法,并探讨了NPS薄膜材料的弱点以及今后应进一步研究的若干问题.

铝电解电容器的现状与发展趋势46-48

摘要：介绍了当今世界铝电解电容器行业的现状与特点,分析了我国在加入WTO以后、整个世界铝电解电容器制造业正加速向中国转移的情况下,中国在这一行业的产品技术、原材料技术和设备制造等方面存在的差距,并对今后的发展提出一些看法和建议.