电子元件与材料杂志 北大期刊 统计源期刊

电子元件与材料 2004年第03期杂志 文档列表

化成前处理对提高铝箔比容的影响1-2

摘要：利用化成前引入高介电常数金属氧化物的方法,研究了TiO2涂层对提高铝箔比容的影响.结果表明:腐蚀箔在6%(质量分数)钛酸乙酯的乙醇溶液中,浸泡5 s,然后在450℃恒温10 min,在210 V下有机酸化成,阳极氧化膜的结构与性能得到改善,铝箔比容可提高10%,从而可有效提高形成效率.

片状钽电容器失效分析3-6

摘要：针对钽电容在实际使用中失效率过高的问题,从电路设计和制造工艺两个方面分析导致钽电容器失效的原因,并根据分析的结果给出相应的预防钽电容器失效的具体措施.

锌蒸气高温气相氧化对氧化锌的结晶形貌的影响7-9

摘要：实验研究了锌蒸气高温气相氧化条件对氧化锌结晶形貌的影响以及形貌变化的规律.研究表明氧化锌有无定形、颗粒状、单针状、四针状、多针状等五种典型的结晶形貌,这些结晶形貌都强烈地依赖于锌蒸气氧化时的物理化学环境,生长条件不同,ZnO晶体的成核和生长过程就不同,因而表现出不同的形貌,通过改变制备条件可以调控氧化锌的结晶形貌.实验同时表明氧化锌的结晶形貌与原料锌粉的粒度及表面状态没有直接联系.

压电振子复参数等效电路模型研究10-12

摘要：为得到压电振子精确的等效电路,将等效电路参数设为复数,即每一电路元件参数包含实部和虚部两部分,其中实部部分意义与传统参数意义相同,而虚部部分表示相应的机械、介电及压电损耗.为得到等效电路参数,给出了等效电路参数与压电材料参数之间相互关系.通过仿真和实验两种方法对复数模型与传统模型进行了性能比较,验证了复数等效电路模型的有效性和精确性.

电子陶瓷薄膜材料的集成及应用13-17

摘要：阐述了近几年来国内外关于电子陶瓷材料的集成研究状况及发展趋势,指出了电子陶瓷薄膜材料的产品在诸多领域的重要应用.对电子陶瓷材料与微电子器件的集成,以及电子陶瓷在微传感器和MEMS中的应用情况作了重点介绍.

La0．7Sr0．3FeO3对SnO2基CO气敏元件性能的影响18-19

摘要：采用柠檬酸盐法合成纳米晶La0.7Sr0.3FeO3.为考察其对以SnO2为基体材料的一氧化碳气敏元件性能的影响,将一定质量分数的(1%、3%、5%)La0.7Sr0.3FeO3作为掺杂剂掺入SnO2粉体中.测试结果表明,La0.7Sr0.3FeO3的掺入改善了气敏元件的长期稳定性,同时提高了元件对CO气体的灵敏度,经10 d的老化后,80 d内元件阻值变化不超过±10%.用4A分子筛对元件进行表面修饰,改善了元件的选择性.

高补偿硅的光敏感特性20-22

摘要：对电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅.并在室温(25℃)和液氮温度(-196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性.测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响.

超细铁酸镉材料的制备及其气敏性能研究23-25

摘要：以FeSO4·7H2O和CdCl2·2.5H2O为原料,采用化学共沉淀法制备了纳米尺寸CdFe2O4粉体.利用X射线衍射仪、透射电镜对粉体的形貌、结构进行了表征.研究表明,用化学共沉淀法制备的CdFe2O4结晶情况良好,分布均匀,平均粒径约为80 nm.以CdFe2O4纳米粉体为原料制备了厚膜气敏元件,在工作温度为400℃左右时,该元件对乙醇具有较高的灵敏度、好的稳定性和选择性.并对气敏机理给予了解释.

