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材料导报 2011年第14期杂志 文档列表

材料导报杂志材料研究

聚磷酸钙增强的ZK60A镁基复合材料的力学性能和耐蚀性能1-5

摘要：制备了CPP颗粒增强的ZK60A镁基复合材料，测试了硬度、压缩和弯曲性能来评价复合物的力学性能。随着CPP的含量（质量分数）从0％增加到5％，镁基复合物的硬度、压缩强度增加，而随着CPP含量从5％增加到10％，维氏硬度与压缩强度逐渐减小。随着CPP含量从0％增加到10Voo，抗弯强度呈减小的趋势。极化测试结果表明，随着CPP含量的增加，材料的耐蚀能力增强。

银负载细菌纤维素纳米复合材料的制备及抗菌性能研究6-10

摘要：利用细菌纤维素超精细网络结构和高持水率的特点，在细菌纤维素上通过硼氢化钠（NaBH4）还原硝酸银中的Ag^＋原位生成纳米银颗粒，并对其微观结构等进行表征，同时对银负载细菌纤维素纳米复合膜的抗菌性能和生物相容性进行研究。XRD结果表明纳米银颗粒具有较完善的结晶结构，且银晶体为面心立方结构；XRF检测表明复合材料中含有Ag元素；由UV-Vis可知Ag／BC纳米复合材料在424nm处出现了Ag的吸收峰；从SEM图可看出随着硝酸银浓度的增大，细菌纤维素微纤表面负载的银颗粒增多，粒径大约为50-80nm。抗菌实验结果说明Ag／BC纳米复合材料具有很强的抗菌性能，对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的最大抑菌率分别达到99．4％和98．4％。细胞相容性实验表明，Ag／BC纳米复合材料还具有良好的细胞相容性。因此将其用于抗菌伤口敷料会有广阔的应用前景。

过渡金属（Mn^2＋、Ni^2＋、Fe^3＋、Cu^2＋）掺杂ZnO基稀磁半导体的制备及性质11-15

摘要：摘要利用溶液腐蚀法制备了Mn^2＋、Ni^2＋、Fe^3＋、Cu^2＋离子掺杂的ZnO基稀磁半导体。XRD表明掺杂后的ZnO仍然保持单一的纤锌矿结构，没有任何杂质相产生。由紫外-可见光反射谱可知掺杂后吸收边发生了红移。掺杂前ZnO的带隙为3．20eV，对样品分别掺入Mn、Ni、Fe和Cu后的带隙分别为3．19eV、3．15eV、3．08eV和3．17eV。掺杂后样品的室温PL谱除了紫外发射峰外，对于Mn掺杂的样品还在蓝光区域出现了2个分别位于424nm和443nm的发射峰，Fe掺杂的样品出现了一个位于468nm的微弱发射峰，Cu掺杂的样品出现了位于469nm及535nm的很宽的发射峰。室温磁滞回线显示掺杂后样品有明显的铁磁性，掺入Mn、Ni、Fe和Cu样品的剩余磁化强度（Ms）分别为0．3902×10^-3emu／cm^3、0．454emu／cm^3、0．372emu／cm^3和0．962×10^-3emu／cm^3，矫顽力分别为470e、115．92Oe、99．33Oe和23Oe。经分析室温铁磁性来源于缺陷调制的Mn^2＋-Mn^2＋长程铁磁交换相互作用。

高发光效率的亲水性NaYF4：Yb／Er纳米晶的制备16-19

摘要：以不同比例的乙二醇和水作为混合溶剂，稀土氯化物和NaF为反应物，采用简易的溶剂热法一步制备出亲水性的NaYF4：Yb／Er纳米晶。用透射电子显微镜、X射线粉末衍射、红外吸收以及发光光谱等测试方法对产物的形貌、物相结构、表面配体和荧光性能进行了表征。结果表明，制备的纳米晶形貌比较均一，主要为立方相和六方相的混合相。随着溶剂中含水量由0％增加到50％，纳米晶尺寸变大，六方相NaYF4：Yb／Er含量增加，纳米晶的发光强度增加；进一步增加含水量时，尽管纳米晶尺寸变大，六方相含量也相应增加，但是其发光强度降低，可能是由于配体减少引起纳米晶表面缺陷增加，导致发光淬灭。

pH值对聚合物前驱体法制备WO3薄膜光电性质的影响20-23

摘要：以偏钨酸铵为钨源，聚乙二醇1000为配位聚合物合成了前驱体溶胶，并用浸渍提拉法在KTO导电玻璃上制备了WO3薄膜，研究了不同pH值对WO3薄膜结构和光电性质的影响。实验结果表明，降低pH值有利于提高溶胶的稳定性；不同pH值条件下制得的薄膜均为立方晶相，且具有不同的颗粒尺寸；在500W氙灯照射下，pH=2．8时，颗粒尺寸为60nm．样品的光电流密度达到最大。

