电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2004年第07期杂志 文档列表

电子元件与材料杂志电子陶瓷

压电元件机电耦合系数定义研究1-3

摘要：用作转换器的压电元件的一个重要特性是衡量其能量转换效率.常用来表征这一特征的参数是机电耦合系数.对于机电耦合系数这一参数,没有一个统一的定义,对目前常用的三种定义方式进行了分析,通过一个实例--长条片横向长度伸缩振动模式压电振子,比较了三种定义的联系、差别以及适用范围.分析结果表明:开路-短路计算方法是一种适用范围更广的方法.

SnO2掺杂ZnO-Nb2O5-TiO2微波介质陶瓷4-6

摘要：研究了SnO2对ZnO-Nb2O5-TiO2陶瓷相结构和微波介电性能的影响.随Sn添加量的增加,晶相组成逐步从(Zn0.15Nb0.30Ti0.55)O2相转变为ZnTiNb2O8相,相对介电常数εr减少,τf向负频率温度系数方向移动, 当Sn含量增加到0.20,τf可降至9.8×10-6℃-1.当SnO2的摩尔比y为0～＜0.08时,形成完全固溶体,提高Q·f值;当y＞0.08,部分Sn形成第2相,降低其Q·f值.当y为0.08,在1 150℃烧结,具有很好的微波介电性能,其εr为50.3,Q·f为14 892 GHz,τf为25.12×10-6℃-1.

溶胶-凝胶法制备BaTiO3薄膜的研究7-9

摘要：以醋酸钡和钛酸丁酯为原料,应用溶胶–凝胶法在Al2O3基片上制备了BaTiO3薄膜.具体分析了原料、溶剂、催化剂、溶液的pH值、螯合剂和表面活性剂对溶胶–凝胶体系的影响,以及加水量、乙二醇加入量和醋酸对溶胶–凝胶黏度的影响.并且可以把掺杂离子加入到溶胶–凝胶中,为调节BaTiO3薄膜的性能打下了良好的基础.

掺杂对PZT铁电陶瓷介电铁电性能的影响10-12

摘要：掺杂可以改变锆钛酸铅系铁电陶瓷的性能。着重对掺La^3+、Mn^2+对PZT陶瓷结构与性能的影响作了一些研究和探讨，通过对掺两种添加物的样品的介电、铁电性能的比较发现：掺La^3+可以增大剩余极化值和损耗；掺杂Mn^2+可以降低损耗；同时加入La^3+、Mn^2+可以调整PZT性能得到理想的效果：2Pr为80x10^-6／cm^2,tgδ为0．6x10^-2。

电子元件与材料杂志编读通信

下期要目12-12

电子元件与材料杂志电子陶瓷

Ba2Ti9O20陶瓷的低温烧结及其在MLCC中的应用13-15

摘要：以BaTiO3和TiO2粉末进行固相反应来合成Ba2Ti9O20主晶相,通过添加烧结助剂及少量Ca、Nd、W改性剂来降低瓷料的烧结温度,使瓷料的介电性能达到高频MLCC电性能要求.研究结果表明,采用Ca、Nd、W复合添加剂可显著地降低Ba2Ti9O20主晶相的合成温度降至1 200℃,采用硼硅酸盐玻璃可使陶瓷烧结温度降低至1 000℃以下,实现了Ba2Ti9O20陶瓷与低钯电极浆料的共烧,成功地应用于高频MLCC.

电子元件与材料杂志敏感元器件

K^＋掺杂对SnO2-LiZnVO4系湿敏陶瓷性能的影响16-18

摘要：为了提高SnO2-LiZnVO4系湿敏材料的性能,采用共沉淀法制备出SnO2-K2O-LiZnVO4系纳米湿敏粉体.考察了液相掺杂K+对材料湿敏性能、复阻抗特性和电容特性的影响.实验结果表明,采用共沉淀法制备纳米粉体并使K+液相掺杂量为2.5%(摩尔分数),可使湿敏材料低湿电阻小、灵敏度适中,适当的K+添加量可明显改善SnO2-LiZnVO4系纳米材料的感湿特性.

控制铅挥发制备钛酸锶铅半导体陶瓷19-21

摘要：在Y掺杂的钛酸锶铅中,分别添加过量PbO、SiO2、ZrO2制备之半导体陶瓷样品,在居里点(约120℃)以上具有强的PTC效应,升阻比接近5个数量级.其中,SiO2或ZrO2增强了居里点以下的NTC效应,降阻比可达1个数量级;而少量PbO则降低了陶瓷的室温电阻率和NTC效应.通过热处理可以使热敏特性由PTC型向NTC-PTC复合型转变,表明NTC效应与铅含量变化密切相关,控制铅挥发能获得不同热敏特性的钛酸锶铅半导体陶瓷.

