摘要:采用溶胶-凝胶工艺在Si和Pt/Ti/SiO2/Si两种衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜, 研究了衬底对Bi4Ti3O12铁电薄膜生长及性能的影响.研究表明:Pt/Ti/SiO2/Si基Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化较高但易出现焦绿石相,而Si基Bi4Ti3O12薄膜易于沿c轴取向生长,有利于改善铁电薄膜与硅衬底之间的界面特性,但8μ(C/cm2的剩余极化却比前者有所降低.
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期刊名称:电子元件与材料
期刊级别:北大期刊
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