摘要：针对典型的GaAs高电子迁移率晶体管（HEMT）,研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响.利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二维电热模型,考虑了高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,通过分析器件内部电场强度,电流密度,温度分布随信号作用时间的变化来探索其损伤过程及机理,获得了其在不同频率高功率微波作用下的烧毁时间,烧毁位置处的电场强度,电流密度以及温度的变化.研究结果表明,随着注入HPM频率的增大,烧毁时间不断减小,烧毁部位在栅极下方靠源侧,电场强度在栅极靠源侧以及漏侧出现峰值,并随频率增大而增大,电流密度随着频率的增大,先增大后减小,在6 GHz达到最大值,器件的烧毁点在栅极靠源侧,随着频率的增加,发热区逐渐缩小,在6 GHz烧毁点温度达到1670 K.