材料导报杂志

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Materials Review

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材料导报是重庆西南信息有限公司(原科学技术部西南信息中心)主办的一本学术期刊,主要刊载该领域内的原创性研究论文、综述和评论等。杂志于1987年创刊,目前已被维普收录(中)、上海图书馆馆藏等知名数据库收录,是重庆西南信息有限公司(原科学技术部西南信息中心)主管的国家重点学术期刊之一。材料导报在学术界享有很高的声誉和影响力,该期刊发表的文章具有较高的学术水平和实践价值,为读者提供更多的实践案例和行业信息,得到了广大读者的广泛关注和引用。
栏目设置:无机非金属及其复合材料、金属与金属基复合材料、高分子与聚合物基复合材料、

材料导报 2011年第12期杂志 文档列表

材料导报杂志材料研究
空位缺陷对单晶硅薄膜热导率影响的分子动力学模拟研究1-3

摘要:采用非平衡分子动力学(NEMD)方法及Tersoff势能函数模拟了微尺度下空位结构缺陷对单晶硅薄膜热导率的影响。结果表明,硅薄膜的热导率随空位浓度的增加而明显减小。当温度为300-700K时,随着温度的升高,空位浓度对热导率的影响以及同一空位浓度下温度对热导率的影响都逐渐减弱。

《材料导报》研究简报征稿3-3

摘要:《材料导报》创刊于1987年,是中文核心期刊,中国科技论文统计源期刊(科技核心期刊),中国科学引文数据库来源期刊和CNKI期刊全文数据库收录期刊。

氢化锆在高温水蒸气中的氧化行为4-6

摘要:通过恒温恒压氧化实验研究了氢化锆在300-700℃高温水蒸气中的氧化行为。结果表明,氢化锆的质量增重随着氧化温度的升高而增大。在氧化过程进行15h以后,OH-/O在氧化膜中的内扩散成为氧化反应的控速步骤。水蒸气中的H抑制了氢化锆在高温氧化条件下的氢损失。氧化膜主要由单斜相M-ZK)2组成,氧化膜的最外层由四方相T-ZrO2和立方相C-ZrO2组成。

低居里温度CuZnTi磁热铁氧体材料的研制7-8

摘要:利用ZnFez04铁氧体材料居里温度对Zn含量敏感的特点,将其作为主成分,通过Cu、Ti离子掺杂技术调整居里温度并提高材料的温度稳定性。采用传统氧化物工艺制备CuTiZn尖晶石铁氧体材料;采用测量起始磁导率的温变曲线间接测量居里温度的方法,获得了CuTiZn磁热铁氧体材料的居里温度。结果表明,Zn含量增加将使居里温度快速下降;材料成分为Cu0.45Zn0.55Ti0.08Fe1.97O4时居里温度为44.9℃,起始磁导率达852.5,且居里温度点磁导率的变化率达50.3/℃,该组分的CuZnTi铁氧体具有良好的自控温灵敏度,可以用作温热疗法磁热材料。

锻造温度场和应变场对TC21钛合金显微组织的影响9-12

摘要:研究了片状组织TC21钛合金在两相区锻造过程中的a相演变。采用有限元法分析了锻造过程中温度场、应变场的变化规律并定量分析了α相的形貌变化,Feret Ratio越小,形貌趋于球化。结果表明,应变场与温度场影响片状α相演变,在较低的应变条件下,锻料边部由于温度降低较快,再结晶充分,Feret Ratio为17.944;锻料中心位置温度较高,Feret Ratio为23.98。

季铵盐共聚物/聚醚砜相容性及其共混膜性能研究13-15

摘要:研究了季铵盐一丙烯腈共聚物(PQA—co-AN)/聚醚砜(PES)共混体系的相容性和共混膜的性能。热力学预测、黏度测试和扫描电镜观察表明,PQA—co-AN/PES共混体系部分相容;共混膜的水通量随PQA-co-AN含量增加有极小值,截留率整体趋势变大,抑菌率随PQA-co-AN含量的增加而增大。