Pd掺杂SnO2纳米膜的制备及H2敏感性能研究28-31

摘要：以分析纯SnCl2·2H2O和PdCl2为主要原料，控制不同n（Pd^2＋）/n（Sn^2＋），利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了Pd掺杂SnO2纳米膜。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析，并测试了Pd掺杂SnO2纳米膜的阻温特性和对H2敏感性能。结果表明，Pd掺杂SnO2纳米膜平整而致密，表面椭球形粒子颗粒尺寸约为20nm；Pd掺杂SnO2为金红石型晶体结构，但Pd^2＋进入SnO2晶格代替八面体中部分Sn^4＋，导致其晶胞参数比未掺杂SnO2略小；Pd掺杂SnO2纳米膜的电阻随温度升高而减小．表现出n型半导体阻温特性；随着Pd掺杂比例的增大，元件的电阻增大，其对H2的灵敏度先增大后减小，当掺杂比例为1％时对Hz灵敏度最高。

SnO2／聚氯乙烯复合材料的制备及光催化性能研究32-34

摘要：以二氧化亚锡和聚氯乙烯（IWC）为主要原料，通过光化学合成的方法．在低功率紫外灯辐照下制备了复合光催化剂的前驱体，经热处理后得到了含有共轭聚合物结构的SnO2/聚氯乙烯复合光催化剂材料，并用XRD和UV—Vis等对复合材料进行了表征。光催化降解亚甲基蓝的实验表明，复合材料在可见光辐照下能有效地降解亚甲基篮，复合材料的催化活性明显优于纯SnO2和PVC直接热处理产物。

四针状氧化锌表面的磁改性研究35-38

摘要：采用化学沉淀法，分别使用亚铁溶液、高铁溶液以及两者的混合溶液对T-ZnO进行表面改性，利用扫描电子显微镜（SEM）比较了不同改性结果的表面覆盖情况以及EDX测试元素含量。其表面Fe附着量（质量分数）分别为1．89％、3．76%、2．77%。采用TEOS在T-ZnO表面预涂覆SiO2层，将表面Fe的吸附量提高了3倍左右，达到12．73％。

微波辐照掺氮改性有序多孔TiO2微球制备与光催化性能研究39-42

摘要：采用溶胶-凝胶法和胶体晶体模板法制备了有序多孔TiO2微球，在微波辐照条件下对其掺氮改性，利用FTIR、SEM、XRD、XPS分析等方法对掺氮TiO2材料进行表征，并研究掺氮前后TiO2材料的光催化性能。实验结果显示，所制备有序多孔TiO2微球整体较致密，但局部有孔洞塌陷。微波辐照前后有序多孔TiO2微球的晶型没有改变，依然为锐钛型。XPS分析发现微波辐照制备掺氮有序多孔TiO2微球是可行的，且有序多孔TiO2微球中氮元素质量分数约为1．24％。掺氮有序多孔TiO2微球的光催化性能好于未掺氮TiO2的光催化性能。

铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅薄膜的影响43-46

摘要：采用真空热蒸发和磁控溅射两种方法沉积铝膜，通过对Glass／Si／SiO2／Al叠层结构进行铝诱导晶化（AIC）制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱（XRD）、光学显微镜和拉曼光谱对样品进行分析，研究两种铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅性能的影响。结果表明，采用两种方法沉积的铝膜均能诱导出（111）高度择优取向的大晶粒尺寸（～100μm）的多晶硅薄膜，但与磁控溅射沉积相比，真空热蒸发沉积的铝膜诱导出的多晶硅薄膜应力更小、结晶质量更高，且晶化速率更快。

A-位和B-位共掺的Bi4Ti3O12陶瓷的结构及其铁电性能47-49

摘要：采用固相烧结法制备了Bi3.55Nd0.45Ti3-xNbxO12（x=0、0．02、0．05、0．08、0．15）系层状钙钛矿结构无铅铁电陶瓷。通过X射线衍射仪（XRD）可以看出陶瓷样品为铋层状钙钛矿结构，并无杂相生成。随着Nb的含量增多，其衍射峰向低角度移动。从扫描电子显微镜（SEM）可以看出陶瓷晶粒为片状。利用阻抗分析仪LCR（HP4284A）测试了陶瓷的介电性能，研究表明AB位共掺钛酸铋陶瓷的居里温度在275℃左右，而Bi4Ti3O12的居里点是675℃，前者比后者下降了400℃。在利用铁电综合测试系统对铁电性能的研究过程中发现，与x=0．05相比，x=0．15的矫顽场（Ec）和剩余极化强度（2Pr）分别减小了5kV／cm和2μC／cm^2。

