摘要：室温下通过直流磁控溅射Alz（）3掺杂3％（质量分数）的ZnO靶材制备了厚度约1μm、结晶度高、表面平整光滑的ZnO：Al透明导电薄膜。研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO：Al薄膜的湿化学刻蚀行为，分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性能的影响。结果表明，刻蚀对薄膜的结晶取向性无影响；经盐酸、王水和草酸刻蚀后薄膜的电阻率略有增大，从7．4mΩ·cm分别增大到8．7mΩ·cm、8．8mΩ·cm和8．6mΩ·cm；透光率略有下降，从80％分别下降到76％、77％和78％。0．5％的盐酸刻蚀可以获得结构良好的陷光结构。薄膜在盐酸中刻蚀速率快，易产生浮胶；在草酸中刻蚀图案清晰，但存在残留；在王水中刻蚀图案清晰且无残留。