衬底温度对Sn掺杂ZnO薄膜结构、电学和光学性能的影响
作者：谌夏 方亮 吴芳 阮海波 魏文猴 黄秋柳
摘要：采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了掺杂浓度为0．5％（原子分数）的ZnO：Sn（TZO）薄膜，研究了不同衬底温度下薄膜的结构、形貌、电学和光学的性能。研究发现，TZO薄膜沿着C轴择优生长，在400℃时结晶度最好，最低电阻率为2．619×10^-2Ω·cm，在可见光范围内具有较好的透光率。
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关键词：
- sn掺杂zno薄膜
- 射频磁控溅射
- 光学性质
- 电学性质
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