载香丹磷酸氢钙的研究16-18

摘要:研究了湿法合成对香丹和磷酸氢钙的影响,以及温度和香丹添加量对磷酸氢钙载药量的影响。结果表明,湿法合成对香丹和磷酸钙氢钙均无明显影响,温度对香丹载入量影响较小,香丹载入量与合成体系中香丹添加量成正比。通过湿法合成制备载不同浓度香丹磷酸氢钙具有可行性。

GSH、L—Cys和6-MP诱导纳米金聚集行为的分析与应用19-22

摘要:利用纳米金的表面等离子共振吸收光谱研究了谷胱甘肽(GsH)、L-半胱氨酸(L-Cys)和6-巯基嘌呤(6-MP)3种巯基化合物与纳米金作用的机理。结果表明,3种巯基化合物均能诱导纳米金聚集导致其表面等离子共振吸收峰红移。聚集后的纳米金对介质环境(如溶液极性)的变化较敏感,其吸收峰随着加入分析物的极性变化有规律地红移,并且吸光度也线性下降。可根据波长的红移或吸光度变化确立定量关系,可望用于分析对象的定量检测。

PAN纤维环构化结构形成对温度的依赖性研究23-26

摘要:在氮气气氛、100-260℃条件下对PAN纤维进行热处理,通过红外吸收光谱(FTIR)和固体核磁(^13CNMR)研究PAN分子在热处理过程中化学结构的转化,推测其发生的化学反应。研究表明,PAN大分子中腈基(C≡N)反应活化能较低,C≡N可以在较低温度下优先发生环化反应,150℃时首先生成C—N官能团;温度高于170℃,CH2/CH上发生脱氢反应,生成C—C官能团,同时,此C=C结构与已生成的C—N转化为六元环上的-C=N-C=C-共轭结构;温度高于260℃,六元杂环中的共轭-C=C-C=N-结构不稳定,它在分子内发生了异构化反应,转化成更稳定的-GC=C-N-结构。

水相中L-组氨酸单分散分子印迹聚合物微球的合成、表征及其识别性能研究27-33

摘要:较佳工艺条件下,在水性体系中选用无皂乳液聚合法制得的单分散微米级聚苯乙烯微球为种球,分别以组氨酸、甲基丙烯酸(MAA)或丙烯酸胺(AM)、乙二醇二甲基丙烯酸酯(EDMA)为模板分子、功能单体和交联剂,合成了L-广组氨酸分子印迹聚合物微球。研究了形貌、粒径及其分布以及模板分子与功能单体之间的相互作用,分别以SEM、激光粒度分析仪紫外分光光度法和红外光谱表征功能单体与交联剂之间的共聚情况,通过静态吸附法分别测定其分离因子(α)和相对分离因子(β)来评价其吸附性能。结果表明,该法合成的分子印迹聚合物微球对底物具有较高的吸附选择性和较大的吸附容量。

MEMS-SPMT用推进剂的热稳定性和能量特性研究34-37

摘要:以斯蒂芬酸铅作为推进剂的主要组分,硝化棉为粘接剂,通过添加高氯酸铵、细铝粉,得到了可用于MEMS-SPMT的推进剂。采用DSC研究了高氯酸铵、铝粉、硝化棉对斯蒂芬酸铅热稳定性的影响,研究了4种推进剂配方的热解特性,并利用CEA软件进行热力计算,研究了2种喷管扩张比(面积比)下4种推进剂配方的能量特性。结果表明,高氯酸铵和铝对斯蒂芬酸铅的热稳定性无明显影响,硝化棉能降低斯蒂芬酸铅的热稳定性。硝化棉与高氯酸铵质量比大的推进剂热稳定性较低。增加硝化棉、高氯酸铵的质量含量和增大喷管扩张比均能提高推进剂比冲。

L-半胱氨酸还原氧化石墨烯的研究38-40

摘要:采用改进Hummers法合成氧化石墨,在水中超声分散获得氧化石墨烯水溶胶,并加入L-半胱氨酸于95℃进行回流反应后得到还原氧化石墨烯。采用X射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱仪和热重一差热扫描仪等探讨氧化石墨烯还原前后的结构与性能变化。结果表明,L半胱氨酸能有效还原氧化石墨烯,且还原后的氧492;墨烯在乙醇中有较好的分散性,其所制薄膜的导电率为500S/m。由此法制备的石墨烯有望广泛应用于电子、光电、电容器和传感器等器件中。

