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电子元件与材料杂志社
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电子元件与材料杂志

《电子元件与材料》科技期刊,国内外公开发行,北大核心期刊,综合影响因子:0.368。电子元件与材料报道国内外混合微电子、磁性材料的基础理论、科技创新成果。
  • 主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
  • 主办单位:中国电子学会;中国电子元件行业协会;国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
  • 国际刊号:1001-2028
  • 国内刊号:51-1241/TN
  • 出版地方:四川
  • 邮发代号:62-36
  • 创刊时间:1982
  • 发行周期:月刊
  • 期刊开本:A4
  • 复合影响因子:0.491
  • 综合影响因子:0.467
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电子元件与材料 2004年第02期杂志 文档列表

低表面附着铜含量的铝阴极箔研究

摘要:利用铝铜合金电子铝箔生产的铝电解电容器用阴极箔的表面附着铜含量一般高达50 mg/m2以上.研究了该类阴极箔表面附着铜的来源,提出了用浓硝酸清洗附着铜的方法.实验结果表明,箔表面大部分附着铜由腐蚀过程中的铜沉积产生;通过调整硝酸浸洗体系的含量、温度和浸洗时间等参数,可将铝箔表面的附着铜含量大幅度降低至5 mg/m2以下,而阴极箔的其它性能不受影响.
1-3

纳米Mg-Al_2O_3和MgO-Al_2O_3混合粉末的制备

摘要:运用机械合金化方法,对Mg和MgO与Al203混合粉末进行球磨后得到了粒度分布均匀的球形纳米粉末。Mg和MgO的加入对混合粉的纳米化过程有不同的影响,MgO的加入有利于混合粉的纳米化。同时过程控制剂乙醇的加入不仅有利于混合粉的纳米化过程,而且有利于纳米粉末的分散。球磨得到的纳米混合粉的差动扫描量热(DSC)分析结果表明,球磨后的纳米粉有较好的热稳定性。
4-6

烧结助剂对BiNb04陶瓷烧结特性及介电性能的影响

摘要:研究了ZnO—B2O3、ZnO—B2O3-SiO2、B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:ZnO—B2O3、ZnO—B2O3-SiO2、B2O3液相存在于晶粒和晶界上,不同程度地促进烧结,大幅度降低BiNb04的相变温度;Zn0-B2O3-SiO2、B2O3的加入,对BiNbO4的介电常数、Q值影响较大;而添加l%质量分数的ZnO—B2O3,致密化温度降低到900℃,达到96%的理论密度,在920℃保温4h,材料的ε为41,Q·f为13500GHz。
7-9

PMMN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究

摘要:研究了铌镁酸铅-铌锰酸铅-锆钛酸铅(PMMN-PZT)四元系统压电陶瓷材料的配方、工艺条件及对各项性能指标的影响.在相界附近研究了四种不同配方的PMMN-PZT压电陶瓷,通过SEM观察、性能测试、居里温度表征等手段,确定了较佳的配方组成、材料的烧结温度及极化制度.研究表明:所得PMMN-PZT压电陶瓷的较佳组成为0.06Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.06Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-0.44PbZrO3-0.44PbTiO3+ 0.2%质量分数的CeO2,适宜的烧结温度为1 200℃,极化电场为3 000 V/mm,极化温度为150℃.所制备的压电陶瓷的相对介电常数ε33T/ε0为1 100;介质损耗tgδ为0.004;压电常数d33为290×10(12C/N,g33为28.0×10(3 Vm/N;机电耦合系数kP为0.55;机械品质因数Qm为1 200.
10-12

先驱体法制备Pb1-xSrx(Mn1/3Sb2/3)αZrbTicO3压电陶瓷的压电和介电性能

摘要:采用先驱体法制备了Pb1-xSrx(Mn1/3)αZrbTicO3压电陶瓷。通过XRD研究表明,随着Sr^2+取代量的增加,相界向富锆方向移动,并改善了相界附近组分的压电性能和介电性能。与传统的固相合成制备工艺相比,先驱体法制备的陶瓷具有优良的压电性能,所得样品的综合性能:εr为1791,tgδ为0.0035,,d33为454×10^-12C·N^-1,kp为0.61。
13-15

片式ZnO压敏电阻器印叠工艺对通流容量的影响

摘要:通过印叠工序中,内电极烘干温度与烘干时间的试验,研究了它们对片式ZnO压敏电阻器通流容量的影响.结果表明:烘干温度与烘干时间分别为70℃与2~4 h时,产品的通流容量最大.
16-17

抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器

摘要:为解决氧化物型抑制浪涌用热敏电阻电阻率高、温度系数小的矛盾,采用N型或者P型硅单晶扩散掺金,研制成一种新型的抑制浪涌电流用硅单晶热敏电阻器.该电阻器温度灵敏度高(a = -6.0%℃-1)、残留电阻小(小于1 Ω)、耗散系数为25 mW、时间常数为50 s.与抑制浪涌电流用的氧化物NTCR相比,其制造工艺简单、成本低、一致性好,且易实现片式化和集成化.讨论了这种元件的热敏机理.
18-20

压敏电阻陶瓷材料的研究进展

摘要:详细介绍了目前国内外研究最多的低压压敏陶瓷材料(ZnO系、BaTiO3系、TiO2系、WO3系)、电容–压敏陶瓷材料(SrTiO3系、TiO2系)及高压–压敏陶瓷材料(ZnO系、SnO2系)等的基本配方、制备工艺、性能及主要应用等.还讨论了我国在压敏电阻器研究与生产方面所存在的问题及今后的研究方向.
21-24

衬底对钛酸铋铁电薄膜生长及性能的影响

摘要:采用溶胶-凝胶工艺在Si和Pt/Ti/SiO2/Si两种衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜, 研究了衬底对Bi4Ti3O12铁电薄膜生长及性能的影响.研究表明:Pt/Ti/SiO2/Si基Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化较高但易出现焦绿石相,而Si基Bi4Ti3O12薄膜易于沿c轴取向生长,有利于改善铁电薄膜与硅衬底之间的界面特性,但8μ(C/cm2的剩余极化却比前者有所降低.
25-27

D类功放的设计与分析

摘要:D类功放采用脉宽调制技术来提高功放的效率,利用占空因数,建立了分析功放效率的数学模型;详细描述了D类功放的三角波发生器、比较器、H-桥的电路设计;列出了在设计中的注意事项.不仅保证了功放的高效性,而且具有良好的音质效果.
28-30

高导电性ZAO陶瓷靶材及薄膜的制备

摘要:用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜.靶材的致密度达98.7%,电阻率为2.2×10-3Ω·cm;制得薄膜的最低电阻率为9.3×10-4Ω·cm,可见光平均透射率大于85%.浅析了靶材的组织结构及靶材的电学、力学性能和薄膜制备的主要实验参数对其光、电性能的影响.
31-34
34-34

一维GaN纳米材料生长方法

摘要:介绍了国际上近年来合成一维GaN纳米材料的研究情况,分析了模板限制生长法、基于VLS机制的催化反应生长法、氧化辅助生长法和两步模式生长法合成GaN纳米线的工艺特点,展望了GaN纳米线研究重点和方向.
35-37

密度对粘结钕铁硼永磁元件性能的影响

摘要:密度是影响模压粘结钕铁硼永磁元件性能的关键因素.研究了密度对模压粘结钕铁硼元件磁性能和抗蚀性能的影响,研究表明:随着元件密度的提高,其磁性能Br、Hcb和(BH)max逐渐增大,Hcj逐渐下降;无论元件涂层与否,密度高的元件抗蚀性能较高.要提高元件的密度,粒度配合、预压成型等方法是有效的途径.
38-40

镍基电磁波屏蔽复合涂料制备及在EMC中的工程应用

摘要:针对日益严重的电磁环境污染问题,根据电磁波屏蔽材料对电磁波作用原理,用镍粉和金属纤维作为复合填料,以丙烯酸树脂作粘结剂,按照涂料制备的方法,制备了一种能屏蔽电磁波的复合涂料.将其应用在某有线电视网和电子工作间,进行对比法测试,结果表明:在射频段,该材料将有线电视传输网设备中的干扰场强度降低了40%~50%,在电子工作间上的屏蔽效能达到了30~50 dB.
41-43

铍铜合金性能与其元件生产

摘要:简单介绍了铍铜的性能和用途.分析了国内不能普遍应用的原因:(1)铍铜必须热处理才能获得好的性能,一般企业都不具备热处理条件;(2)信息不灵通,一般企业,特别新兴企业不了解铍铜;(3)缺少有色人才,企业用不好铍铜;(4)国内铍铜产量小,品种不齐全,不易买到,价格贵;(5)使用铍铜综合成本高.为此,国内建立铍铜元件生产厂,需方提供元件图纸,由专业人员生产高质量的铍铜元件,供应需方,解决一切困难.
44-45

A/D转换器参考电压的软件校正

摘要:为了消除参考电压波动对A/D转换结果的影响,研究了参考电压波动和温度效应对A/D转换器转换精度的影响机理及其校正方法.利用实验数据得到了参考电压变化和温度效应与转换精度的关系,结合误差理论,分析得出了基于复合校正系数的软件校正算法.实践证明:该算法补偿效果良好,可保证A/D转换的精度.
46-48