铁基合金粉包覆改性及在雷达／红外兼容隐身中的应用50-52

摘要：用KH550硅烷偶联剂对铁基合金粉包覆改性，并以其为颜填料制备了雷达/红外兼容隐身单涂层，系统研究了包覆改性对涂层低红外发射率以及雷达吸波性能的影响。研究结果表明，偶联剂以化学键的形式吸附在铁基合金粉表面形成有机薄膜。2％偶联剂包覆对涂层的红外发射率影响较小，但显著降低铁基合金粉的介电常数，提高阻抗匹配度。涂层厚度为2ram时，-10dB的吸收带宽从包覆前1．5GHz增加至2．2GHz，吸收峰强度也有明显增加。

KH-550硅烷偶联剂对半导体制造用碳化硅粉体表面的改性研究53-56

摘要：采用KH-550硅烷偶联剂对SiC粉体进行改性，研究了影响SiC粉体改性的各种因素，从而确定出改性最佳工艺参数，并对制备的改性粉体进行表征，分析了改性对SiC料浆分散稳定性的影响。结果表明，SiC微粉经偶联剂处理后没有改变原始SiC微粉的物相结构，只是改变了其在水中的胶体性质；微粉团聚现象减少，分散性得到改善；改性SiC微粉与原始SiC微粉相比，表面特性发生很大变化，Zeta电位值显著提高，悬浮液的分散稳定性得到明显改善。

含氢硅油对高比表面积碳化硅孔结构的影响57-60

摘要：以糠醇为碳源，正硅酸乙酯为硅源，含氢硅油（PMHS）为结构助剂制备碳化硅前驱体，通过溶胶-凝胶法和碳热还原法制备出高比表面积多孔碳化硅，采用XRD、FTIR、SEM、HRTEM和BET对所制备的样品进行表征。结果表明，所得碳化硅具有高的比表面积130m^2／g；含氢硅油的特殊结构有利于形成多孔碳化硅，且对碳化硅样品的比表面积、孔容起着至关重要的影响。

煤质碳化硅纳米颗粒的合成与表征61-64

摘要：以廉价的煤和NazSiO3·9HzO为原料，辅以Fe（NO3）3·9H2O为助剂，在1300℃氩气气氛下通过碳热还原反应制备出碳化硅纳米颗粒。采用X射线分析衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、荧光光谱仪（PL）和低温氮吸附-脱附对所制备的碳化硅样品进行了表征。结果表明，制得的β-SiG纳米颗粒尺寸介于20-60nm，当n（Fe）／n（Si）=0．01时，碳化硅颗粒比表面积最高，为32m^2／g。

La0.5Y0.5Ni4.8Mn0.1Al0.1和La0.5Y0.5Ni4.8Al0.2合金的储氢性能研究65-67

摘要：针对两种新型稀土型储氢合金La0.5Y0.5Ni4.8Mn0.1Al0.1和La0.5Y0.5Ni4.8Al0.2的储氢特性进行研究分析。实验表明，相同温度下，La0.5Y0.5Ni4.8Mn0.1Al0.1和La0.5Y0.5Ni4.8Al0.2合金的PCT曲线基本重合，且都具有优良的吸氢动力学性能；相比之下，后者的滞后系数要小于前者，吸氢量较大，吸氢速率也较快，故其储氢性能较优。300次吸放氢循环实验结果表明，La0.5Y0.5Ni4.8Al0.2合金的吸氢动力学性能虽然略有下降，但抗粉化性能较好。

中间相沥青基碳电极材料的制备工艺优化与性能68-71

摘要：以煤焦油沥青为原料，采用“中间相调制-化学活化”工艺制备了超级电容器用活性碳电极材料．考察了中间相调制温度对活性碳晶体结构、孔径分布、电容量特性的影响，并分析了中间相沥青的调制过程及不同实验条件对活性碳晶体结构、孔径分布、电容量特性的影响。结果表明，中间相沥青调制温度主要集中在190～492．5℃随中间相调制温度升高，活性碳电极材料的振实密度明显增大，在500℃条件下制备的活性碳材料具有最高的比电容量，达到103F／g，较高的调制温度能提升活性碳中碳的边缘层含量，从而提高材料的面积比电容量。

共沉淀法净化铟电解液的研究72-74

摘要：对铟电解液的净化方法进行了研究，提出硫酸钡共沉淀的净化方法。研究表明，最佳的净化条件为：以BaCl2为沉淀剂，在适中的搅拌状态下，将BaCl2溶液逐滴滴入经硫酸酸化过的铟电解液中，BaCl2用量控制在每升铟电解液中加入15-30g氯化钡，反应温度控制在30-50℃之间。