TGS813气敏元件低温特性及其非线性分析26-28

摘要：基于TGS813半导体气敏元件的特性分析,提出了一种简单的解决非线性的方法,并对其在-10～-40℃时的敏感性能进行实验研究,以适应行业对气体探测器温度环境工作的要求.实验结果显示:在被测甲烷气体浓度小于60%LEL(爆炸下限)时,数显误差不大于±4%,且在- 40℃时仍然有较好的敏感性,拓展了其在低温情况下的应用.

电子封装无铅化趋势及瓶颈29-31

摘要：欧盟通过法令限制电子用品中铅等有害物质的使用,含铅电子产品不久将退出市场,电子封装的无铅化已成必然趋势.焊料的无铅化是无铅封装的关键,目前无铅焊料的研究集中在Sn基焊料和导电胶粘剂两个方向.文中介绍了三种典型无铅焊料体系的不足之处,以及银导电胶研究中的三个难题.另外,关于无铅焊料还没有一个统一的标准.

半导体芯片银凸点微电极生长技术32-33

摘要：银点微电极生长技术主要用于ISS181系列高压超高速开关二极管的电极成型,是一项制约ISS181封装国产化的瓶颈技术.该项目研究采用了自主开发的流动独立供液、独立供电,整体控制工艺,用于100 mm芯片电极成型,保证银凸点微电极高度40 μm,误差±15%.做到微区银点生长有效控制,大面积一致性好.在流量8 L/min,电压6.5 V,占空比10%的条件下,得到了最佳结果.

低温生长SiC薄膜衬底碳化研究34-36

摘要：讨论了在用热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中衬底碳化工艺对SiC成膜的影响.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射谱(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和俄歇电子能谱(AES)等分析手段,对衬底碳化进行研究.并对典型工艺条件(钨丝温度2 000℃,衬底温度800℃,衬底碳化时间5 min)下制备的样品的碳化层进行分析,得出其厚度约为20 nm,由富C的3C-SiC层,3C-SiC层和含C的Si层组成.

氧退火对钛酸锶钡薄膜介电常数的影响37-38

摘要：采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧气氛中不同温度和时间的退火对薄膜的介电常数的影响.实验结果表明,在退火温度为600℃时,随着氧退火时间的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数减小;而在退火时间为30 min时,随着退火温度的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数增加.微观结构分析和极化理论解释了这一现象.

一种非接触式IC卡自动收费管理系统39-42

摘要：设计了一种基于射频识别技术的非接触式IC卡自动收费管理系统.该系统由IC卡阅读器和信息管理系统两大部分组成.其中IC卡阅读器采用射频识别技术,在单片机控制下,实现感应模块和IC卡之间快速、准确的数据交换;信息管理系统则通过设计专用数据库对数据进行实时管理.系统具有界面友好、操作方便、响应快(响应速度0.5 s以内)、性能稳定等特点.

掺杂比与热处理温度对锑锡氧化物结构和导电性能的影响43-44

摘要：采用水热法制备锑锡氧化物(ATO)粉体,运用差热–热重分析(DTA-TGA)、X射线衍射(XRD)等测试手段对粉体进行了表征.研究了掺杂比、热处理温度等工艺条件对ATO粉体结构和导电性能的影响.实验结果显示:粉体仍为四方相的金红石结构;锑锡掺杂比(摩尔比)为11%时达到最佳导电性能,随掺杂量增加,粉体晶粒度变小;随热处理温度升高,电阻值降低,粉体晶粒度变大.

侧挂短链聚醚醇和季铵盐的网状聚合物电解质的合成与性能45-48

摘要：设计了以端基含有烯丙基的不饱和聚醚醇(UPEO)为原料,与氯丙烯和双丙烯酸二甘醇酯交链共聚,制得侧挂短链聚醚醇和氯甲基的网状聚合物(NPP);NPP再与三乙胺回流反应,合成一种新结构的侧挂短链聚醚醇和季铵盐的网状聚合物电解质基质(NPE)的方法.通过IR、HNMR、GPC以及DSC等对NPE的结构和形态进行了分析表征.初步的实验结果表明:NPE复合LiClO4制成网状聚合物电解质的电导率、热稳定性、电化学稳定性和膜强度取决于网络结构、短链聚醚醇EO/Li+摩尔比、季铵盐和温度.