碳化硅涂层的离子注入沉积改性

作者:李舵; 成来飞; 吴守军; 张立同; 徐永东; 沈季雄

摘要:采用全方位离子注入和沉积(Plasma Immersion Ion Implamation and Deposition,PⅢ&D),在SiC涂层表面形成注入沉积改性层(改性元素A1和Si),观察了离子注入和沉积对涂层表面裂纹的封填情况,分析了离子注入和沉积后涂层表面的相组成,考核了离子注入和沉积对SiC-C/SiC材料抗氧化性能的影响。实验结果表明:注入AI再注入沉积Si改性后显著降低复合材料在1300℃空气中的氧化质量损失,提高了复合材料的抗氧化能力,边注入边沉积Al和同时全方位沉积AI和Si改性对复合材料抗氧化性能改善作用较小,边注入边沉积Si改性改善复合材料抗氧化性能的作用最小。

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关键词:
  • 碳化硅涂层
  • 离子注入和沉积
  • 抗氧化

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期刊名称:材料导报

期刊级别:北大期刊

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杂志介绍:
主管单位:重庆西南信息有限公司(原科学技术部西南信息中心)
主办单位:重庆西南信息有限公司(原科学技术部西南信息中心)
出版地方:重庆
快捷分类:工业
国际刊号:1005-023X
国内刊号:50-1078/TB
邮发代号:78-93
创刊时间:1987
发行周期:半月刊
期刊开本:A4
下单时间:1-3个月
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