电子元件与材料杂志综合信息

“2004中国电子元件百强峰会论坛”5月21日在北京召开21-21

电子元件与材料杂志HIC技术

溶胶-凝胶法制备ATO-SiO2抗静电复合薄膜的特性研究22-24

摘要：采用两步溶胶–凝胶法制备出ATO(掺锑氧化锡)-SiO2复合抗静电薄膜.通过DTA-TG、XRD、SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密.薄膜中SiO2为无定形结构,ATO的衍射峰与SnO2一致.研究了SnO2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随SnO2含量增加γ(SnO2/ SiO2)从5至12.5,薄膜的表面电阻降低(从1010Ω/□降低到108Ω/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从89.0%降至84.2%),结合三方面性能,得出最佳SnO2的配比为:γ(SnO2/ SiO2)=10.

表面活性剂对厚膜电子浆料流平性的影响25-27

摘要：通过测量丝网印刷后膜层的表面粗糙度来表征厚膜电子浆料的流平性,研究了常用表面活性剂司班85及卵磷脂含量对浆料流平性的影响.结果表明,随着有机载体中表面活性剂含量增加,厚膜电子浆料的流平性变差.此外,还初步分析了表面活性剂对提高浆料的分散性和稳定性的作用.

电子元件与材料杂志综合信息

部推进电子信息产品污染防治标准化27-27

电子元件与材料杂志HIC技术

厚膜镍导电浆料研究28-30

摘要：研究了厚膜镍导电浆料的制备及其烧结工艺,讨论了浆料中玻璃粉含量、烧结温度、保温时间及烧结气氛对烧结膜的附着力、方阻和可焊性的影响.结果表明:镍粉与玻璃粉的相对质量比100/8的厚膜镍导电浆料,在烧结温度750℃、保温时间10～15 min并有氮气保护的低氧分压烧结气氛时,可获得具有良好附着力、导电性和可焊性的膜层.

电子元件与材料杂志信息材料及应用

衬底温度和溅射偏压对ZnO：Al透明导电膜结构和光电特性的影响31-34

摘要：利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的ZnO:Al透明导电膜.研究了薄膜的结构和光电特性与衬底温度的关系,薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的c轴具有[002]方向的择优取向,薄膜的最低电阻率分别为1.01×10-3Ω·cm和8.48×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%.并研究了溅射偏压对有机衬底ZnO:Al薄膜结构及光电特性影响,最佳负偏压为60 V.

电子元件与材料杂志综合信息

2004年度电子发展基金项目开始申报34-34

电子元件与材料杂志信息材料及应用

超细银粉的制备及其导电性研究35-37

摘要：用化学还原法在醇水体系中制备出平均颗粒粒径为0.8～1.2 μm、分散性好的超细球银.讨论了表面活性剂、还原剂的种类、温度、硝酸银含量及pH值对球银颗粒粒径和分散性的影响.将所得超细球银在水体系中高效率球磨得分散性好的光亮片状银粉,平均粒径＜6 μm,比表面积0.7～1.3 m2/g.讨论了吸附在银粉表面的有机物的种类和比表面积对片银导电性能的影响,结果表明:比表面积越大,导电性越好.

电子元件包装用抗静电薄膜的制备38-40

摘要：采用聚乙烯二氧噻酚(PEDT)为导电物质,聚氨酯为主要成膜物质在包装材料(PP)表面制备电子元件包装用抗静电薄膜.随着w(导电材料)从8%增加到16%,膜的表面电阻从109Ω/□降低为107Ω/□,之后保持不变.当w(导电材料)大于24%时,表面电阻继续降低为106Ω/□.随着聚氨酯加入量的增加,薄膜的表面电阻升高,从106变为108Ω/□.聚氨酯含量的增加,使薄膜的强度先增加后降低.实验确定之理想配方为:w(PEDT)为12%,w(聚氨酯)为32.8%.

SiC／SiO2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究41-43

摘要：采用SiC/SiO2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了SiC/SiO2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能.结果表明,样品经高温退火后在SiO2基质中有SiC纳米颗粒形成.以280 nm波长光激发样品薄膜表面,显示出较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度从800℃升高至1 050℃而增强.其发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心.