多孔结构ZnO及其电致发光性能41-44

摘要:利用Sol—gel法制备了含制孔剂P123的ZnO前驱体,通过无皂乳液聚合法和分步乳液聚合法制备了不同粒径的PS小球,采用共沉积法得到P123-PS-ZnO凝胶。高温煅烧去除有机模板剂P123和PS,从而制备出系列孔径可控的多孔ZnO电致发光材料。研究表明,多孔结构可以显著改善ZnO的电致发光性能;ZnO发光强度随PS粒度的改变而改变,当使用100nmPS小球为模板时,多孔ZnO材料的相对发光强度较未使用PS模板提高了4.03倍。

薄膜厚度和工作压强对室温制备AZO薄膜性能的影响45-48

摘要:采用射频磁控溅射法在室温下、普通玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测量了不同薄膜厚度和不同工作压强下所得样品的结构、电学和光学性能,结果表明,所制备的AZO薄膜均具有六角纤锌矿结构,沿c轴择优取向生长;在可见光范围内,薄膜平均透过率约为80%;随着薄膜厚度的增加和工作压强的降低,薄膜的电阻率呈下降趋势;得到的薄膜最低方块电阻为7.5Ω/□。

Dy^3+掺杂CaWO4荧光粉体的制备及发光性能49-51

摘要:采用固相陶瓷方法制备了Dy3+掺杂的CaWO4:Dyx^3+荧光粉体。采用XRD、SEM和FT-IR对制备粉体的微观结构进行了表征;采用荧光分析法研究了制备的荧光体的室温光致发光性能;探讨了掺杂剂Dy3+浓度对CaWO4:Dyx^3+荧光粉体的微结构和光致发光性能的影响。结果表明,制备的CaW04:D记’荧光粉体为白钨矿结构,Dy3+的掺入会抑制CaWO4:Dyx^3+晶粒的生长。当Dy3+的掺入量为1%(摩尔分数)时,其在480nm(蓝)和575nm(黄)的发射强度达到最大;随着Dy3+浓度的增加,其特征发射峰(480nm和575nm)强度反而逐渐下降。

盐酸与DBSA共掺杂聚苯胺修饰碳纳米管性能的研究52-55

摘要:采用原位乳液聚合法制备了盐酸与十二烷基苯磺酸(DBSA)共掺杂聚苯胺/MWNTs复合材料。利用FTIR、TEM和TG等对复合材料的形貌和性能进行了表征。TEM结果表明苯胺共聚物包覆于碳纳米管表面,包覆厚度为10-20nm。复合材料在DMF、THF和氯仿中的溶解性大幅度提高,在520-750℃的热稳定性明显提高,包覆率为15.16%,电导率从聚苯胺的10^-7S/cm增大到10^-3S/cm。

Mg2Si薄膜的磁控溅射制备及表征56-58

摘要:采用直流磁控溅射的方法在Si(100)衬底上制备了Mg2Si外延半导体薄膜。通过XRD和FESEM对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,分析了溅射功率对Mg2Si薄膜制备的影响,得到了Mg2Si薄膜在不同溅射功率下的外延生长特性。结果表明,在Si(100)衬底上,MgzSi薄膜具有(220)的择优生长特性,并且在50~80W的溅射功率范围内,随着溅射功率的增加,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度逐渐增强。

玻璃包覆Co_68Fe_4.5Si_13.5B_14非晶微丝的力学性能59-62

摘要:以玻璃包覆C068Fe4.5Si13.5B14非晶微丝为研究对象,对经氢氟酸溶液腐蚀不同时间的微丝和不同直径的原丝进行了力学性能评价和断口形貌分析。结果表明,玻璃包覆非晶微丝的断裂过程是弹性变形。外径为28μm、内径为8.8/zm的微丝经氢氟酸溶液腐蚀,刚去掉玻璃包覆层时裸丝的抗拉强度最大,可达到3545MPa,应变量为1.96%;若微丝经酸液腐蚀仍存在玻璃层,当腐蚀时间为40s时,抗拉强度和延伸率达到该阶段的最大值,分别为724MPa和1.3%;同时玻璃包覆C068Fe4.5Si13.5B14非晶微丝具有尺寸效应,微丝的抗拉强度随直径的减小而增大。