摘要：采用氧化亚铜（Cu2O）陶瓷靶,利用射频磁控溅射沉积法在氮气和氩气的混合气氛下制备了N掺杂Cu2O（Cu2O∶N）薄膜,并在N2气氛下对薄膜进行了快速热退火处理,研究了N2流量和退火温度对Cu2O∶N薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光电性能的影响。结果显示,在衬底温度300℃、N2流量12sccm条件下生长的薄膜为纯相Cu2O薄膜;在N2气氛下对预沉积薄膜进行快速热退火处理不影响薄膜的物相结构,薄膜的结晶质量随退火温度（〈450℃）的升高而显著改善;快速热退火处理能改善薄膜的结晶质量和缺陷,降低光生载流子的散射,增强载流子的传输,预沉积Cu2O∶N薄膜经400℃退火处理后展示出较好的电性能,薄膜的霍尔迁移率（μ）为27.8cm~2·V~（-1）·s~（-1）、电阻率（ρ）为2.47×10~3Ω·cm。研究表明低温溅射沉积和快速热退火处理能有效改善Cu2O∶N薄膜的光电性能。